| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.8 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details BSS138DW-7-F Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BSS138DW-7-F nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSS138DW-7-F | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138DW-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138DW-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT363 On-state resistance: 3.5Ω Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 50V |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 201+ | 1.25 EUR |
| 343+ | 0.68 EUR |
| 486+ | 0.44 EUR |
| 562+ | 0.38 EUR |
| 1500+ | 0.37 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 201+ | 1.25 EUR |
| 343+ | 0.68 EUR |
| 486+ | 0.44 EUR |
| 562+ | 0.38 EUR |
| 1500+ | 0.37 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT363
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
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Drain-source voltage: 50V
auf Bestellung 17 Stücke:
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