IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
erwartet: 400 St.
- 400 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 21 St.
- 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 73462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 73462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 14399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC |
auf Bestellung 2222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 14399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRF7416TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори |
auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.63 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.63 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.64 EUR |
| 8000+ | 0.6 EUR |
| 12000+ | 0.56 EUR |
| 20000+ | 0.52 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.68 EUR |
| 8000+ | 0.63 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.73 EUR |
| 8000+ | 0.65 EUR |
| 12000+ | 0.61 EUR |
| 20000+ | 0.56 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 1.78 EUR |
| 73+ | 1.17 EUR |
| 110+ | 0.77 EUR |
| 250+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.61 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2000+ | 0.52 EUR |
| 4000+ | 0.5 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 73462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 2 EUR |
| 127+ | 1.36 EUR |
| 171+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2000+ | 0.61 EUR |
| 4000+ | 0.57 EUR |
| 8000+ | 0.54 EUR |
| 12000+ | 0.51 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 73462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 88+ | 2 EUR |
| 127+ | 1.32 EUR |
| 171+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.63 EUR |
| 2000+ | 0.54 EUR |
| 4000+ | 0.5 EUR |
| 8000+ | 0.48 EUR |
| 12000+ | 0.45 EUR |
| IRF7416TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.34 EUR |
| 149+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
auf Bestellung 8297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.68 EUR |
| 13+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.42 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.32 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.98 EUR |
| 2000+ | 0.88 EUR |
| 4000+ | 0.74 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 14399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 4.07 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 149+ | 1.45 EUR |
| 500+ | 1.32 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 5000+ | 1.05 EUR |
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 77 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7416TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier
MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
auf Bestellung 3046 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 1.13 EUR |
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| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 3000 St.
- 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 655 St.
- 655 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.33 EUR |
| 10+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| IRF7832TRPBF Produktcode: 30646
1
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
erwartet: 200 St.
- 200 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 10 St.
- 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
- 60 St. - stock Köln
erwartet: 21000 St.
- 21000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 2498 St.
- 2498 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.18 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 Вт
U Betrieb, V: 150 В
Bauform: 0805
auf Bestellung: 255091 St.
- 255091 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 0.012 EUR |
| 1000+ | 0.0086 EUR |
| 10000+ | 0.0063 EUR |
| IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 6304 St.
- 6304 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |









