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BSS138WAHZGT106

BSS138WAHZGT106 ROHM SEMICONDUCTOR

bss138wahzgt106-e.pdf
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 310mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 928 Stücke:
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Technische Details BSS138WAHZGT106 ROHM SEMICONDUCTOR

Description: ROHM - BSS138WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss138wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
453+0.38 EUR
476+0.35 EUR
713+0.23 EUR
729+0.21 EUR
955+0.15 EUR
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BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss138wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss138wahzgt106-e.pdf Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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30+0.71 EUR
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BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 ROHM Semiconductor bss138wahzgt106-e.pdf MOSFETs Nch 60V 310mA, SOT-323, Small Signal MOSFET for Automotive AEC-Q101.
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BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 ROHM 4316405.pdf Description: ROHM - BSS138WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
470+0.5 EUR
747+0.29 EUR
1003+0.21 EUR
1129+0.19 EUR
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BSS138WAHZGT106 BSS138WAHZGT106 Rohm Semiconductor bss138wahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT Automotive AEC-Q101
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
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Qualifikation: AEC-Q101
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