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BSS123-7-F

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Produktcode: 148378
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INCORPORATED BSS123-7-F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 67575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
676+0.13 EUR
1177+0.073 EUR
1793+0.048 EUR
1894+0.045 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.038 EUR
15000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INC. 4553101.pdf Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 221327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
800+0.29 EUR
1299+0.17 EUR
1774+0.12 EUR
1997+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F BSS123-7-F DIODES INC. 4553101.pdf Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 221327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
486+0.51 EUR
800+0.29 EUR
1299+0.17 EUR
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1997+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
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BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Incorporated ds30366.pdf MOSFETs 100V 360mW
auf Bestellung 47523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Zetex ds30366.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F BSS123-7-F Diodes Incorporated ds30366.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BSS123-7-F BSS123-7-F.pdf
BSS123-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 67575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
676+0.13 EUR
1177+0.073 EUR
1793+0.048 EUR
1894+0.045 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.038 EUR
15000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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BSS123-7-F 4553101.pdf
BSS123-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 221327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
486+0.51 EUR
800+0.29 EUR
1299+0.17 EUR
1774+0.12 EUR
1997+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
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BSS123-7-F 4553101.pdf
BSS123-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 221327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
486+0.51 EUR
800+0.29 EUR
1299+0.17 EUR
1774+0.12 EUR
1997+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 486 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS123-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V 360mW
auf Bestellung 47523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH