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BSS127IXTSA1

BSS127IXTSA1 Infineon Technologies

infineonbss127idatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS127IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.097 EUR
21000+0.09 EUR
30000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss127idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
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10+0.51 EUR
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BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON 3208405.pdf Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS127IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPreis
3000+0.11 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.072 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.072 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.097 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 11211 Stücke:
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AnzahlPreis
27+0.67 EUR
44+0.41 EUR
100+0.26 EUR
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1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS127IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 8857 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+0.73 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 3208405.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1 3208405.pdf
BSS127IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH