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BSS315PH6327XTSA1

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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883+0.19 EUR
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6000+0.098 EUR
9000+0.093 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
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162+0.52 EUR
196+0.44 EUR
223+0.38 EUR
379+0.23 EUR
468+0.18 EUR
544+0.15 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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6000+0.082 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 75509 Stücke:
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28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
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1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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439+0.52 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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3000+0.2 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON 1849734.html Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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255+0.99 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSS315PH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14060 Stücke:
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
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1073+0.15 EUR
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6000+0.098 EUR
9000+0.093 EUR
15000+0.088 EUR
30000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 659 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26650 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 541 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
Drain current: -1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
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3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
249+0.7 EUR
471+0.36 EUR
659+0.25 EUR
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1073+0.14 EUR
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9000+0.08 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 75509 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
100+0.3 EUR
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1000+0.18 EUR
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BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 33380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
272+0.92 EUR
439+0.52 EUR
695+0.31 EUR
1153+0.19 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 272 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 9495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.95 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS315PH6327XTSA1 1849734.html
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.113 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 25485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
255+0.99 EUR
477+0.49 EUR
663+0.32 EUR
1053+0.2 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH