BSS127IXTSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.081 EUR |
| 54000+ | 0.071 EUR |
| 81000+ | 0.064 EUR |
| 108000+ | 0.058 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSS127IXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSS127IXTSA1 nach Preis ab 0.054 EUR bis 0.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 56650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 5575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS |
auf Bestellung 14999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
BSS127IXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 310Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.65nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Technology: MOSFET |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
BSS127IXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |