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BSS314PEH6327XTSA1

BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSS314PEH6327XTSA1 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon info-tbss314pe.pdf P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS314PE-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS314PEH6327XTSA1 NXP/Nexperia/We-En infineon-bss314pe-datasheet-en.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
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verfügbar 211 Stücke:
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Hersteller: Infineon
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
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