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BSS126H6327XTSA2

BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
6000+0.21 EUR
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Technische Details BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSS126H6327XTSA2 nach Preis ab 0.13 EUR bis 1.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6000+0.2 EUR
9000+0.15 EUR
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auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.67 EUR
401+0.43 EUR
405+0.42 EUR
557+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.68 EUR
400+0.43 EUR
545+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.82 EUR
138+0.62 EUR
160+0.54 EUR
271+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon-BSS126-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304330f6860601310483af163eba Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.11 EUR
257+0.65 EUR
400+0.4 EUR
545+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
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6000+0.18 EUR
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auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.11 EUR
257+0.65 EUR
260+0.62 EUR
401+0.39 EUR
405+0.37 EUR
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1000+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 17326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
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6000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON INFNS19225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 9329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
276+0.84 EUR
430+0.5 EUR
569+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS126H6327XTSA2 bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.67 EUR
401+0.43 EUR
405+0.42 EUR
557+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 260 Stücke
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.68 EUR
400+0.43 EUR
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1000+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
auf Bestellung 2007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
105+0.82 EUR
138+0.62 EUR
160+0.54 EUR
271+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2 bss126_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a304330f6860601310483af1.pdffolderiddb3a3043156fd57301162.pdf
BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.11 EUR
257+0.65 EUR
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3000+0.2 EUR
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9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.11 EUR
257+0.65 EUR
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1000+0.23 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 17326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.86 EUR
100+0.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS126H6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
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AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
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