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BSS138NH6433XTMA1

Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies bss138n_rev2.86_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS138N_Rev2.86.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
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BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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BSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
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BSS138NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
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0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (Widerstand SMD)
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0 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-0R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 0 Ohm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
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4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3942
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4,7nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B472K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
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10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3940
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B103K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
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22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3939
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22nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (C0603B223K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
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AnzahlPrivatkunde
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1000+0.0098 EUR
10000+0.0056 EUR
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BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1253
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BC847C.pdf
BC847C (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
auf Bestellung: 1857 St.
  • 1857 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+0.031 EUR
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10000+0.019 EUR
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