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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BSS 166SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 16 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 306SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 307SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 7/8" X 7/8" ODF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 309SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 1-1/8" X 1-1/8"ODF
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-C-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
90+3.45 EUR
180+2.94 EUR
540+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tray
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
90+3.66 EUR
180+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tray
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
10+4.26 EUR
25+4 EUR
50+3.8 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
100+3.96 EUR
250+3.77 EUR
475+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.51 EUR
10+15.79 EUR
112+13.25 EUR
280+11.21 EUR
504+10.56 EUR
1008+9.82 EUR
2520+9.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
10+5.6 EUR
25+5.25 EUR
50+5 EUR
100+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.08 EUR
10+15.79 EUR
112+14.38 EUR
280+12.71 EUR
504+11.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 150
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-C-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-EM2-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-LC-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-DSamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-F-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-L-D-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-36ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW36 BLK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-4EssentraEssentra
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-5EssentraEssentra
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-56GABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW56 BLK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-7EssentraEssentra
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-8EssentraOther Tools
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-L050-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Power (Watts): 30W
Tolerance: ±5%
Packaging: Tray
Temperature Coefficient: ±75ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Composition: Metal Element
Type: Shunt, Battery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.69 EUR
10+32.74 EUR
25+29.24 EUR
60+26.53 EUR
120+24.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-L100-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Packaging: Tray
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Type: Current Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 100 µOhms
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+158.72 EUR
10+104.95 EUR
25+100.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS010AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper
auf Bestellung 12496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
42+0.43 EUR
50+0.35 EUR
53+0.33 EUR
56+0.32 EUR
100+0.28 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS010AEssentraBumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS015AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+0.65 EUR
29+0.61 EUR
32+0.56 EUR
50+0.52 EUR
100+0.49 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS015AEssentraBumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
auf Bestellung 10058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS05-12VARCO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS10PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS101INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS11PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119infineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6327INFINEONsSh/23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6433Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon Technologies
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3551+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3551
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 10000 Stücke:
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7110+0.076 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 8803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7110+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 7110
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мA, 10 В, Ugs(th) = 2,3 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
607+0.24 EUR
969+0.14 EUR
1265+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 607
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.068 EUR
21000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,6, Rds = 6 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
68+0.26 EUR
108+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1
Produktcode: 118883
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 7453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
11+0.27 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
334+0.21 EUR
496+0.14 EUR
589+0.12 EUR
794+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.059 EUR
2519+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 2445
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-Channel 100V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 6918
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2667
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
auf Bestellung 14450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2667+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2667
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2597
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS12PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7693+0.019 EUR
60000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 7693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Analog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
30+0.59 EUR
100+0.33 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 467216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123YFWTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 6808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
55+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123
Produktcode: 220789
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Rds(on), Ohm: 6 Ohm
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Microdiode Electronics (MDD)BSS123
auf Bestellung 2286000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.028 EUR
1146000+0.024 EUR
1719000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123MDD(Microdiode Electronics)Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Yangzhou Yangjie ElectronicN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1275+0.056 EUR
2850+0.025 EUR
3150+0.023 EUR
3550+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1275
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1836000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4785+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 394642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 11990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONS/FAIN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
139+0.13 EUR
226+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 6808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
12000+0.1 EUR
27000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123CHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 5054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
132+0.13 EUR
215+0.082 EUR
500+0.059 EUR
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25, Qg, нКл = 2,5 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од.
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.032 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1836000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4785+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123REALCHIPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SOT23 RealChip TBSS123 REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
129+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 467216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123InfineonN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.29 EUR
725+0.099 EUR
942+0.076 EUR
1185+0.06 EUR
1359+0.053 EUR
1500+0.049 EUR
3000+0.044 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BSS123
Produktcode: 207526
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS123 0.323MMJUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSS123 E6433Infineon Technologies
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BSS123 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS123 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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BSS123 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS123 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS123 L7874Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
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BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215NXPN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
18000+0.052 EUR
27000+0.047 EUR
36000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2457000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3165+0.046 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150 мА, Ptot, Вт = 0,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 25, Rds = 6 Ом @ 120 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 50777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
807+0.089 EUR
1038+0.069 EUR
1397+0.051 EUR
1558+0.046 EUR
3000+0.042 EUR
15000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123,215NexperiaMOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2457000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3175+0.046 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13158+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.088 EUR
20000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodesN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V 360mW
auf Bestellung 67579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 230965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F
Produktcode: 148378
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 46449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
129+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 738000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.031 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 79607 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
820+0.087 EUR
1629+0.044 EUR
2067+0.035 EUR
2193+0.033 EUR
3000+0.03 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 46409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
6000+0.066 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.057 EUR
21000+0.055 EUR
30000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 230965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 738000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.031 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123-7-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123-AU-R1-000A1PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-E6327
Produktcode: 98887
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SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Rds(on), Ohm: 6
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
JHGF: SMD
auf Bestellung 251 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet
1+0.034 EUR
10+0.028 EUR
100+0.025 EUR
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BSS123-F169onsemionsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
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BSS123-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiMOSFET FET 100V 6.0 MOHM
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.17 EUR
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 100V 0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+0.095 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.066 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.059 EUR
30000+0.055 EUR
75000+0.05 EUR
150000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BSS123-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 100V .17A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 54965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
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BSS123-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 26978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.33 EUR
88+0.2 EUR
143+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 54965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.051 EUR
21000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123.215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123.215
Produktcode: 49331
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.15
Rds(on), Ohm: 6
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123AZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123DWS-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123DWS-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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BSS123DWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
Power - Max: 271mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
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BSS123E-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523
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BSS123E-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V
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BSS123E6327
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS123E6327Infineon Technologies
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BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS123IXTMA1Infineon TechnologiesDescription: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.042 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 15966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.074 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.2 EUR
1178+0.12 EUR
1619+0.083 EUR
1894+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 715
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.042 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 22331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
79+0.22 EUR
127+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 88583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11674+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11674
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.043 EUR
24000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.058 EUR
21000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 312000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+0.057 EUR
9000+0.043 EUR
24000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4285910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11674+0.046 EUR
100000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 11674
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 3009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.2 EUR
100+0.76 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 14158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
87+0.2 EUR
139+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3598+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3598+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3598
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiMOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23
auf Bestellung 291161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
12+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
552+0.26 EUR
554+0.25 EUR
555+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 552
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 67327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3585+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 10625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
72+0.24 EUR
116+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 44
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 6135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
506+0.14 EUR
729+0.098 EUR
878+0.082 EUR
1378+0.052 EUR
1511+0.047 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
547+0.26 EUR
549+0.25 EUR
551+0.24 EUR
552+0.23 EUR
554+0.22 EUR
555+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 547
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
24000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3585+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3585
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.038 EUR
24000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONS/FAIMOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L7874XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LGonsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LTonsemi NFET SOT23 100V 170MA 6.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1ON
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1onsemiMOSFETs 100V 170mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 107875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 394029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1377000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+0.066 EUR
12000+0.061 EUR
27000+0.057 EUR
51000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 25071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
834+0.086 EUR
989+0.072 EUR
1087+0.066 EUR
1263+0.057 EUR
1409+0.051 EUR
1603+0.045 EUR
3000+0.038 EUR
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GMOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G
Produktcode: 42430
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ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 148 St.:
115 St. - stock Köln
33 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet 1000 St.:
1+0.034 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2367000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.064 EUR
6000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GOn SemiconductorN-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 107875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 394413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
65+0.27 EUR
104+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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BSS123LT1GonsemiMOSFETs 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 198463 Stücke:
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7+0.45 EUR
11+0.28 EUR
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BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2367000 Stücke:
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BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1377000 Stücke:
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6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
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BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8146 Stücke:
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613+0.24 EUR
625+0.22 EUR
969+0.14 EUR
989+0.13 EUR
1311+0.094 EUR
2013+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 613
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BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10838 Stücke:
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1041+0.14 EUR
1051+0.13 EUR
1662+0.078 EUR
1695+0.073 EUR
2248+0.053 EUR
3449+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1041
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BSS123LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 158 Stücke:
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BSS123LT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 7030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123LT7GonsemiMOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0
auf Bestellung 24496 Stücke:
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BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123M-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123M-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123M-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123N H6327Infineon
auf Bestellung 546000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS123N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 538439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
762+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
2500+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 762
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BSS123N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 6635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSS123NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS123NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 242505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
60+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 45195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.29 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
999+0.14 EUR
1573+0.089 EUR
1989+0.067 EUR
2005+0.064 EUR
2025+0.061 EUR
3059+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 999
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.082 EUR
2500+0.077 EUR
5000+0.072 EUR
10000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 20,9 @ 25, Qg, нКл = 0,9 @ 10 В, Rds = 6 Ом @ 190 мА, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 13 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1165+0.12 EUR
1473+0.095 EUR
1489+0.09 EUR
1502+0.086 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1165
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BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 65342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 240000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.088 EUR
15000+0.082 EUR
21000+0.078 EUR
30000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
521+0.14 EUR
589+0.12 EUR
827+0.087 EUR
1000+0.072 EUR
1145+0.062 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BSS123NH6327XTSA1
Produktcode: 198093
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BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123NH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23, SMD Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 78195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 38
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BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
648+0.22 EUR
1060+0.13 EUR
1263+0.11 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6493 Stücke:
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209+0.34 EUR
596+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1
Produktcode: 190235
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123NH6433XTMA1Infineon
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BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 31786 Stücke:
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6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.093 EUR
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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20000+0.048 EUR
30000+0.045 EUR
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BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.083 EUR
20000+0.076 EUR
30000+0.072 EUR
50000+0.068 EUR
70000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
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20000+0.048 EUR
30000+0.044 EUR
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BSS123Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K
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10+0.3 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
511+0.14 EUR
878+0.082 EUR
1283+0.056 EUR
1334+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip TechnologyMOSFETs 100V 0.19A SOT-23
auf Bestellung 4983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip Technology100 V, N Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
auf Bestellung 42159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodesMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 12874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
38+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 5684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1530+0.094 EUR
1924+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 1530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Wonsemi / FairchildMOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WYY100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
auf Bestellung 1243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
85+0.21 EUR
137+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 8325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.097 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
53+0.33 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V 200mW
auf Bestellung 10352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
auf Bestellung 3165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_Qonsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
463+0.15 EUR
841+0.085 EUR
1359+0.053 EUR
1634+0.044 EUR
3000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 13768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
98+0.18 EUR
157+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 2157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.059 EUR
6000+0.053 EUR
9000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2009+0.072 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2009
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS124
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS125
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS125
Produktcode: 51591
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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 600
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 45
JHGF: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6327Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6906Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327InfineonN-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.49 EUR
307+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 8159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6906Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 7764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 L6906Infineon TechnologiesGaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 Transistor
Produktcode: 61604
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H
Produktcode: 113030
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2InfineonTransistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+0.66 EUR
141+0.51 EUR
165+0.43 EUR
283+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 109
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 21 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 28 @ 25, Qg, нКл = 2,1 @ 5 В, Rds = 500 @ 16 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,7 @ 8 мкА, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
29+0.61 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.49 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
19+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.33 EUR
446+0.31 EUR
479+0.28 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 445
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 44660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.34 EUR
15000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 30224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.82 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 527
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
969+0.15 EUR
1092+0.13 EUR
1266+0.11 EUR
3000+0.091 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 969
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 4353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
53+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 7508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.27 EUR
764+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.46 EUR
551+0.25 EUR
969+0.14 EUR
1092+0.12 EUR
1266+0.098 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5965+0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 5965
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.087 EUR
24000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.071 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127Rectron USADescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127
Produktcode: 40606
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127N/ASOT-23 05+
auf Bestellung 208500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 E6327Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.49 EUR
205+0.35 EUR
327+0.22 EUR
404+0.18 EUR
610+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 148
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 470
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BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
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BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
42+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
9000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6356+0.085 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 6356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6356+0.085 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 6356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1InfineonSMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 11949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
55+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 507
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.059 EUR
9000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7InfineonMOSFET N-CH 600V 50MA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
912+0.15 EUR
1429+0.09 EUR
1444+0.086 EUR
1460+0.081 EUR
1478+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 912
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 17504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
53+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1460+0.099 EUR
1478+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 1460
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3087
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 160Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
283+0.25 EUR
410+0.17 EUR
481+0.15 EUR
596+0.12 EUR
695+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.098 EUR
15000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
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4+0.71 EUR
10+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
38+0.47 EUR
100+0.3 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4545 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS129SIEMENSSMD
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS13PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131YFWTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131FUXINSEMITransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 (SOT-23)
Produktcode: 33823
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS131 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.59 EUR
256+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.41 EUR
10000+0.38 EUR
25000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 25620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.42 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.34 EUR
5000+0.32 EUR
10000+0.3 EUR
25000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 344
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BSS131 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131E6327InfineonГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327
Produktcode: 122768
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InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
JHGF: SMD
auf Bestellung 140 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327InfineonМОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327 BSS131InfineonМОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTInfineonМОП-транзистор SIPMOS N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 76565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
49+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.53 EUR
444+0.31 EUR
706+0.19 EUR
946+0.14 EUR
1067+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 271
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1InfineonN-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 885000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.065 EUR
21000+0.062 EUR
24000+0.057 EUR
30000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.16 EUR
926+0.15 EUR
1262+0.11 EUR
1441+0.09 EUR
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 915
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
58+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.065 EUR
21000+0.062 EUR
24000+0.057 EUR
30000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small-Signal Power-Transistor
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.55 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.097 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS131IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.42 EUR
557+0.25 EUR
562+0.24 EUR
915+0.14 EUR
926+0.13 EUR
1262+0.094 EUR
1441+0.079 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 341
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS131L6327HTSA1InfineonMOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS131L6327XTINFINEON09+ MSOP8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS134NINFINEONSOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS135
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS135
Produktcode: 77919
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2475000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 525000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 144172
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YJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8621+0.017 EUR
60000+0.014 EUR
300000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 8621
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KINGTRONICSTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KT
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 185656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 50V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 814600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
63+0.28 EUR
101+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138REALCHIPTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON-SemiconductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138---Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 121
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 354
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 38705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.1 EUR
12000+0.086 EUR
27000+0.077 EUR
51000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 4705 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JSMSEMIN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3096+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3096
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1305000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4049+0.036 EUR
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4049
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorMOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.077 EUR
2119+0.066 EUR
2428+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1884
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138YFWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFW
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 185656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
596+0.12 EUR
727+0.098 EUR
977+0.073 EUR
1303+0.055 EUR
1458+0.049 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 804000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
619+0.23 EUR
1409+0.099 EUR
1537+0.087 EUR
1693+0.076 EUR
1884+0.066 EUR
2119+0.056 EUR
2428+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 619
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MDD(Microdiode Electronics)50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 197212
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
UMWTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 8750 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON-SemiconductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONS/FAIN-Channel 50 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Microdiode Electronics (MDD)BSS138
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
12000+0.038 EUR
18000+0.034 EUR
24000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 38705 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Good-ArkGood-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138FUXINSEMITransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP; BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN TBSS138 FUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138SLKORTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.078 EUR
15000+0.07 EUR
21000+0.064 EUR
30000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2924+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2924
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2436000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 850355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.47 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 26318
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CETTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.22
Rds(on), Ohm: 03.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 42/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.032 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
JHGF: SMD
auf Bestellung 4240 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (Diodes, SOT-23)
Produktcode: 125280
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DiodesTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (ON, SOT-23)
Produktcode: 161156
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 7259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 8295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 SOT23LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 SSSHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138"SS"JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138(G9-49)NS2000
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138(SS)FAIRCHILD00+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 460000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 190000 Stücke:
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
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BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
85+0.21 EUR
137+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.083 EUR
2000+0.073 EUR
5000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 710000 Stücke:
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BSS138-13-FDiodesN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS138-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs BSS Family
auf Bestellung 507335 Stücke:
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14+0.21 EUR
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Mindestbestellmenge: 9
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
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10000+0.045 EUR
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10000
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BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138-13-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.06 EUR
20000+0.055 EUR
30000+0.052 EUR
50000+0.049 EUR
70000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
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BSS138-13-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 6902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.15 EUR
38+0.076 EUR
100+0.058 EUR
500+0.053 EUR
1000+0.049 EUR
2500+0.048 EUR
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BSS138-13-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 98449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
129+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.088 EUR
2000+0.078 EUR
5000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS138-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
391+0.18 EUR
451+0.16 EUR
693+0.1 EUR
869+0.082 EUR
1484+0.048 EUR
1563+0.046 EUR
3000+0.041 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3031
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 300mW 50V DSS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.044 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 756000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3031
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 954000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.022 EUR
30000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4695+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 200 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10, Rds = 3,5 Ом @ 220 мA, 10 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 356365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FMulticompBSS138-7-F
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.017 EUR
144000+0.015 EUR
216000+0.014 EUR
288000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.021 EUR
30000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 729000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.032 EUR
30000+0.03 EUR
75000+0.025 EUR
150000+0.024 EUR
300000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3031
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.032 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.025 EUR
150000+0.024 EUR
300000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 356365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 756000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.044 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 516000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 303000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3125+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
12000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodesN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 954000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.022 EUR
30000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-AU-R1-000A1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-AU-R2-000A1PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-E6327
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F169onsemiDescription: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
43+0.42 EUR
100+0.22 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HF BSS138Yangzhou Yangjie ElectronicSOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GComchip TechnologyMOSFETs 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 22877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GComchip TechnologyN-Channel MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
12000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
262+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiMOSFETs FET 50V 3.5 OHM
auf Bestellung 1108145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.51 EUR
100+0.33 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 15412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.83 EUR
35+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyMOSFETs MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 50V 0.22A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+0.053 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
30000+0.031 EUR
75000+0.028 EUR
150000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 333
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-R1-00001PanjitMOSFETs
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BSS138-R2-00001PanjitMOSFETs
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BSS138-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
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BSS138-TDTDSEMICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138-TD TDSEMIC TBSS1
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
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BSS138-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 49119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
103+0.17 EUR
166+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSS138-TPMCC Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 91630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.025 EUR
15000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
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BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+0.16 EUR
629+0.11 EUR
1044+0.068 EUR
1467+0.049 EUR
1690+0.042 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 461
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
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3368+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
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BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 14450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3000+0.05 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
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3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.024 EUR
15000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1209000 Stücke:
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3368+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1209000 Stücke:
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3368+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2028000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6945+0.021 EUR
1014000+0.018 EUR
1521000+0.016 EUR
2028000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6945
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BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 91630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
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9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1716 Stücke:
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BSS138-TP
Produktcode: 189195
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BSS138-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.047 EUR
15000+0.043 EUR
21000+0.041 EUR
30000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138-TPMCC Corp.SOT-23, N-channe MOSFET Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5406+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.044 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3368+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5406+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 438000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.044 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
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BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1173000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138/SS
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS138A J1HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138PW; BSS138A SOT323 HT SEMI TBSS138pw HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.036 EUR
24000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
24000+0.052 EUR
36000+0.047 EUR
48000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 7436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
91+0.2 EUR
146+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.078 EUR
2000+0.069 EUR
5000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.037 EUR
9000+0.034 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3788
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1860000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 15596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
599+0.12 EUR
683+0.1 EUR
1129+0.063 EUR
1475+0.048 EUR
1673+0.043 EUR
2000+0.038 EUR
3000+0.036 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3862+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
24000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3862
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BSS138A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Computer ControlBSS138AHE3-TP
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3334+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
85+0.21 EUR
136+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 50Vds 20Vgs N-Ch FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
140+0.13 EUR
162+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKANexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKA/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3237+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.044 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
73+0.24 EUR
118+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4831+0.11 EUR
10000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 4831
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .2A
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaТранзистор, N-MOSFET, полевой, 60В, 0,125А, 360мВт, SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11279+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.081 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138AKDW-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
77+0.23 EUR
124+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel. Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsBSS138AKDW-TPQ2
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3106+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
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BSS138AKDWHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
129+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET
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BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS138AKDWHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS138AKDWS-TPMicro Commercial ComponentsDual N Channel MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWS-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin SOT-363S
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS138AKDWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
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BSS138AKM-QYLNexperiaMOSFETs BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
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BSS138AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
163+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS138AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
54+0.33 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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BSS138AKQB-QZNexperiaMOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
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BSS138AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS138AKRA-QZNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKRA-QZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
50+0.35 EUR
70+0.25 EUR
100+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKRA-QZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin TSSOP Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
111+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .22A
auf Bestellung 19554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaMOSFETs SOT323 N-CH 60V .22A
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.29 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
105+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.6A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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BSS138B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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BSS138BKNexperiaN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 360 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10, Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В, Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В, Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 0,42 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистор
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BSS138BKTECH PUBLICTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116; BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC TBSS138bk TEC
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BSS138BKNexperiaMOSFETs
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BSS138BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138BK - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFETs N-Channel
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116; BSS138BK JGSEMI TBSS138bk JGS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.046 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BK,215NexperiaMOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BK,215NexperiaMOSFETs BSS138BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 30550 Stücke:
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14+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BSS138BK,215NexperiaN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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BSS138BK,215
Produktcode: 131639
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NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
JHGF: SMD
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BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6000+0.055 EUR
9000+0.045 EUR
24000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BK,215NexperiaN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BK,215NexperiaN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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300+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
724+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.59A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS138BK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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BSS138BK-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS138BK-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 590 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 5359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
91+0.2 EUR
146+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
37+0.48 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
348+0.42 EUR
555+0.25 EUR
742+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 348
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
auf Bestellung 7884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.79 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
959+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 959
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BSS138BKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
40+0.45 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3879000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
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BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS138BKDW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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BSS138BKDW-TPQ2Micro Computer ControlBSS138BKDW-TPQ2
auf Bestellung 933000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
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BSS138BKSElecSuperTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper TBSS138bks ES
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BSS138BKSNexperiaMOSFETs
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BSS138BKSElecSuperTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper TBSS138bks ES
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BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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6000+0.078 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.071 EUR
21000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 142412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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3000+0.085 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.074 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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295+0.24 EUR
400+0.18 EUR
476+0.15 EUR
542+0.13 EUR
611+0.12 EUR
787+0.091 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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BSS138BKS,115NexperiaMOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.075 EUR
15000+0.071 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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BSS138BKS,115NexperiaMOSFETs BSS138BKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 673676 Stücke:
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5+0.62 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH