| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 1.59 EUR |
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Technische Details BSS139H6906XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5, Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS139H6906XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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BSS139H6906XTSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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BSS139H6906XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm |
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BSS139H6906XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm |
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| BSS139H6906XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| BSS139H6906XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| BSS139H6906XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
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