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IRF7416TRPBF

IRF7416TRPBF

irf7416.pdf
Produktcode: 25625
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar 255 Stück:
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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4000+0.55 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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4000+0.60 EUR
8000+0.56 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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91+1.64 EUR
139+1.03 EUR
200+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
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8000+0.44 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7416_DataSheet_v01_01_EN-3363333.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
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2+2.16 EUR
10+1.42 EUR
25+1.31 EUR
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500+0.83 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRFR9024NTRPBF
Produktcode: 23070
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description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 11
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: SMD
verfügbar: 537 Stück
15 Stück - stock Köln
522 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 2000 Stück
2000 Stück - erwartet 20.06.2025
Anzahl Preis
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Produktcode: 122875
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irf7413zpbf-937492-datasheet.pdf
IRF7413ZTR
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
JHGF: SMD
auf Bestellung 117 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SS56 (SMC)
Produktcode: 123158
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dsss56-datasheet.pdf
SS56 (SMC)
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 60 V
If(A): 5 A
VF@IF: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 175 A
auf Bestellung 844 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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MMBT3904
Produktcode: 176831
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datasheet-mmbt3904-jin.pdf
MMBT3904
Hersteller: JINGDAO
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2780 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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ATtiny24A-SSU
Produktcode: 33730
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description 8183S.pdf
ATtiny24A-SSU
Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SOIC-14
Kurzbeschreibung: 8-bit Microcontrollers - MCU 20MHz, Ind Temp 1.8-5.5V, Green
Strom, V: 1,8...5,5 V
Betriebstemperatur, °С: AVR
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
auf Bestellung 1255 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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