FDS6679AZ Fairchild
Produktcode: 34125
Hersteller: FairchildGehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar 66 Stück:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 14.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 96nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 17270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22507 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
auf Bestellung 16317 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
auf Bestellung 30760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
auf Bestellung 30760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : Fairchild |
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
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FDS6679AZ | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
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Si4835DDY Produktcode: 101041 |
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.018
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.018
/: SMD
verfügbar: 23 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.2 EUR |
10+ | 0.95 EUR |
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3540 |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 200 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 200 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 7895 Stück
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.005 EUR |
100+ | 0.0034 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
IRF8736TRPBF Produktcode: 25137 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
auf Bestellung 320 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)MCP6001T-I/OT Produktcode: 25675 |
Hersteller: Microchip
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5V
BW, MHz: 1
Vio, mV(Biasspannung): -4,5...+4,5
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5V
BW, MHz: 1
Vio, mV(Biasspannung): -4,5...+4,5
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.26 EUR |
IRLR7833TRPBF Produktcode: 35240 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1632 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.13 EUR |
10+ | 0.95 EUR |