Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| BSS 131 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 166S | White-Rodgers | Heat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 16 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 306S | White-Rodgers | Heat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 307S | White-Rodgers | Heat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 7/8" X 7/8" ODF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 309S | White-Rodgers | Heat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 1-1/8" X 1-1/8"ODF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 79C | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS 98 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-C-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-025-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tray Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-025-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A-TR | SAMTEC | Category: Board-to-board connectors Description: BSS-025-01-F-D-A-TR | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS-025-01-F-D-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tray Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-025-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-050-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-050-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 100 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 100 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 150 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-C-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-LC | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-EM2-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-LC-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-F-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-L-D-LC | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-23 | ABB | Scheuerschutzmuffe,NW23,sw | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-36 | ABB Installation Products | Cable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW36 BLK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-4 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-5 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-56G | ABB Installation Products | Cable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW56 BLK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-7 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-8 | Essentra | Other Tools | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS-L050-001 | Isabellenhuette USA | Description: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT Power (Watts): 30W Tolerance: ±5% Packaging: Tray Temperature Coefficient: ±75ppm/°C Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch Composition: Metal Element Type: Shunt, Battery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: Automotive AEC-Q200 Resistance: 50 µOhms | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS-L100-001 | Isabellenhuette USA | Description: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT Power (Watts): 20W Tolerance: ±5% Packaging: Tray Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch Type: Current Sensor Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: Automotive AEC-Q200 Resistance: 100 µOhms | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS010A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS010A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | auf Bestellung 12496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS015A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | auf Bestellung 10058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS015A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | auf Bestellung 6735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS05-12 | VARCO | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS10 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS100 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS100 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS100 | INFINEON | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS101 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS11 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS110 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS110 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS110 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 | infineon | sot-23 09+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 | infineon | 03/04+ SOT23 | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 E6327 | INFINEON | sSh/23 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 86725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119 L7796 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119 L7978 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | auf Bestellung 86725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 36194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119N H6327 | Infineon | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS119N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119N H7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 Produktcode: 118883
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors | auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 52407 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 504000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS119NH7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH7796 | Infineon Technologies | BSS119NH7796 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH7796 | Infineon Technologies | BSS119NH7796 | auf Bestellung 8803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | BSS119NH7978XTSA1 | auf Bestellung 14450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS12 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2253000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | YFW | Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | onsemi | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | auf Bestellung 107129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 147000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2253000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | Fairchild | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 11990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2713 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | auf Bestellung 360071 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - MOSFET, N-KANAL, 100V, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 496863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123 Produktcode: 207526
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123 0.323MM | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123 L7874 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP Semiconductors | N-кан. MOSFET SOT-23 | auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2457000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 633000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 288000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123,215 | Nexperia | MOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2457000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 25506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | auf Bestellung 8969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 297100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | auf Bestellung 36806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 14066 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 266257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F Produktcode: 148378
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 296900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.17A, SOT23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 266257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2044 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 14066 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | BSS Family SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-E6327 Produktcode: 98887
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Lieblingsprodukt
| Siemens | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.17 Rds(on), Ohm: 6 Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78 JHGF: SMD | auf Bestellung 504 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BSS123-F169 | onsemi | onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 38958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-G | onsemi | MOSFET FET 100V 6.0 MOHM | auf Bestellung 11044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-ML | MOSLEADER | Description: 0.35W 100V 0.17A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-R1-00001 | Panjit | MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-R2-00001 | Panjit | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 31838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 13015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 6629 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123.215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123.215 Produktcode: 49331
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.15 Rds(on), Ohm: 6 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123A | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123ATC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 271mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | auf Bestellung 294000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 10664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 88583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2756 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4309910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 3457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 350mW; SOT23; SMT Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 29785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 29785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 14568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123KHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | BSS123KHE3-TP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.17A, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 73313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 73313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | auf Bestellung 68279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 17432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | MOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | auf Bestellung 594185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 17432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1617 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123L7874XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LG | onsemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT | onsemi | NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | ON | SOT23 | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | ON | auf Bestellung 3260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 343161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G Produktcode: 42430
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| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.17 Ciss, pF/Qg, nC: 20/ JHGF: SMD | verfügbar 1142 Stück: 115 Stück - stock Köln1027 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5001 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3522 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2775000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 343161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2775000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 690000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | auf Bestellung 122116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123LT1G | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 13430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123LT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | auf Bestellung 24496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | auf Bestellung 9530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123M-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 579302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123N H6327 | Infineon | auf Bestellung 546000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 6646 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 114140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 25192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 41457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.19A, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 114140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 101501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 150999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8574 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 20876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 20876 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6327XTSA1 Produktcode: 198093
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| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 24194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 9813 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 410000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 9813 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 1373999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 Produktcode: 190235
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| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 410000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 114634 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 7480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | auf Bestellung 9185 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 18430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 5357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | Comchip Technology | 100 V, N Channel MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123T-HF | Comchip Technology | MOSFETs 100V 0.19A SOT-23 | auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | auf Bestellung 45925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 25452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2881 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 12819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | YY | 100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 6494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 2820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 200mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 200mW | auf Bestellung 15796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 146849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 145450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123W-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel Mosfets | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | auf Bestellung 17269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123_R1_00001 | PanJit | BSS123_R1_00001 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 1.8nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS123_R1_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | auf Bestellung 1438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 1.8nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS123_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS124 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS125 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS125 Produktcode: 51591
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 600 Idd,A: 01.01.2000 Rds(on), Ohm: 45 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS125 | CSE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS126 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 8159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126 H6327 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS126 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 7764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126 H6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126 L6906 | Infineon Technologies | GaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126 Transistor Produktcode: 61604
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS126H Produktcode: 113030
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS126H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion | auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 309000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 61329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 21MA, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2446 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 309000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 30224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 34830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 44660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 44082 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 34830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 7508 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 3589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS126L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 | N/A | SOT-23 05+ | auf Bestellung 208500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 Produktcode: 40606
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS127 | Rectron USA | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 44831 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3320 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 9627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127H6327XTSA2 | Infineon | N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 5935 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 56650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 14491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 4338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA | auf Bestellung 15170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2062 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 5827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127S-7-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7-50 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 2424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K | auf Bestellung 2773 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS129 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS129 | SIEMENS | SMD | auf Bestellung 101000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS129 | PHI | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS13 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS131 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131 | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131 | Infineon Technologies | МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131 (SOT-23) Produktcode: 33823
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS131 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 13933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327 Produktcode: 122768
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 240 V Idd,A: 0,11 A Rds(on), Ohm: 14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1 JHGF: SMD | auf Bestellung 260 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 14332 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 14749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 243000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 243000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 60604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 32699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 669000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Small-Signal Power-Transistor | auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS134N | INFINEON | SOT-23 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS135 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS135 Produktcode: 77919
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 43242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 6425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 140953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | SOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150 | auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1974000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | YFW | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFW Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 Produktcode: 144172
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| YJ | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 891000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 | REALCHIP | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 43242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON-Semiconductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | Good-Ark Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | auf Bestellung 588000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | auf Bestellung 206193 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 140953 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | Good-Ark | Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | On Semiconductor/Fairchild | SOT-223, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=220mA, -55...+150 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2436000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 50V; 0.272A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.272A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2475000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 5215 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | MDD(Microdiode Electronics) | 50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDD | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 855622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | auf Bestellung 711000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 6425 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1974000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 Produktcode: 197212
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| UMW | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD | auf Bestellung 13482 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 897092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 Produktcode: 26318
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| CET | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 Idd,A: 0.22 Rds(on), Ohm: 03.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 42/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS138 (CJ, SOT-23) Produktcode: 186257
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| CJ | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ JHGF: SMD | auf Bestellung 2679 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 6000 Stück: 6000 Stück - erwartet 06.03.2026 | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 (Diodes, SOT-23) Produktcode: 125280
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| Diodes | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 (ON, SOT-23) Produktcode: 161156
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| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 25393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138 SOT23 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138 SS | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138"SS" | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138(G9-49) | NS | 2000 | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138(SS) | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 710000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 280000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 1024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 180000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 460000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family | auf Bestellung 627933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 7129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 190000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F-W | Diodes Incorporated | BSS Family SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components | BSS138-13P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 360mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2118000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 11860 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 300mW 50V DSS | auf Bestellung 6025 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3573000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 213679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 447130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2118000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 12296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 738000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3573000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 447130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 12296 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 213679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Multicomp | BSS138-7-F | auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1082 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 729000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 297000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Inc | BSS Family SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-52 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-W | Diodes Incorporated | BSS Family SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 3274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-AU-R2-000A1 | Panjit | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-E6327 | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR | auf Bestellung 5297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F169 | onsemi | Description: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 13430 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | onsemi | MOSFETs FET 50V 3.5 OHM | auf Bestellung 1155390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | onsemi | Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 25327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1084 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-G | onsemi | Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | Comchip Technology | MOSFETs 50V 0.22A SOT-23 | auf Bestellung 30989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-G | ON Semiconductor | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-HF | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-HF | Comchip Technology | MOSFETs MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-ML | MOSLEADER | Description: 0.35W 50V 0.22A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-NL | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS138-R1-00001 | Panjit | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-R2-00001 | Panjit | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-SB9G001 | ON Semiconductor | BSS 138 SOT23 FSC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 24876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 264000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components Corp. | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 25745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 438000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1173000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 165031 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 657000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 438000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 53418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP | MCC Corp. | SOT-23, N-channe MOSFET | auf Bestellung 1640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 165031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 177000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components Corp. | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138-TP Produktcode: 189195
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 25745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2028000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3409000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 264000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138/SS | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS138A J1 | HT SEMI | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BSS138PW; BSS138A SOT323 HT SEMI TBSS138pw HTSEMI Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1860000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 620mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 14110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138A-TP | Micro Commercial Components Corp. | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | auf Bestellung 8624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 620mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 14110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 11840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 8624 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138A-TP-HF | Micro Commercial Components | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138A-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel Mosfets | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 620mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 620mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs 50Vds 20Vgs N-Ch FET | auf Bestellung 4198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AK-QR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AK-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AK-QR | NEXPERIA | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AK-QR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .25A | auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AK-QR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AK-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKA | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKA/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 60V .2A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 6557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR | auf Bestellung 5738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKDW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKDW-TPQ2 | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TPQ2 | Micro Commercial Components | BSS138AKDW-TPQ2 | auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKDW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKDWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET | auf Bestellung 2168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS138AKDWHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |