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BSS314PEH6327XTSA1

BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1278000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1278000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.081 EUR
21000+0.071 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25800 Stücke:
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1244+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4218 Stücke:
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926+0.19 EUR
1296+0.13 EUR
1931+0.082 EUR
1946+0.079 EUR
2050+0.071 EUR
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Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+0.15 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28744 Stücke:
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445+0.56 EUR
658+0.36 EUR
981+0.21 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.14 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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658+0.36 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 73414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
55+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS314PE-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 59045 Stücke:
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4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13361 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS314PEH6327XTSA1 NXP/Nexperia/We-En infineon-bss314pe-datasheet-en.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 211 Stücke:
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BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1278000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.083 EUR
21000+0.075 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1278000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.081 EUR
21000+0.071 EUR
30000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1244+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1244 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
926+0.19 EUR
1296+0.13 EUR
1931+0.082 EUR
1946+0.079 EUR
2050+0.071 EUR
2093+0.067 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 926 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.56 EUR
658+0.36 EUR
981+0.21 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 INFNS19483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 28744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
445+0.56 EUR
658+0.36 EUR
981+0.21 EUR
1087+0.2 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 73414 Stücke:
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40+0.54 EUR
55+0.38 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 59045 Stücke:
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100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf
BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13361 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS314PEH6327XTSA1 infineon-bss314pe-datasheet-en.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 294, Qg, нКл = 2,9, Rds = 140 мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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