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BSS223PWH6327XTSA1

BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss223pw_rev1.5.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

Weitere Produktangebote BSS223PWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.026 EUR bis 0.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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1846+0.092 EUR
2507+0.067 EUR
3106+0.052 EUR
3461+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1829 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss223pw_rev1.5.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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773+0.23 EUR
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1171+0.13 EUR
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1846+0.08 EUR
2507+0.056 EUR
3106+0.044 EUR
3461+0.039 EUR
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Mindestbestellmenge: 773 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1095 Stücke:
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264+0.32 EUR
388+0.21 EUR
561+0.15 EUR
659+0.13 EUR
807+0.11 EUR
935+0.092 EUR
1053+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 43478 Stücke:
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500+0.56 EUR
770+0.3 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
auf Bestellung 25491 Stücke:
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6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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782+0.3 EUR
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7500+0.11 EUR
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BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 66000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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1829+0.094 EUR
1846+0.092 EUR
2507+0.067 EUR
3106+0.052 EUR
3461+0.046 EUR
6000+0.04 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 33782 Stücke:
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Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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2507+0.056 EUR
3106+0.044 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1095 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
264+0.32 EUR
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659+0.13 EUR
807+0.11 EUR
935+0.092 EUR
1053+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 43478 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
770+0.3 EUR
1363+0.15 EUR
1734+0.12 EUR
7500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 Infineon_BSS223PW_DS_v01_05_en.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -390mA SOT-323-3
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AnzahlPrivatkunde
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100+0.24 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 390MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1950 Stücke:
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34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
78+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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BSS223PWH6327XTSA1 INFNS17242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS223PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 28131 Stücke:
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782+0.3 EUR
918+0.24 EUR
1374+0.15 EUR
7500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon-BSS223PW-DS-v01_05-en.pdf?fileId=db3a3043321e49940132481523b6245f
BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PW P-CH, MOSFET, Uds=20V, Id=390mA, SOT-323 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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7+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH