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IRF8736TRPBF

IRF8736TRPBF

irf8736pbf.pdf
Produktcode: 25137
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung 176 St.:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3220+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3220 Stücke
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.95 EUR
8000+0.89 EUR
12000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 68274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 18565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.33 EUR
100+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.04 EUR
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 85 Stücke:
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF Infineon Technologies infineonirf8736datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
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IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40986 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
381+0.46 EUR
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IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.95 EUR
8000+0.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF8736TRPBF Infineon-IRF8736-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg
auf Bestellung 68274 Stücke:
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10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
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IRF8736TRPBF irf8736pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d9e661d7f
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 15 V
auf Bestellung 18565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6+3.69 EUR
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IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF infineonirf8736datasheetv0101en.pdf
IRF8736TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF8736TRPBF IRSDS09456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF8736TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8736TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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EL817S(C)
Produktcode: 122670
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el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Hersteller: Everlight
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehause: SMD-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung U-isol, kV: 5 kV
Strom ein/aus I-ein/I-aus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung U-ausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Betriebstemperatur, °C: -55…+110°C
auf Bestellung 842 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 St.:
3000 St. - erwartet 05.07.2026
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1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 17033
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description ECR_081225.pdf
1000uF 6,3V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR102M0JBA-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000 µF
Nennspannung: 6,3 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 373 St.
    erwartet: 10000 St.
    • 10000 St. - erwartet
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.31 EUR
    10+0.26 EUR
    100+0.082 EUR
    1000+0.075 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    IRLML6402TRPBF
    Produktcode: 27968
    7 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		IRLML6402.pdf
    IRLML6402TRPBF
    Hersteller: IR
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SOT-23
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
    Drain-Strom Id, A: 3,7 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
    Anmerkung: Logikpegelansteuerung
    Montage: SMD
    ZCODE: 8541 21 00 90
    auf Bestellung 6844 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.13 EUR
    10+0.12 EUR
    100+0.11 EUR
    1000+0.095 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    SMF05CT1G
    Produktcode: 28996
    zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		yt886b678bfirfbjfjy.pdf
    SMF05CT1G
    Hersteller: ON
    Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
    Gehäuse: SC-70-6
    Spitzenleistung, P, W: 100 W
    Durchbruchspannung, Vbr: 6,2 V
    Sperrspannung, Vrm: 5 V
    Leckstrom, Irm: 0,07 µA
    Diodenbauart: Unidirektional
    Montage: SMD
    auf Bestellung 483 St.:
    Lieferzeit 21-28 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    1+0.35 EUR
    10+0.29 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    FDS6679AZ
    Produktcode: 34125
    4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
    		FD%2FFDS6679AZ.pdf
    FDS6679AZ
    Hersteller: Fairchild
    Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
    Gehäuse: SO-8
    Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
    Drain-Strom Id, A: 13 A
    Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0093 Ohm
    Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/68
    Montage: SMD
    verfügbar: 25 St.
    • 7 St. - stock Köln
    • 18 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
    AnzahlPrivatkunde
    1+1 EUR
    10+0.83 EUR
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH