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BSS123

BSS123 Good-Ark Semiconductor

BSS123.pdf Hersteller: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details BSS123 Good-Ark Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSS123 nach Preis ab 0.016 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSS123 BSS123 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.038 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_BSS123%20SOT-23.PDF Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2331000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3497+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2331000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3497+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3004+0.048 EUR
3087+0.045 EUR
3175+0.042 EUR
3258+0.039 EUR
3356+0.036 EUR
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3004
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 471000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.087 EUR
15000+0.081 EUR
21000+0.077 EUR
30000+0.074 EUR
75000+0.067 EUR
150000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : NextGen Components BSS1230000SSAW.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1323+0.12 EUR
2000+0.078 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 1323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : Good-Ark Semiconductor BSS123.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 5545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
112+0.16 EUR
295+0.06 EUR
343+0.051 EUR
414+0.043 EUR
460+0.038 EUR
500+0.036 EUR
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED DS_4530_BSS123.pdf Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
145+0.12 EUR
237+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 5399_BSS123%20SOT-23.PDF Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 5679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
139+0.13 EUR
227+0.078 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 6690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
428+0.17 EUR
632+0.11 EUR
749+0.096 EUR
1069+0.067 EUR
1217+0.059 EUR
1500+0.055 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
428+0.17 EUR
632+0.11 EUR
749+0.096 EUR
1069+0.067 EUR
1217+0.059 EUR
1500+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
545+0.26 EUR
828+0.17 EUR
1593+0.083 EUR
3004+0.042 EUR
3087+0.04 EUR
3175+0.037 EUR
3258+0.034 EUR
3356+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 545
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
341+0.42 EUR
557+0.25 EUR
941+0.14 EUR
1210+0.11 EUR
1380+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 341
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
307+0.47 EUR
501+0.28 EUR
877+0.15 EUR
1128+0.11 EUR
1276+0.096 EUR
3000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : onsemi BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 148595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : onsemi bss123-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 471610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
36+0.49 EUR
60+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : Analog Power Inc. datasheet.php?part=BSS123 Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
46+0.38 EUR
100+0.22 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 509924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 509924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 Hersteller : ON Semiconductor bss123-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
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BSS123 Hersteller : HT Jinyu Semiconductor bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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BSS123 Hersteller : HT SEMI bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
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BSS123 Hersteller : MDD(Microdiode Electronics) bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
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BSS123 Hersteller : YFW bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
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BSS123 Hersteller : HXY MOSFET bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
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BSS123 Hersteller : SLKOR bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
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BSS123 Hersteller : UMW bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
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BSS123 Hersteller : SHIKUES bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
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BSS123 Hersteller : JSMicro Semiconductor bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
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BSS123
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bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS123 Hersteller : GALAXY bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
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BSS123 Hersteller : Fairchild bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
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BSS123 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
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BSS123 Hersteller : CHIPNOBO bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
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BSS123 BSS123 Hersteller : UMW 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS123 BSS123 Hersteller : UMW 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
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BSS123 BSS123 Hersteller : Diodes Incorporated BSS123.pdf MOSFETs
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BSS123 Hersteller : Nexperia bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf MOSFETs
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BSS123 Hersteller : ROHM Semiconductor bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf MOSFETs
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BSS123 BSS123 Hersteller : Infineon Technologies bss123-d.pdf BSS123.pdf DS_4530_BSS123.pdf 5399_BSS123%20SOT-23.PDF BSS1230000SSAW.pdf datasheet.php?part=BSS123 97d867127e152fa3b2604f2903bfb5c9.pdf MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
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BSS123 BSS123 Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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