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BSS138PS,115

BSS138PS,115 Nexperia

2116098898001879bss138ps.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details BSS138PS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 420mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : Nexperia 2116098898001879bss138ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS138PS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.1 EUR
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15000+0.08 EUR
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30000+0.074 EUR
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : Nexperia 2116098898001879bss138ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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1000+0.22 EUR
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3000+0.11 EUR
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : NEXPERIA BSS138PS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3885 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
218+0.33 EUR
257+0.28 EUR
375+0.19 EUR
399+0.18 EUR
486+0.15 EUR
1040+0.069 EUR
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : NEXPERIA BSS138PS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : Nexperia BSS138PS.pdf MOSFETs 60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET
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Anzahl Preis
6+0.55 EUR
10+0.35 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS138PS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 292553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
33+0.55 EUR
52+0.34 EUR
119+0.15 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 122319 Stücke:
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BSS138PS,115 BSS138PS,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138PS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 420mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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