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FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
Montage: SMD
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
auf Bestellung: 206 St.
  • 206 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6679AZ FDS6679AZ UMW ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ UMW ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.67 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 3923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ info-tfds6679az.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ 2303867.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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FDS6679AZ 2303867.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 14843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf ecf1a71dd8418d81904beaee312352a5.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.06 EUR
10+1.67 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 3923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.06 EUR
11+1.93 EUR
50+1.44 EUR
100+1.29 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ FDS6679AZ.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
erwartet: 600 St.
  • 600 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
2+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9301TRPBF
Produktcode: 34218
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2357 St.
  • 2357 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.33 EUR
10+0.2 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 300 St.
  • 300 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
2+1.09 EUR
10+0.99 EUR
100+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
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CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 41266
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CDRH104R.pdf
CDRH104RNP-221NC (220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 220 µH
Genauigkeit: ±30%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 220uH, ±30%, Idc=0.92A, Rdc max/typ=756/560 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Typ: CDRH104
Abmessungen: 10,0x10,2 mm, h=3,8 mm
Betriebsstrom, A: 0,92 A
Warennummer: 8504 50 20 90
auf Bestellung: 406 St.
  • 406 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.71 EUR
10+0.57 EUR
100+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH127/LDNP-270MC (27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Produktcode: 41279
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-270MC (27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (Leistungsdrossel)
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 27 µH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungsdrossel, gewickelt im gepanzerten Ferritkern, 27uH, ±20%, Idc=4.2A, Rdc max/typ=41.6/32 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: CDRH127
Abmessungen: 12,3x12,3 mm, h=8,0 mm
Betriebsstrom, A: 4,2 A
Warennummer: 8504 50 20 90
erwartet: 200 St.
  • 200 St. - erwartet
auf Bestellung: 34 St.
  • 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.57 EUR
10+0.46 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH