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BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss223pw_rev1.5.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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1829+0.095 EUR
1846+0.093 EUR
2507+0.067 EUR
3106+0.052 EUR
3461+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.098 EUR
30000+0.093 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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773+0.23 EUR
1154+0.14 EUR
1829+0.084 EUR
1846+0.081 EUR
2507+0.057 EUR
3106+0.044 EUR
3461+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 1095 Stücke:
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264+0.32 EUR
388+0.21 EUR
561+0.15 EUR
659+0.13 EUR
807+0.11 EUR
935+0.092 EUR
1053+0.081 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
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8+0.43 EUR
14+0.25 EUR
100+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 43478 Stücke:
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500+0.56 EUR
770+0.3 EUR
1363+0.15 EUR
1734+0.12 EUR
7500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 53586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
381+0.65 EUR
642+0.36 EUR
1070+0.2 EUR
1656+0.13 EUR
7500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
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7+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 bss223pw_rev1.5.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4367+0.039 EUR
5748+0.03 EUR
6000+0.027 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12658 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1829+0.095 EUR
1846+0.093 EUR
2507+0.067 EUR
3106+0.052 EUR
3461+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1829 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
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21000+0.098 EUR
30000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 bss223pw_rev1.5.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 33782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1222+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1222 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 bss223pw_rev1.5.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
773+0.23 EUR
1154+0.14 EUR
1829+0.084 EUR
1846+0.081 EUR
2507+0.057 EUR
3106+0.044 EUR
3461+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 773 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -0.39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
264+0.32 EUR
388+0.21 EUR
561+0.15 EUR
659+0.13 EUR
807+0.11 EUR
935+0.092 EUR
1053+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.43 EUR
14+0.25 EUR
100+0.13 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 43478 Stücke:
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500+0.56 EUR
770+0.3 EUR
1363+0.15 EUR
1734+0.12 EUR
7500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 53586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
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1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 39983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
381+0.65 EUR
642+0.36 EUR
1070+0.2 EUR
1656+0.13 EUR
7500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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