BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 269+ | 0.54 EUR |
| 422+ | 0.34 EUR |
| 558+ | 0.25 EUR |
| 1000+ | 0.22 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
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Technische Details BSS169H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm.
Weitere Produktangebote BSS169H6327XTSA1 nach Preis ab 0.16 EUR bis 1.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ |
auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS169H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm |
auf Bestellung 52316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSS169H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm |
auf Bestellung 52316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS169H6327XTSA1 | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 2030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 122+ | 0.59 EUR |
| 165+ | 0.43 EUR |
| 240+ | 0.3 EUR |
| 285+ | 0.25 EUR |
| 350+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.18 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 1.11 EUR |
| 26+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.65 EUR |
| 10+ | 1.14 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 3000+ | 0.29 EUR |
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
auf Bestellung 52316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
Description: INFINEON - BSS169H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
auf Bestellung 52316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS169H6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)