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IRF7416TRPBF

IRF7416TRPBF

irf7416.pdf
Produktcode: 25625
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar 269 St.:
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 73532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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316+0.45 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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4000+0.6 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.62 EUR
8000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
112+1.28 EUR
119+1.16 EUR
171+0.78 EUR
250+0.74 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6736 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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55+1.3 EUR
82+0.88 EUR
97+0.74 EUR
125+0.57 EUR
250+0.47 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.41 EUR
2000+0.39 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 55
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 719 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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77+1.87 EUR
112+1.23 EUR
119+1.12 EUR
171+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7416-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
auf Bestellung 7681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+2.06 EUR
10+1.39 EUR
100+0.99 EUR
500+0.78 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.68 EUR
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 9119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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8+2.41 EUR
12+1.53 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
2000+0.67 EUR
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17282 Stücke:
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon info-tirf7416.pdf Код виробника: IRF7416TRPBF RoHS Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416 smd; IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; IRF7416PBF-GURT; Transistors
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 3300 Stücke:
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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7416TRPBF Hersteller : International Rectifier irf7416.pdf MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 3146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon info-tirf7416.pdf Код виробника: IRF7416TRPBF Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416 smd; IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; IRF7416PBF-GURT; Transistors
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 25900 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon info-tirf7416.pdf Код виробника: IRF7416TRPBF Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416 smd; IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; IRF7416PBF-GURT; Transistors
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 28000 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7416TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon KBL0X_Hornby.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим
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IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 3029 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
JHGF: SMD
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7201TRPBF
Produktcode: 42753
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description infineon-irf7201-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f13efb1ada
IRF7201TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
JHGF: SMD
auf Bestellung 2999 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ
Produktcode: 34125
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FD%2FFDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar: 87 St.
7 St. - stock Köln
80 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
10+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
6 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 148 St.
60 St. - stock Köln
88 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 15000 St.
15000 St. - erwartet 05.06.2026
Anzahl Preis
1+0.09 EUR
10+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH