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BSS127S-7

BSS127S-7 Diodes Zetex

bss127.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS127S-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 610mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : Diodes Incorporated BSS127.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89687506DC41193D6&compId=BSS127.pdf?ci_sign=1b4252b7f94b0b9baf65855ac848bc81795752da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
On-state resistance: 160Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
132+0.54 EUR
196+0.37 EUR
249+0.29 EUR
532+0.13 EUR
808+0.09 EUR
855+0.08 EUR
3000+0.08 EUR
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89687506DC41193D6&compId=BSS127.pdf?ci_sign=1b4252b7f94b0b9baf65855ac848bc81795752da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
On-state resistance: 160Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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808+0.09 EUR
855+0.08 EUR
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691610_1-2543441.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
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10+0.40 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : Diodes Incorporated BSS127.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
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43+0.41 EUR
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500+0.19 EUR
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : DIODES INC. BSS127.pdf Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : DIODES INC. BSS127.pdf Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4924 Stücke:
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BSS127S-7 BSS127S-7 Hersteller : Diodes Inc bss127.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
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