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IRF8736TRPBF

Name: IRF8736TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13444825-5
Price: 1240.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 25137

Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.0048
JHGF: SMD

auf Bestellung 165 Stück:

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V

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4000+	0.34 EUR
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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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500+	0.38 EUR
1000+	0.29 EUR

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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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324+	0.45 EUR
367+	0.38 EUR
371+	0.36 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

auf Bestellung 784 Stücke:

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281+	0.52 EUR
321+	0.43 EUR
324+	0.41 EUR
367+	0.35 EUR
371+	0.33 EUR
558+	0.21 EUR

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg

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100+	0.59 EUR
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1000+	0.43 EUR
2000+	0.4 EUR
4000+	0.33 EUR

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V

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14+	1.34 EUR
21+	0.87 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
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2000+	0.41 EUR

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IRF8736TRPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IRF8736TRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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IRF8736TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R

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IRF8736TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076

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irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

verfügbar: 9458 Stück

60 Stück - stock Köln
9398 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.09 EUR
10+	0.08 EUR

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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735

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100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)

Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805

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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210

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10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)

Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206

auf Bestellung 28365 Stück:

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Anzahl	Preis
10+	0.42 EUR
100+	0.036 EUR
1000+	0.0028 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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10nF 100V X7R 10% 0603 (GRM188R72A103KA01D – Murata)
Produktcode: 2363

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Hersteller: Murata
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00

auf Bestellung 1130 Stück:

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Anzahl	Preis
10+	0.02 EUR
100+	0.0062 EUR
1000+	0.0039 EUR
10000+	0.0034 EUR

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0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Produktcode: 3427

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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512

verfügbar: 396 Stück

erwartet: 4000 Stück

4000 Stück - erwartet 29.11.2025

Anzahl	Preis
10+	0.056 EUR
100+	0.048 EUR
1000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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