BSS139H6327 Infineon
Produktcode: 82516
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,03 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/2,3
Bemerkung: N-Kanal-FETs (JFET)
Montage: SMD
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Weitere Produktangebote BSS139H6327 nach Preis ab 0.49 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSS139 H6327 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 10940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS139 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Technology: SIPMOS™ Application: automotive industry |
auf Bestellung 10940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 203 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS139H6327 | Infineon technologies |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS139 H6327 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 263+ | 0.67 EUR |
| 274+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.56 EUR |
| 2500+ | 0.54 EUR |
| 5000+ | 0.51 EUR |
| 10000+ | 0.49 EUR |
| BSS139 H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
auf Bestellung 10940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS139H6327 |
Hersteller: Infineon technologies
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)