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BSS316NH6327XTSA1

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Produktcode: 210395
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.055 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.28Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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455+0.16 EUR
658+0.11 EUR
860+0.083 EUR
960+0.075 EUR
1102+0.065 EUR
1334+0.054 EUR
1409+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.28Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS316N-DS-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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118+0.15 EUR
191+0.092 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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