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BSS192,115

BSS192,115 Nexperia

bss192.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BSS192,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS192,115 BSS192,115 Nexperia bss192.pdf Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA BSS192.pdf Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSS192,115 BSS192,115 Nexperia BSS192.pdf MOSFETs SOT89 200V 200A
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BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13064 Stücke:
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165+1.52 EUR
221+1.06 EUR
259+0.83 EUR
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BSS192,115 BSS192,115 Nexperia USA Inc. BSS192.pdf Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 792 Stücke:
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BSS192,115 BSS192,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059961-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSS192,115
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MOSFETs SOT89 200V 200A
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AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.89 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS192,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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50+0.79 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSS192,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSS192,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
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