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BSS119NH6327XTSA1

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Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3080 Stücke:
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2519+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.088 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.061 EUR
24000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.068 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.07 EUR
24000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
auf Bestellung 4272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
481+0.18 EUR
693+0.12 EUR
812+0.1 EUR
1166+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+0.29 EUR
967+0.18 EUR
1273+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon info-tbss119n.pdf N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
370+0.48 EUR
605+0.27 EUR
967+0.17 EUR
1273+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS119N_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 70723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss119n_rev2.0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2445+0.071 EUR
2519+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.088 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.061 EUR
24000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.089 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.068 EUR
24000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.07 EUR
24000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
auf Bestellung 4272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
481+0.18 EUR
693+0.12 EUR
812+0.1 EUR
1166+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
605+0.29 EUR
967+0.18 EUR
1273+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 info-tbss119n.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
370+0.48 EUR
605+0.27 EUR
967+0.17 EUR
1273+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 370 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 Infineon_BSS119N_DS_v02_01_en.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 6433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 Infineon-BSS119N-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639b6532a164a
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 70723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.69 EUR
50+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 INFNS19097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16495 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
672+0.35 EUR
918+0.24 EUR
1511+0.14 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1 bss119n_rev2.0.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH