Technische Details BSS63AT116 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 mW.
Weitere Produktangebote BSS63AT116 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R |
auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63AT116 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor |
auf Bestellung 7350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSS63AT116 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS63AT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1249+ | 0.14 EUR |
| 1291+ | 0.13 EUR |
| BSS63AT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 538+ | 0.32 EUR |
| 869+ | 0.2 EUR |
| 1187+ | 0.14 EUR |
| 1357+ | 0.12 EUR |
| BSS63AT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1132+ | 0.32 EUR |
| BSS63AT116 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.61 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
| BSS63AT116 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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