BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
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Technische Details BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS126H6327XTSA2 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 118465 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 24178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
auf Bestellung 18379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
auf Bestellung 18379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 700Ω |
auf Bestellung 1889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 24000+ | 0.17 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.23 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 24000+ | 0.18 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 258+ | 0.67 EUR |
| 406+ | 0.42 EUR |
| 410+ | 0.4 EUR |
| 542+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 0.69 EUR |
| 393+ | 0.43 EUR |
| 524+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 0.93 EUR |
| 211+ | 0.81 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 118465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 1 EUR |
| 34+ | 0.62 EUR |
| 50+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 24178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.01 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.39 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 164+ | 1.05 EUR |
| 256+ | 0.65 EUR |
| 258+ | 0.62 EUR |
| 406+ | 0.38 EUR |
| 410+ | 0.36 EUR |
| 542+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 1.13 EUR |
| 248+ | 0.67 EUR |
| 393+ | 0.4 EUR |
| 524+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 18379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 1.37 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 466+ | 0.46 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 18379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 1.37 EUR |
| 407+ | 0.57 EUR |
| 466+ | 0.46 EUR |
| 582+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 5000+ | 0.31 EUR |
| BSS126H6327XTSA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
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