BSS126 H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 345+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.49 EUR |
| 1000+ | 0.46 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
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Technische Details BSS126 H6327 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 21mA, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 1.4nC, Version: ESD, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSS126 H6327 nach Preis ab 0.2 EUR bis 1.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSS126 H6327 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Version: ESD Application: automotive industry |
auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 238 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS126 H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| BSS126 H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)