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BSS169IXTSA1

BSS169IXTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details BSS169IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss169idatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3685 Stücke:
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569+0.3 EUR
741+0.23 EUR
778+0.2 EUR
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BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
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BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 INFINEON 3208408.pdf Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 190mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2670 Stücke:
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BSS169IXTSA1 BSS169IXTSA1 INFINEON Infineon-BSS169I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a42ad9911d52 Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 360mW
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Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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BSS169IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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432+0.54 EUR
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