BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSS205NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.75 EUR
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 419 pF @ 10 V |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 20V 2.5A SOT-23-3 |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS205NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS205NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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