Technische Details IRF7832TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current, Id:20A
- Package/Case:8-SOIC
- Power Dissipation, Pd:2.5W
- Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
- Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm
Weitere Produktangebote IRF7832TRPBF nach Preis ab 0.45 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 3850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 6235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC |
auf Bestellung 10710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V |
auf Bestellung 16953 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7832TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 155°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 4801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7832TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF7832TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 155°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 4801 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRF7832TRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 363 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.49 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.49 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.62 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.63 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
| 2000+ | 0.65 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| 2000+ | 0.68 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.83 EUR |
| 8000+ | 0.78 EUR |
| 12000+ | 0.75 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 165+ | 0.89 EUR |
| 167+ | 0.87 EUR |
| 197+ | 0.72 EUR |
| 250+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 602+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 602+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 602+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 142+ | 1.04 EUR |
| 165+ | 0.86 EUR |
| 167+ | 0.82 EUR |
| 197+ | 0.67 EUR |
| 250+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 44+ | 1.66 EUR |
| 64+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.77 EUR |
| 250+ | 0.69 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 88+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| 250+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 2500+ | 1.27 EUR |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 74+ | 1.98 EUR |
| 111+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| 2000+ | 0.82 EUR |
| 4000+ | 0.74 EUR |
| IRF7832TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
auf Bestellung 10710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.66 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.16 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
| 1000+ | 0.84 EUR |
| 2000+ | 0.77 EUR |
| 4000+ | 0.72 EUR |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 16953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.02 EUR |
| 100+ | 1.35 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.97 EUR |
| 2000+ | 0.9 EUR |
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7832TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 363 Stücke:
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| IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 34 St.
- 15 St. - stock Köln
- 19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8 St.
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| IRLML0030TRPBF Produktcode: 37076
7
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3237 St.
- 60 St. - stock Köln
- 3177 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.09 EUR |
| 10+ | 0.08 EUR |
| ST1S10PHR Produktcode: 25451
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: SO-8
U eing., V: 20V
I ausg., A: 3A
F, kHz: 900
U comp, V: 0,8V
Bemerkung: STEP DOWN
Робоча температура, °С: -40…+125°C
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: SO-8
U eing., V: 20V
I ausg., A: 3A
F, kHz: 900
U comp, V: 0,8V
Bemerkung: STEP DOWN
Робоча температура, °С: -40…+125°C
auf Bestellung 213 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.67 EUR |
| FDS6679AZ Produktcode: 34125
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar: 25 St.
- 7 St. - stock Köln
- 18 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.84 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| IRLML9301TRPBF Produktcode: 34218
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 835 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.28 EUR |
| 10+ | 0.16 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |









