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BSS205NH6327XTSA1

BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss205n_rev2.4.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss205n_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss205n_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
288+0.25 EUR
357+0.20 EUR
421+0.17 EUR
502+0.14 EUR
910+0.08 EUR
962+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
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502+0.14 EUR
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962+0.07 EUR
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
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Mindestbestellmenge: 28
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS205N_DS_v02_04_en-1731229.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
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9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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