BSS138WT106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 35+ | 0.51 EUR |
| 57+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.13 EUR |
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Technische Details BSS138WT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 310mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSS138WT106 nach Preis ab 1.13 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 1080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS138WT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 2.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin UMT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 310mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138WT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs UMT3M C-CH 60V 310MA |
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