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BSS127SSN-7

BSS127SSN-7 Diodes Incorporated

BSS127.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
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Technische Details BSS127SSN-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 610mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS127SSN-7 BSS127SSN-7 Diodes Incorporated BSS127.pdf MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
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BSS127SSN-7 BSS127SSN-7 Diodes Incorporated BSS127.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
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BSS127SSN-7 BSS127SSN-7 DIODES INC. 3687325.pdf Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 610mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
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Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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