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Technische Details BSS123 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS123 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.64 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2529000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
auf Bestellung 164322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2531960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 14660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V |
auf Bestellung 164537 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 48231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 574141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 574141 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 147000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : HT SEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : SLKOR |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : YFW |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : UMW |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : MDD(Microdiode Electronics) |
![]() Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : HT Jinyu Semiconductor |
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auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : HXY MOSFET |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : SHIKUES |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 Produktcode: 207526
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Lieblingsprodukt
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BSS123 | Hersteller : GALAXY |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : Fairchild |
![]() Anzahl je Verpackung: 250 Stücke |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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BSS123 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123 | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123 | Hersteller : Nexperia |
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BSS123 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123 | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS123 | Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |