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BSS138IXTSA1

BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

infineonbss138idatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS138IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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21000+0.047 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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863+0.18 EUR
1320+0.11 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss138idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1872 Stücke:
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650+0.22 EUR
1035+0.14 EUR
1417+0.1 EUR
1590+0.087 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1334 Stücke:
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250+0.29 EUR
715+0.1 EUR
923+0.078 EUR
1095+0.065 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS138I_DataSheet_v02_01_EN-2237768.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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9+0.32 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.077 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 6832 Stücke:
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36+0.49 EUR
59+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 727 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS138IXTSA1 BSS138IXTSA1 INFINEON 3208406.pdf Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
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BSS138IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
863+0.18 EUR
1320+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 863 Stücke
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BSS138IXTSA1
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1872 Stücke:
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AnzahlPreis
650+0.22 EUR
1035+0.14 EUR
1417+0.1 EUR
1590+0.087 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
250+0.29 EUR
715+0.1 EUR
923+0.078 EUR
1095+0.065 EUR
1185+0.06 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 75643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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9+0.32 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSS138IXTSA1 Infineon-BSS138I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421e00e1d4c
BSS138IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 6832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
36+0.49 EUR
59+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138IXTSA1 3208406.pdf
BSS138IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.2ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH