BSS138LT1G

BSS138LT1G

Produktcode: 28421
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.200
Ciss, pF/Qg, nC: 40/

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Technische Details BSS138LT1G

Preis BSS138LT1G ab 0.034 EUR bis 0.27 EUR

BSS138LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
N- ; Udss, = 50; Id = 200 ; Ciss, @ Uds, = 50 @ 25 ; Rds = 3.5 @ 200 , 5 ; Ugs(th) = 1.5 @ 1 ; , = 0,225 ; , °C = -55...+150; . = smd; ; SOT-23-3
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BSS138LT1G
Hersteller: ON
N-MOSFET 220mA 50V 360mW 3.5? BSS138L (Fairchild), BSS138LT1G (ONS), BSS138TA (Diodes) BSS138LT3G Trans. BSS138 SOT23 TBSS138L
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Hersteller: ON
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Hersteller: ON
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ONSEMI
Material: BSS138LT1G SMD N channel transistors
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 225
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Hersteller:
BSS138 N-CH MOS POWER TRANS 50V, 200MA, 225MW SOT23
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BSS138LT1G
Hersteller:
BSS138 N-CH MOS POWER TRANS 50V, 200MA, 225MW SOT23
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BSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Material: BSS138LT1G SMD N channel transistors
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET 50V 200mA N-Channel
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Hersteller: onsemi
MOSFET 50V 200mA N-Channel
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: On Semiconductor
N-. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225, 3.5, SOT-23 (SMD)
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BSS138LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
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BSS138LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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BSS138LT1G
BSS138LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Produktcode: 72296
datasheat_1179471156KLS1-207.JPG
PLS-40 Stifte auf Platte (KLS1-207-1-40-S – KLS)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen - Steckverbindungen Überbrückungsstecker
Beschreibung: Stifte 1 - Reihe auf Platte gerade, 40 Kontakte, Schritt 2,54mm, 3А, Plattierung: Gold 0.8u"
Stecker/Buchse: Stifte (Stecker)
Schritt: 2,54mm
Anzahl Reihen: 1 - Reihe
Anzahl Kontakte: 40
1991 Stück - stock Köln
3839 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
6000 Stück - erwartet
1+ 0.24 EUR
10+ 0.2 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.14 EUR
Möglichen Substitutionen
PLS-40 (ZL201-40G) (Stifte auf Platte, 1х40, 2,54mm)
Produktcode: 19265
LL4148 (MCL4148-TR, MICRO-MELF)=BAS32L
Produktcode: 2413
LL4148 (MCL4148-TR, MICRO-MELF)=BAS32L
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
117715 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Analogon
PMLL4148
Produktcode: 1294
Analogon
LL4148-GS08
Produktcode: 83537
Analogon
LL4148-GS
Produktcode: 28419
Analogon
LL4148
Produktcode: 31025
IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren - Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Id,A: 3.7
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 633/8
ZCODE: 8541 21 00 90
250 Stück - stock Köln
34 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2 Stück - erwartet 08.07.2022
auf Bestellung 62853 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.11 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.08 EUR
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Größe Typ: 0805
89470 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Möglichen Substitutionen
10 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-0710KL-Yageo)
Produktcode: 60691
Analogon
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3689