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BSS126H

Produktcode: 113030
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS126 H6327 BSS126 H6327 Infineon Technologies infineonbss126idatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS126 H6327 BSS126 H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
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10+1.06 EUR
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500+0.42 EUR
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BSS126 H6327 BSS126 H6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
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BSS126 H6327 infineonbss126idatasheetv0202en.pdf
BSS126 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS126 H6327 Infineon_BSS126_DS_v02_01_en.pdf
BSS126 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.54 EUR
10+1.06 EUR
100+0.67 EUR
500+0.42 EUR
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BSS126 H6327
BSS126 H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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