BSS138DW-7-F DIODES/ZETEX
Hersteller: DIODES/ZETEX
2N-MOSFET 50V 200mA 3.5Ω 200mW BSS138DW-7-F Diodes TBSS138dw
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Technische Details BSS138DW-7-F DIODES/ZETEX
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 200mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSS138DW-7-F | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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BSS138DW-7-F | Diodes Incorporated |
MOSFETs 50V 200mW |
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BSS138DW-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BSS138DW-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 57285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138DW-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 80 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 0.69 EUR |
| 49+ | 0.43 EUR |
| 59+ | 0.36 EUR |
| 68+ | 0.31 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 50V 200mW
MOSFETs 50V 200mW
auf Bestellung 2794 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.81 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.1 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 1.05 EUR |
| 544+ | 0.43 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 57285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 1.05 EUR |
| 544+ | 0.43 EUR |
| 625+ | 0.35 EUR |
| 637+ | 0.33 EUR |
| BSS138DW-7-F |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.2A; 0.2W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 5 EUR |