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BSS315PH6327XTSA1

BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss315p_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en-3360682.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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6000+0.11 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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182+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 90
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928B72959EF1CC&compId=BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=3b9e4079beb04d77d42e57113c3843de47ba2f65 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 1849734.html Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 1849734.html Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1
Produktcode: 118761
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