BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 280mA 3.5mΩ 500mW BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6327XTSA1 Infineon TBSS138w
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Technische Details BSS138WH6327XTSA1 Infineon
Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.
Weitere Produktangebote BSS138WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 |
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| BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вим Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| BSS138WH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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| BSS138WH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
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Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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| BSS138WH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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| BSS138WH6327XTSA1 |
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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| 1163+ | 0.11 EUR |
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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| 500+ | 0.37 EUR |
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| BSS138WH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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