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Technische Details BSS127S-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 610mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm.
Weitere Produktangebote BSS127S-7 nach Preis ab 0.074 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA |
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BSS127S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm |
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BSS127S-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS127S-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BSS127S-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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