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Technische Details BSS139IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm.
Weitere Produktangebote BSS139IXUSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
 SMALL SIGNAL MOSFETS |
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSS139IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSS139IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
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| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
N-channel depletion-mode small signal transistor |
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BSS139IXUSA1 | Infineon Technologies |
N-channel depletion-mode small signal transistor |
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| BSS139IXUSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SMALL SIGNAL MOSFETS
SMALL SIGNAL MOSFETS
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| BSS139IXUSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
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| BSS139IXUSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Description: INFINEON - BSS139IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| BSS139IXUSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
N-channel depletion-mode small signal transistor
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| BSS139IXUSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
N-channel depletion-mode small signal transistor
N-channel depletion-mode small signal transistor
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