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FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
Montage: SMD
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 13 St.
  • 13 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.39 EUR
127+1.36 EUR
176+0.95 EUR
250+0.93 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
126+1.34 EUR
127+1.27 EUR
176+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.7 EUR
10+1.51 EUR
100+1.14 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.65 EUR
124+1.88 EUR
164+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.65 EUR
124+1.88 EUR
164+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+0.89 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.39 EUR
127+1.36 EUR
176+0.95 EUR
250+0.93 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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FDS6679AZ info-tfds6679az.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.31 EUR
126+1.34 EUR
127+1.27 EUR
176+0.88 EUR
250+0.84 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5592 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.7 EUR
10+1.51 EUR
100+1.14 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.81 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 4617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.93 EUR
12+1.86 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
69+3.65 EUR
124+1.88 EUR
164+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.65 EUR
124+1.88 EUR
164+1.31 EUR
500+1 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 14 St.
  • 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 10 St.
  • 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 655 St.
  • 655 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.33 EUR
10+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3205PBF
Produktcode: 25094
17 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 13.08.2026
auf Bestellung: 1237 St.
  • 1237 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
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