BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS316NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.29 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3 |
auf Bestellung 157587 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 546000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS316NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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BSS316NH6327XTSA1 Produktcode: 210395
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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