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BSS315PH6327XTSA1

BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
Produktcode: 118761
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.099 EUR
21000+0.096 EUR
30000+0.093 EUR
75000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 75509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
45+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 33380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPreis
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500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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AnzahlPreis
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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