BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 45000+ | 0.071 EUR |
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Technische Details BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS314PEH6327XTSA1 nach Preis ab 0.068 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.5W |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 |
auf Bestellung 310061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS314PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.107 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS314PEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2215 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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