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BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies


bss205n_rev2.4.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3000+0.12 EUR
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Technische Details BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss205n_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 102000 Stücke:
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon TBSS205n_INFINEON_0001.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 5277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.46 EUR
220+0.39 EUR
253+0.33 EUR
374+0.23 EUR
443+0.19 EUR
633+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.49 EUR
1087+0.2 EUR
1110+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062 Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
54+0.39 EUR
123+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS205N_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
auf Bestellung 22929 Stücke:
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5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.9 EUR
474+0.49 EUR
1087+0.2 EUR
1110+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 bss205n_rev2.4.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.099 EUR
9000+0.087 EUR
24000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n_INFINEON_0001.pdf
Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS205NH6327XTSA1; BSS205N; PT2302B; BSS205NH6327XTSA1 TBSS205n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
200+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 85mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 5277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
186+0.46 EUR
220+0.39 EUR
253+0.33 EUR
374+0.23 EUR
443+0.19 EUR
633+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
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BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.49 EUR
1087+0.2 EUR
1110+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 BSS205N_Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131091244950062
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 24184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
54+0.39 EUR
123+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 Infineon_BSS205N_DS_v02_04_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3
auf Bestellung 22929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS205NH6327XTSA1 INFNS15441-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5775 Stücke:
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277+0.9 EUR
474+0.49 EUR
1087+0.2 EUR
1110+0.19 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
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