FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild


FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.0093
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
/: SMD
verfügbar 66 Stück:

7 Stück - stock Köln
59 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.84 EUR
10+ 0.7 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote FDS6679AZ nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.93 EUR
5000+ 0.89 EUR
12500+ 0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
62+1.16 EUR
90+ 0.8 EUR
102+ 0.71 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
62+1.16 EUR
90+ 0.8 EUR
102+ 0.71 EUR
110+ 0.65 EUR
116+ 0.62 EUR
500+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 62
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 17270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
137+1.16 EUR
166+ 0.92 EUR
207+ 0.71 EUR
500+ 0.64 EUR
1000+ 0.53 EUR
2500+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 137
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3845 pF @ 15 V
auf Bestellung 22507 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.26 EUR
15+ 1.85 EUR
100+ 1.44 EUR
500+ 1.22 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : onsemi / Fairchild FDS6679AZ_D-2313096.pdf MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 16317 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.27 EUR
30+ 1.76 EUR
100+ 1.33 EUR
500+ 1.23 EUR
1000+ 1 EUR
2500+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 23
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
auf Bestellung 30760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0077 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
auf Bestellung 30760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS6679AZ Hersteller : Fairchild fds6679az-d.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 20
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6679AZ FDS6679AZ Hersteller : ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar

Mit diesem Produkt kaufen

Si4835DDY
Produktcode: 101041
Si4835DDY
Hersteller: Vishay
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.018
/: SMD
verfügbar: 23 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.2 EUR
10+ 0.95 EUR
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3540
RC_series.pdf
200 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 200 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 7895 Stück
erwartet: 10000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD
auf Bestellung 320 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
MCP6001T-I/OT
Produktcode: 25675
MCP6001-1R-1U-2-4-1-MHz-Low-Power-Op-Amp-DS20001733L.pdf
MCP6001T-I/OT
Hersteller: Microchip
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SOT-23-5
Vc, V: 1,8...5,5V
BW, MHz: 1
Vio, mV(Biasspannung): -4,5...+4,5
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.29 EUR
10+ 0.26 EUR
IRLR7833TRPBF
Produktcode: 35240
irlr7833pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566dd6b626d3
IRLR7833TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 30
Idd,A: 140
Rds(on), Ohm: 0.0045
Ciss, pF/Qg, nC: 4010/33
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 1632 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.13 EUR
10+ 0.95 EUR