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IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

irf8736pbf.pdf
Produktcode: 25137
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineon_irf8736_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 23723 Stücke:
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 23723 Stücke:
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.82 EUR
12000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16790 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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50+1.5 EUR
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IRF8736TRPBF infineon_irf8736_datasheet_en.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 66930 Stücke:
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2+3.17 EUR
10+1.5 EUR
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.77 EUR
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8736TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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AnzahlPrivatkunde
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IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
98+1.76 EUR
163+1.02 EUR
165+0.98 EUR
224+0.69 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 23723 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.53 EUR
138+1.56 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
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59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
138+1.56 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
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EL817S(C)
Produktcode: 122670
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el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Hersteller: Everlight
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 кВ
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 мА
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 В
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+110°С
erwartet: 3000 St.
  • 3000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 742 St.
  • 742 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.25 EUR
10+0.23 EUR
100+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 17033
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description ECR_081225.pdf
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 6,3 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 373 St.
  • 373 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
1+0.31 EUR
10+0.26 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 129 St.
  • 129 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMF05CT1G
Produktcode: 28996
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SMF05CT1G
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SC-70-6
Spitzenleistung, P, W: 100 Вт
Durchbruchspannung, Vbr: 6,2 V
Sperrspannung, Vrm: 5 В
Leckstrom, Irm: 0,07 µA
Diodenbauart: Unidirektional
Montage: SMD
auf Bestellung: 133 St.
  • 133 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+0.29 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
200 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K32000FT-KOME) (Widerstand SMD)
Produktcode: 77415
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komechip-eesistor-datasheet.pdf
200 Ohm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K32000FT-KOME) (Widerstand SMD)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 200 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 5000 St.
  • 5000 St. - stock Köln
auf Bestellung: 625915 St.
  • 625915 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 10 St.
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