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BSS316NH6327XTSA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
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3000+0.064 EUR
6000+0.056 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.098 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon info-tbss316n.pdf N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.15 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon info-tbss316n.pdf N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 7626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
439+0.19 EUR
701+0.12 EUR
810+0.1 EUR
901+0.094 EUR
1007+0.084 EUR
3000+0.073 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.45 EUR
1034+0.23 EUR
1670+0.13 EUR
1758+0.12 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12555 Stücke:
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556+0.45 EUR
1034+0.23 EUR
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1758+0.12 EUR
5000+0.086 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS316N_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
auf Bestellung 8889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
11+0.32 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 248674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4 Stücke:
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.064 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.054 EUR
15000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2156+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 2156 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
21000+0.1 EUR
30000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 info-tbss316n.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 485 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 info-tbss316n.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
auf Bestellung 7626 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
334+0.25 EUR
439+0.19 EUR
701+0.12 EUR
810+0.1 EUR
901+0.094 EUR
1007+0.084 EUR
3000+0.073 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.45 EUR
1034+0.23 EUR
1670+0.13 EUR
1758+0.12 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12555 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
556+0.45 EUR
1034+0.23 EUR
1670+0.13 EUR
1758+0.12 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 Infineon_BSS316N_DS_v02_03_EN.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
auf Bestellung 8889 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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11+0.32 EUR
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500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 248674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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10nF 50V X7R 5% C1206 4k/reel (C1206B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 16018
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 5% C1206 4k/reel (C1206B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3K3R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4590
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RC_series.pdf
3,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3K3R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3,3 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Produktcode: 22143
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Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 240 St.
  • 240 St. - stock Köln
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
220nF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B224KBFNNNE - Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 26324
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
220nF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B224KBFNNNE - Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 220 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
erwartet: 4000 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX384-C5V1
Produktcode: 26550
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BZX384.pdf
BZX384-C5V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-323
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,3 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH