BSS169IXUSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS169IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm.
Weitere Produktangebote BSS169IXUSA1 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| BSS169IXUSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS169IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 5780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS169IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm |
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| BSS169IXUSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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| BSS169IXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 274+ | 0.92 EUR |
| 388+ | 0.6 EUR |
| 654+ | 0.33 EUR |
| 885+ | 0.24 EUR |
| 1042+ | 0.2 EUR |
| 5000+ | 0.18 EUR |
| BSS169IXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.9ohm
Description: INFINEON - BSS169IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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