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FDS6679AZ

FDS6679AZ Fairchild

FD%2FFDS6679AZ.pdf
Produktcode: 34125
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
Montage: SMD
verfügbar: 7 St.
  • 7 St. - stock Köln
auf Bestellung: 208 St.
  • 208 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ Fairchild info-tfds6679az.pdf P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI FDS6679AZ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
57+1.5 EUR
66+1.3 EUR
85+1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 16343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ONSEMI 2303867.pdf Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 16343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.06 EUR
10+1.67 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ onsemi fds6679az-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 4449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.96 EUR
50+1.48 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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FDS6679AZ FDS6679AZ ON Semiconductor fds6679az-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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FDS6679AZ info-tfds6679az.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: Fairchild
P-MOSFET 30V 13A 1W FDS6679AZ Fairchild TFDS6679az
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 14.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+1.94 EUR
57+1.5 EUR
66+1.3 EUR
85+1 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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FDS6679AZ 2303867.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 16343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
85+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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FDS6679AZ 2303867.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6679AZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm
auf Bestellung 16343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.98 EUR
113+2.06 EUR
162+1.32 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
MOSFETs -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.06 EUR
10+1.67 EUR
100+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
auf Bestellung 4449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.12 EUR
11+1.96 EUR
50+1.48 EUR
100+1.31 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDS6679AZ fds6679az-d.pdf
FDS6679AZ
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IRF7416TRPBF
Produktcode: 25625
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IRF7416TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.88 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7832TRPBF
Produktcode: 30646
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description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
IRF7832TRPBF
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 16 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
1+1.09 EUR
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100+0.88 EUR
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Produktcode: 34218
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IRLML9301TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 388/4,8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 2545 St.
  • 2545 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung: 3931 St.
  • 3931 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.78 EUR
10+1.73 EUR
100+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF8736TRPBF
Produktcode: 25137
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irf8736pbf.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 152 St.
  • 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH