Technische Details BSS138WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS138WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 3.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.
Weitere Produktangebote BSS138WH6327XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS138WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
 N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вимAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 17 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS138WH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 280 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 200 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,4 В @ 26 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 100 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 17 Stücke: