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BSS138BKT116

BSS138BKT116 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.096 EUR
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Technische Details BSS138BKT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm.

Weitere Produktangebote BSS138BKT116 nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSS138BKT116 BSS138BKT116 Rohm Semiconductor bss138bkt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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835+0.17 EUR
1011+0.14 EUR
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BSS138BKT116 BSS138BKT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 64241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
49+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BSS138BKT116 BSS138BKT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS138BK&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
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3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS138BKT116 BSS138BKT116 ROHM bss138bkt116-e.pdf Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKT116 BSS138BKT116 ROHM bss138bkt116-e.pdf Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKT116 BSS138BKT116 Rohm Semiconductor bss138bkt116-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 427
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BSS138BKT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
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MOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
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BSS138BKT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
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BSS138BKT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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isCanonical: N
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Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R
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