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BSS138WH6327XTSA1

BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss138wrev2.43.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.058 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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2500+0.075 EUR
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10000+0.066 EUR
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1343+0.11 EUR
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2916+0.042 EUR
3096+0.038 EUR
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15000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1343
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864+0.17 EUR
1417+0.098 EUR
1734+0.077 EUR
1809+0.071 EUR
1920+0.065 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 864
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS138W_DS_v02_43_en-1226299.pdf MOSFETs N-Ch 60V 280mA SOT-323-3
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12+0.25 EUR
23+0.12 EUR
100+0.099 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
678+0.11 EUR
806+0.089 EUR
1241+0.058 EUR
1313+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
678+0.11 EUR
806+0.089 EUR
1241+0.058 EUR
1313+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 117547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+0.32 EUR
115+0.15 EUR
150+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss138wrev2.43.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 15385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 88400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f N-MOSFET 60V 280mA 3.5mΩ 500mW BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6327XTSA1 Infineon TBSS138w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1914 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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