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BSS123

BSS123 JCET

BSS123jcet.pdf
Produktcode: 220789
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Hersteller: JCET
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 29/1,4
Montage: SMD
auf Bestellung: 1880 St.
  • 1880 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.086 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123 BSS123 HT SEMI TBSS123_HT_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2990 Stücke
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BSS123 BSS123 HXY MOSFET TBSS123_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 GALAXY TBSS123_GAL_GALAXY_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123 BSS123 Fairchild info-tbss123%20fai.pdf N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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BSS123 Fairchild/ON Semiconductor BSS123-Fairchild.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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BSS123 BSS123 CHIPNOBO TBSS123_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1233000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4348+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4348 Stücke
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BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1233000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4348+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4348 Stücke
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BSS123 BSS123 MDD(Microdiode Electronics) TBSS123_MDD_MDD_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 REALCHIP BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 YFW TBSS123__c_0001.pdf Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123 BSS123 SLKOR TBSS123_SLK_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 UMW TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 SHIKUES TBSS123_SHK_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS123 BSS123 JSMicro Semiconductor TBSS123_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.096 EUR
12000+0.093 EUR
27000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI BSS123-FAI.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 16604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.29 EUR
439+0.19 EUR
599+0.14 EUR
687+0.12 EUR
953+0.089 EUR
1062+0.08 EUR
1500+0.074 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.64 EUR
435+0.38 EUR
604+0.26 EUR
692+0.21 EUR
934+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
71+0.3 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 424686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
672+0.35 EUR
820+0.26 EUR
1027+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ONSEMI 2288251.pdf Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 424686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.79 EUR
672+0.35 EUR
820+0.26 EUR
1027+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 onsemi BSS123-D.PDF MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 269478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123 ON Semiconductor bss123d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 HT Jinyu Semiconductor BSS123-D.PDF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7693+0.023 EUR
60000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 7693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 Microdiode Electronics (MDD) BSS123-D.PDF BSS123
auf Bestellung 1038000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.032 EUR
636000+0.03 EUR
954000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 MULTICOMP PRO 4778051.pdf Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
1105+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_HT_0001.pdf
BSS123
Hersteller: HT SEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 2990 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
BSS123
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_GAL_GALAXY_0001.pdf
BSS123
Hersteller: GALAXY
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 info-tbss123%20fai.pdf
BSS123
Hersteller: Fairchild
N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-Fairchild.pdf
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_CNB_CHIPNOBO_0001.pdf
BSS123
Hersteller: CHIPNOBO
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1233000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4348+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1233000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4348+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_MDD_MDD_0001.pdf
BSS123
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics)
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123_SOT-23(1)_REALCHIP.pdf
BSS123
Hersteller: REALCHIP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123__c_0001.pdf
BSS123
Hersteller: YFW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_SLK_0001.pdf
BSS123
Hersteller: SLKOR
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_UMW_UMW_0001.pdf
BSS123
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_SHK_0001.pdf
BSS123
Hersteller: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 TBSS123_JSM_JSMICRO_0001.pdf
BSS123
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.096 EUR
12000+0.093 EUR
27000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 ONSM-S-A0013903197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-FAI.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 16604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
295+0.29 EUR
439+0.19 EUR
599+0.14 EUR
687+0.12 EUR
953+0.089 EUR
1062+0.08 EUR
1500+0.074 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.64 EUR
435+0.38 EUR
604+0.26 EUR
692+0.21 EUR
934+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
71+0.3 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
286+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 286 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 424686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
320+0.79 EUR
672+0.35 EUR
820+0.26 EUR
1027+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 2288251.pdf
BSS123
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 424686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
320+0.79 EUR
672+0.35 EUR
820+0.26 EUR
1027+0.21 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
BSS123
Hersteller: onsemi
MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 269478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.84 EUR
10+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 bss123d.pdf
BSS123
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
Hersteller: HT Jinyu Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7693+0.023 EUR
60000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 7693 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 BSS123-D.PDF
Hersteller: Microdiode Electronics (MDD)
BSS123
auf Bestellung 1038000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9000+0.032 EUR
636000+0.03 EUR
954000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 4778051.pdf
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.39 EUR
1105+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH