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FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+0.38 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
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2500+0.61 EUR
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7500+0.54 EUR
12500+0.53 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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195+0.73 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 195
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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126+1.14 EUR
127+1.09 EUR
176+0.76 EUR
250+0.72 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 126
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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44+1.66 EUR
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
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FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI fds6679az-d.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18683 Stücke:
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FDS6679AZ Hersteller : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
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Anzahl Preis
30+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor FDS6679_FAI.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 13 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3845 @ 15, Qg, нКл = 96 @ 10 В, Rds = 9,3 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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FDS6679AZ Hersteller : ONS/FAI fds6679az-d.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 10
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
/: SMD
verfügbar: 289 St.
15 St. - stock Köln
274 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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10+1.45 EUR
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Produktcode: 25137
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IRF8736TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
auf Bestellung 41 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
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description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
JHGF: SMD
auf Bestellung 53 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
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irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 3.6
Rds(on),Om: 0.064
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
auf Bestellung 3031 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.28 EUR
10+0.16 EUR
100+0.12 EUR
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