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BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F Diodes Zetex

bss138q.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS138Q-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BSS138Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88D1DA6FEC8469&compId=BSS138-7-F.pdf?ci_sign=f870e1dfe5f0a5d32f0f2f8d6b638956e7b7ffff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
589+0.12 EUR
903+0.08 EUR
1076+0.07 EUR
1598+0.05 EUR
1755+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
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On-state resistance: 3.5Ω
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Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS138.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
115+0.15 EUR
215+0.08 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30144-3214779.pdf MOSFETs 50V N-Ch Enh FET 20Vgss 300Pd 200mA
auf Bestellung 20038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.27 EUR
18+0.17 EUR
100+0.09 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.06 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : DIODES INC. 2814349.pdf Description: DIODES INC. - BSS138Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : DIODES INC. 2814349.pdf Description: DIODES INC. - BSS138Q-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated BSS138.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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