
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Anzahl | Preis |
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6000+ | 0.05 EUR |
9000+ | 0.048 EUR |
24000+ | 0.045 EUR |
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Technische Details BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS214NWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 108528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT323 |
auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT323 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2161 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 109749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 55405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 197700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS214NWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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