BSS123N H6327 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details BSS123N H6327 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.19A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSS123N H6327
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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BSS123N H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Application: automotive industry |
auf Bestellung 13246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 598 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS123N H6327 | Infineon |
auf Bestellung 546000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| BSS123NH6327 | Infineon technologies |
auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS123N H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 190mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
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| BSS123N H6327 |
Hersteller: Infineon
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Hersteller: Infineon technologies
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