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BSS138PW,115

BSS138PW,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BSS138PW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 830mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS138PW,115 BSS138PW,115 Nexperia 2155609636915311bss138pw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 NEXPERIA BSS138PW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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777+0.11 EUR
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 NXP info-tbss138pw.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 NXP info-tbss138pw.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 Nexperia 2155609636915311bss138pw.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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500+0.35 EUR
835+0.2 EUR
1367+0.12 EUR
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2170+0.068 EUR
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 23409 Stücke:
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367+0.68 EUR
642+0.36 EUR
962+0.23 EUR
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BSS138PW,115 BSS138PW,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 320mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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BSS138PW,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1482000 Stücke:
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BSS138PW,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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BSS138PW,115
Hersteller: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BSS138PW,115 info-tbss138pw.pdf
BSS138PW,115
Hersteller: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP; BSS138PW,115 TBSS138pw
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS138PW,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 23189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.35 EUR
835+0.2 EUR
1367+0.12 EUR
1891+0.081 EUR
2170+0.068 EUR
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9000+0.032 EUR
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BSS138PW,115 NEXP-S-A0002881291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138PW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 320mA
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
auf Bestellung 23409 Stücke:
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367+0.68 EUR
642+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1343+0.15 EUR
1539+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138PW,115 NEXP-S-A0002881291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138PW,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS138PW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 830mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
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