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BSS138K

BSS138K ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS138K ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS138K BSS138K Hersteller : ON Semiconductor bss138k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138K BSS138K Hersteller : onsemi bss138k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
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BSS138K BSS138K Hersteller : ON Semiconductor bss138k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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996+0.14 EUR
1198+0.11 EUR
1308+0.098 EUR
3000+0.072 EUR
6000+0.056 EUR
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BSS138K BSS138K Hersteller : ON-Semiconductor info-tbss138k.pdf N-MOSFET 50V 220mA 1.6Ω 350mW BSS138K ONS (FAIRCHILD) TBSS138k
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS138K BSS138K Hersteller : ONSEMI BSS138K.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 662 Stücke:
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264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
587+0.12 EUR
662+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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BSS138K BSS138K Hersteller : ON Semiconductor bss138k-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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340+0.42 EUR
730+0.19 EUR
841+0.16 EUR
996+0.13 EUR
1006+0.12 EUR
1198+0.098 EUR
1308+0.086 EUR
3000+0.066 EUR
6000+0.053 EUR
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BSS138K BSS138K Hersteller : onsemi bss138k-d.pdf MOSFETs 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
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6+0.47 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSS138K BSS138K Hersteller : onsemi bss138k-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 25 V
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BSS138K BSS138K Hersteller : ONSEMI 2299989.pdf Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS138K BSS138K Hersteller : ONSEMI 2299989.pdf Description: ONSEMI - BSS138K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138K Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor BSS138K.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 220 мА, Ptot, Вт = 0,35, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 58 @ 25, Qg, нКл = 2.4 @ 10 В, Rds = 1.6 Ом @ 50 мA, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1.2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
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BSS138K Hersteller : On Semiconductor bss138k-d.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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