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BSS214NH6327XTSA1

BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss214n_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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150000+0.07 EUR
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
173+0.41 EUR
264+0.27 EUR
429+0.17 EUR
484+0.15 EUR
832+0.09 EUR
881+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS214N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f6860601311828a70444e9 Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 38
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS214N_DS_v02_03_en-1731206.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-23-3
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9000+0.09 EUR
45000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15442-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS214NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss214n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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