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BSS123 (ONSEMI)

Produktcode: 207526
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123 BSS123 YY BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123-F2-0000HF TBSS123 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 2900 Stücke
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BSS123 BSS123 YFW TBSS123__c_0001.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
12000+0.1 EUR
27000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 MULTICOMP PRO 4778051.pdf Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1316+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
50+0.42 EUR
70+0.3 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 199939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 401900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.87 EUR
681+0.35 EUR
782+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 401900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
287+0.87 EUR
681+0.35 EUR
782+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
auf Bestellung 47440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 Microdiode Electronics (MDD) BSS123-D.PDF BSS123
auf Bestellung 2100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.035 EUR
1050000+0.031 EUR
1575000+0.029 EUR
2100000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 Fairchild/ON Semiconductor BSS123-Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf
BSS123
Hersteller: YY
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123-F2-0000HF TBSS123 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 2900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123__c_0001.pdf
BSS123
Hersteller: YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3624+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3624 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
12000+0.1 EUR
27000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 4778051.pdf
BSS123
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1316+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
50+0.42 EUR
70+0.3 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 199939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.87 EUR
10+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 401900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
287+0.87 EUR
681+0.35 EUR
782+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 401900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
287+0.87 EUR
681+0.35 EUR
782+0.27 EUR
926+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 287 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 12Ω
auf Bestellung 47440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123-d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
BSS123
auf Bestellung 2100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9000+0.035 EUR
1050000+0.031 EUR
1575000+0.029 EUR
2100000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DRV8837DSGR
Produktcode: 107914
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Produktcode: 106453
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RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-0710KL / Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 Вт
U Betrieb, V: 50 В
Bauform: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
400+0.0039 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0018 EUR
Mindestbestellmenge: 400 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Produktcode: 60735
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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 нФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
erwartet: 200000 St.
  • 200000 St. - erwartet
auf Bestellung: 55306 St.
  • 55306 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+0.039 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.027 EUR
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 40 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXG-02 Gehäuse Stecker "Buchse" auf Kabel Raster 2 мм
Produktcode: 41580
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nxg-info.pdf
NXG-02 Gehäuse Stecker "Buchse" auf Kabel Raster 2 ммNXG-02 Gehäuse Stecker "Buchse" auf Kabel Raster 2 мм
NXG-02 Gehäuse Stecker "Buchse" auf Kabel Raster 2 ммNXG-02 Gehäuse Stecker "Buchse" auf Kabel Raster 2 мм
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Gehäuse ohne Kontakte, 2 Ausgänge, auf Kabel
Stecker/Buchse: Buchse
Anzahl Kontakte: 2
Kontaktabstand: 2 мм
Steckverbinder-Serie: NXG
Montage: Kabelmontage
Kontaktgröße: 8536 90 10 00
auf Bestellung: 5696 St.
  • 5696 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
18+0.067 EUR
100+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NXG-T Terminal "Buchse" für Stecker NX/PH
Produktcode: 29929
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nxg-t-datasheet.pdf
NXG-T Terminal "Buchse" für Stecker NX/PH
Hersteller: Ninigi
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte "Buchse" für Raster Steckverbinder 2 mm auf Draht: 22-28AWG
Stecker/Buchse: Kontakte / Aderendhülsen
Anzahl Kontakte: -
Kontaktabstand: 2 мм
Steckverbinder-Serie: Kontakte für NXG
Montage: Kabelmontage
Kontaktgröße: 8536 90 10 00
auf Bestellung: 23606 St.
  • 23606 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
31+0.039 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
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