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Weitere Produktangebote BSS63LT1G nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 95MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Current gain: 30 Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 3345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 1069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS63LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP |
auf Bestellung 13933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 6605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3691+ | 0.048 EUR |
| 6000+ | 0.043 EUR |
| 9000+ | 0.03 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6025+ | 0.029 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16854+ | 0.039 EUR |
| BSS63LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16854+ | 0.039 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3788+ | 0.046 EUR |
| 9000+ | 0.04 EUR |
| 27000+ | 0.039 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3677+ | 0.048 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3155+ | 0.055 EUR |
| 9000+ | 0.052 EUR |
| 27000+ | 0.048 EUR |
| BSS63LT1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.1 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1361+ | 0.13 EUR |
| 2294+ | 0.073 EUR |
| 3664+ | 0.044 EUR |
| 4652+ | 0.033 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 417+ | 0.2 EUR |
| 625+ | 0.13 EUR |
| 893+ | 0.095 EUR |
| 1051+ | 0.081 EUR |
| 1568+ | 0.055 EUR |
| 1819+ | 0.046 EUR |
| 3000+ | 0.04 EUR |
| BSS63LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 0.33 EUR |
| 103+ | 0.2 EUR |
| 166+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.092 EUR |
| 1000+ | 0.081 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 13933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.35 EUR |
| 17+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.094 EUR |
| 1000+ | 0.083 EUR |
| 3000+ | 0.082 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 479+ | 0.52 EUR |
| 794+ | 0.3 EUR |
| 1299+ | 0.17 EUR |
| 1815+ | 0.12 EUR |
| 2062+ | 0.1 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 479+ | 0.52 EUR |
| 794+ | 0.3 EUR |
| 1299+ | 0.17 EUR |
| 1815+ | 0.12 EUR |
| 2062+ | 0.1 EUR |
| BSS63LT1G |
![]() |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






