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FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar: 25 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.6 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.54 EUR
12500+0.53 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.71 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.75 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.17 EUR
127+1.14 EUR
176+0.8 EUR
250+0.78 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.35 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.66 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
92+0.78 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+1.94 EUR
126+1.13 EUR
127+1.07 EUR
176+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5592 Stücke:
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2+2.27 EUR
10+1.27 EUR
100+0.96 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 23505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.42 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.61 EUR
5000+0.57 EUR
7500+0.54 EUR
12500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
195+0.75 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.64 EUR
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
126+1.17 EUR
127+1.14 EUR
176+0.8 EUR
250+0.78 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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AnzahlPreis
30+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
44+1.66 EUR
58+1.25 EUR
67+1.08 EUR
92+0.78 EUR
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
76+1.94 EUR
126+1.13 EUR
127+1.07 EUR
176+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.27 EUR
10+1.27 EUR
100+0.96 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 23505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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8+2.27 EUR
13+1.43 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 34 St.
  • 15 St. - stock Köln
  • 19 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 8 St.
    AnzahlPreis
    1+0.38 EUR
    10+0.36 EUR
    100+0.31 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF7832TRPBF
    Produktcode: 30646
    1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
    IRF7832TRPBF
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30 V
    Idd,A: 16 A
    Rds(on), Ohm: 4 mOhm
    Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
    JHGF: SMD
    auf Bestellung 10 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
    Produktcode: 25094
    16 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		description
    IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: TO-220
    Uds,V: 55
    Idd,A: 75
    Rds(on), Ohm: 0.0065
    Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
    JHGF: THT
    auf Bestellung 1459 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPreis
    1+1.5 EUR
    10+1.45 EUR
    100+1 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRF8736TRPBF
    Produktcode: 25137
    2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		irf8736pbf.pdf
    IRF8736TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > MOSFET N-CH
    Gehäuse: SO-8
    Uds,V: 30
    Idd,A: 18
    Rds(on), Ohm: 0.0048
    JHGF: SMD
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    IRLML9301TRPBF
    Produktcode: 34218
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    IRLML9301TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-23
    Uds,V: 30
    Id,A: 3.6
    Rds(on),Om: 0.064
    Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
    Gebr.: Керування логічним рівнем
    /: SMD
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