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BSS63LT1G

BSS63LT1G ON Semiconductor

bss63lt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS63LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 95MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786885DC3B0B0E745&compId=BSS63LT1G.PDF?ci_sign=975c3f560c0f933d312d8bb0653e6e8a9c231a8b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
582+0.12 EUR
705+0.1 EUR
1069+0.067 EUR
1273+0.056 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE786885DC3B0B0E745&compId=BSS63LT1G.PDF?ci_sign=975c3f560c0f933d312d8bb0653e6e8a9c231a8b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
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705+0.1 EUR
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1273+0.056 EUR
2025+0.035 EUR
2137+0.033 EUR
3000+0.032 EUR
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : onsemi BSS63LT1_D-1802944.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
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3000+0.042 EUR
6000+0.04 EUR
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Produktcode: 173698
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 20296 Stücke:
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98+0.18 EUR
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1000+0.072 EUR
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9800 Stücke:
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS63LT1G BSS63LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss63lt1-d.pdf Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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BSS63LT1G Hersteller : ONS bss63lt1-d.pdf Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
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