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BSS316NH6327XTSA1

BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234000 Stücke:
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS316N_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 34848 Stücke:
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569+0.4 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
auf Bestellung 4798 Stücke:
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234000 Stücke:
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BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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1000+0.18 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 34848 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
569+0.4 EUR
663+0.32 EUR
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5000+0.14 EUR
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BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 32153 Stücke:
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238+1.05 EUR
569+0.4 EUR
663+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
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10nF 50V X7R 5% C1206 4k/reel (C1206B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 16018
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X7R_X5R.pdf
10nF 50V X7R 5% C1206 4k/reel (C1206B103J500NT-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±5% J
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
20+0.071 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.043 EUR
10000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 20 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3K3R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4590
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
3,3 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3K3R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 3,3 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
auf Bestellung: 8990 St.
  • 8990 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Produktcode: 22143
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Sicherung 5x20mm 1A 250V (GT1-4602A-1A/250V)
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Kurzbeschreibung: Sicherung Schmelz, in Glas, 1A 250V 5x20mm F
Nennstrom: 1 A
Größe: 5x20 mm
Bauform: Ohne Anschlüsse
Gehäusematerial: Glas
Nennspannung: 250 VAC
Auslöseverhalten: Flink
verfügbar: 240 St.
  • 240 St. - stock Köln
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 14.01.2027
auf Bestellung: 1866 St.
  • 1866 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
19+0.063 EUR
100+0.046 EUR
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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220nF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B224KBFNNNE - Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 26324
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
220nF 50V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B224KBFNNNE - Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 220 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 4226 St.
  • 4226 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+0.071 EUR
100+0.037 EUR
1000+0.031 EUR
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BZX384-C5V1
Produktcode: 26550
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BZX384-C5V1
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-323
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 5 mA
Verlustleistung Pd, W: 0,3 W
Montage: SMD
Temperaturkoeffizient: -0,8 mV/K
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