Weitere Produktangebote BSS123-7-F nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 717000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 717000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 46309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 46549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 100V 360mW |
auf Bestellung 69967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 232954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 232954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS123-7-F | Hersteller : Diodes |
N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS123-7-F | Hersteller : Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |