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IRF7832TRPBF

IRF7832TRPBF

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Produktcode: 30646
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Hersteller:
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
auf Bestellung 10 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF7832TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:20A
  • Package/Case:8-SOIC
  • Power Dissipation, Pd:2.5W
  • Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm
  • Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.83 EUR
8000+0.75 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 15350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.87 EUR
8000+0.81 EUR
12000+0.79 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1000+0.88 EUR
2000+0.83 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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500+0.98 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+1 EUR
8000+0.94 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+1.01 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5197 Stücke:
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602+1.09 EUR
1000+1 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
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1000+1 EUR
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
64+1.34 EUR
100+0.92 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
131+1.33 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.01 EUR
100+1.89 EUR
250+1.77 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.07 EUR
127+1.34 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
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85+2.07 EUR
127+1.37 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
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56+3.18 EUR
88+1.94 EUR
131+1.25 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16 description Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 16247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF Infineon Technologies irf7832pbf.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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IRF7832TRPBF International Rectifier/Infineon irf7832pbf.pdf description N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 363 Stücke:
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.83 EUR
8000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 15350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.87 EUR
8000+0.81 EUR
12000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
2000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1 EUR
8000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+1.01 EUR
8000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
602+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
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IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
602+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
602+1.09 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 602 Stücke
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.98 EUR
64+1.34 EUR
100+0.92 EUR
250+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
131+1.33 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
100+1.89 EUR
250+1.77 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.07 EUR
127+1.34 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
4000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 6235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.07 EUR
127+1.37 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.94 EUR
2000+0.86 EUR
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.18 EUR
88+1.94 EUR
131+1.25 EUR
500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description Infineon_IRF7832_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC
auf Bestellung 10543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.27 EUR
10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.82 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.32V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 15 V
auf Bestellung 16247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.33 EUR
10+2.11 EUR
100+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.94 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7832TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description INFN-S-A0002255707-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7832TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7832TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 4000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.32V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
113+2.06 EUR
165+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 15, Qg, нКл = 51 @ 4,5 В, Rds = 4 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,32 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 36 St.
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1+1.02 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076
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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 382/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 2558 St.
  • 60 St. - stock Köln
  • 2498 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
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10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ST1S10PHR
Produktcode: 25451
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st1s10phr.pdf
ST1S10PHR
Hersteller: ST
IC > IC AC/DC-Schaltregler
Gehäuse: SO-8
Eingangsspannung Uein, V: 20 V
Ausgangsstrom Iausg, A: 3 A
Frequenz F, kHz: 900 kHz
Komparatorspannung Ucomp, V: 0,8 V
Bemerkung: Abwärtsregler
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°С
auf Bestellung 213 St.:
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erwartet 277 St.:
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1+7.44 EUR
10+6.74 EUR
100+0.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 555 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.33 EUR
10+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH104RNP-150NC (15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 39128
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-150NC (15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 15 µH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 15uH, ±30%, Idc=3.6A, Rdc max/typ=50/37 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: CDRH104
Abmessungen: 10,0x10,2 mm, h=3,8 mm
Betriebsstrom, A: 3,6 A
Warennummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung 283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.95 EUR
10+0.86 EUR
100+0.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH