Weitere Produktangebote BSS123-7-F nach Preis ab 0.031 EUR bis 0.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 75200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 74767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V 360mW |
auf Bestellung 58289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 75335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 229060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BSS123-7-F | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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BSS123-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
auf Bestellung 229060 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS123-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 75200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.074 EUR |
| 6000+ | 0.066 EUR |
| 9000+ | 0.062 EUR |
| 15000+ | 0.058 EUR |
| 21000+ | 0.055 EUR |
| 30000+ | 0.053 EUR |
| BSS123-7-F |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 74767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 455+ | 0.16 EUR |
| 676+ | 0.11 EUR |
| 1177+ | 0.061 EUR |
| 1793+ | 0.04 EUR |
| 1894+ | 0.038 EUR |
| 3000+ | 0.034 EUR |
| 6000+ | 0.033 EUR |
| 9000+ | 0.032 EUR |
| 15000+ | 0.031 EUR |
| BSS123-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V 360mW
MOSFETs 100V 360mW
auf Bestellung 58289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.36 EUR |
| 13+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 3000+ | 0.074 EUR |
| BSS123-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 75335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 48+ | 0.37 EUR |
| 79+ | 0.22 EUR |
| 128+ | 0.14 EUR |
| 500+ | 0.1 EUR |
| 1000+ | 0.089 EUR |
| BSS123-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 229060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS123-7-F |
![]() |
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS123-7-F |
![]() |
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 229060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





