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BSS63AT116

BSS63AT116 Rohm Semiconductor

bss63at116-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS63AT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 200 mW.

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BSS63AT116 BSS63AT116 Hersteller : Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63AT116 BSS63AT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
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BSS63AT116 BSS63AT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
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BSS63AT116 BSS63AT116 Hersteller : Rohm Semiconductor bss63at116-e.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63AT116 BSS63AT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS63A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
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