Produkte > BSS

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
BSS 166SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 16 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 306SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 3/4" X 3/4" ODF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 307SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 7/8" X 7/8" ODF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS 309SWhite-RodgersHeat Exchangers BUILDER SERIES SUCTION LINE FILTER DRIER FOR AIR CONDITIONING APPLICATIONS, SIZE 30 CU. IN., CONNECTIONS 1-1/8" X 1-1/8"ODF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-C-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
90+3.45 EUR
180+2.94 EUR
540+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tray
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-F-D-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tray
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.02 EUR
10+4.26 EUR
25+4 EUR
50+3.8 EUR
100+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.85 EUR
90+3.66 EUR
180+3.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.47 EUR
100+3.96 EUR
250+3.77 EUR
475+3.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.51 EUR
10+15.79 EUR
112+13.25 EUR
280+11.21 EUR
504+10.56 EUR
1008+9.82 EUR
2520+9.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.08 EUR
10+15.79 EUR
112+14.38 EUR
280+12.71 EUR
504+11.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
auf Bestellung 110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.6 EUR
10+5.6 EUR
25+5.25 EUR
50+5 EUR
100+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 150
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-084-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-C-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-F-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+16.02 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+9.34 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-EM2-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-100-01-L-D-LC-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-DSamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-125-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-F-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-150-01-L-D-LCSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-36ABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW36 BLK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-4EssentraEssentra
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-5EssentraEssentra
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-56GABB Installation ProductsCable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW56 BLK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-7EssentraEssentra
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-8EssentraOther Tools
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-L050-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Power (Watts): 30W
Tolerance: ±5%
Packaging: Tray
Temperature Coefficient: ±75ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Composition: Metal Element
Type: Shunt, Battery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 50 µOhms
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.45 EUR
10+33.27 EUR
25+29.71 EUR
60+26.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS-L100-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Packaging: Tray
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Type: Current Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 100 µOhms
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+158.72 EUR
10+104.95 EUR
25+100.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS010AEssentraBumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS010AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper
auf Bestellung 12496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
42+0.43 EUR
50+0.35 EUR
53+0.33 EUR
56+0.32 EUR
100+0.28 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS015AEssentraBumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
auf Bestellung 10058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS015AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper
auf Bestellung 6735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
27+0.65 EUR
29+0.61 EUR
32+0.56 EUR
50+0.52 EUR
100+0.49 EUR
250+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS05-12VARCO
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS10PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100INFINEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS101INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS11PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110INFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemi / FairchildMOSFETs DISC BY MFG 2/02
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119infineonsot-23 09+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119infineon03/04+ SOT23
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6327INFINEONsSh/23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E6433Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 E7978Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2844+0.15 EUR
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2844
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
auf Bestellung 86725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2358+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2358
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 36194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 6918
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 504000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.063 EUR
252000+0.056 EUR
378000+0.05 EUR
504000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 52407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.11 EUR
3000+0.079 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1169+0.12 EUR
1174+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
18000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 1169
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.034 EUR
75000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1
Produktcode: 118883
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.068 EUR
21000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1051+0.14 EUR
1086+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1051
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.038 EUR
21000+0.036 EUR
30000+0.034 EUR
75000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 19010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
68+0.26 EUR
108+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5682+0.075 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 5682
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6918+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 6918
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7796Infineon TechnologiesBSS119NH7796
auf Bestellung 8803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5682+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 5682
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesBSS119NH7978XTSA1
auf Bestellung 14450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2134+0.2 EUR
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2134
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2597+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 2597
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS12PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
250+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.038 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.46 EUR
576+0.24 EUR
837+0.16 EUR
1085+0.12 EUR
1244+0.098 EUR
3000+0.072 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 11990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Analog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.9 EUR
30+0.6 EUR
100+0.34 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 20
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7693+0.019 EUR
60000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 7693
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 254623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
60+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123CHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 CHIPNOBO TBSS123 CNB
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 437818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.088 EUR
12000+0.075 EUR
27000+0.07 EUR
51000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
295+0.06 EUR
348+0.051 EUR
415+0.042 EUR
462+0.038 EUR
500+0.036 EUR
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2064000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3356+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.036 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.031 EUR
75000+0.027 EUR
150000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 11146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
463+0.15 EUR
814+0.088 EUR
1185+0.06 EUR
1413+0.051 EUR
1568+0.046 EUR
3000+0.039 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2064000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4785+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4785
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.091 EUR
9000+0.086 EUR
15000+0.08 EUR
21000+0.077 EUR
30000+0.074 EUR
75000+0.066 EUR
150000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123YFWTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 485810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ROHM SemiconductorMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 5164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.21 EUR
141+0.12 EUR
227+0.078 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
341+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 341
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123
Produktcode: 207526
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 0.323MMJUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 E6433Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 L6433Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123 L7874Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaMOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2457000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3165+0.045 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3165
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 28797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
807+0.089 EUR
1053+0.068 EUR
1421+0.05 EUR
1578+0.045 EUR
3000+0.041 EUR
15000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2457000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3175+0.045 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3175
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXPTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13158+0.041 EUR
100000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 13158
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NXP SemiconductorsN-кан. MOSFET SOT-23
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
18000+0.052 EUR
27000+0.046 EUR
36000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.087 EUR
20000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.087 EUR
20000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 8969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
15+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.067 EUR
5000+0.058 EUR
10000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7Diodes IncorporatedMOSFETs 100V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 226870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.053 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.048 EUR
75000+0.043 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.17A, SOT23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 266257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V 360mW
auf Bestellung 83997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.35 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.084 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7271 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
397+0.18 EUR
693+0.1 EUR
1013+0.071 EUR
1188+0.06 EUR
3000+0.047 EUR
6000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F
Produktcode: 148378
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 227190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 266257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-AU-R1-000A1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-E6327
Produktcode: 98887
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

SiemensTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Rds(on), Ohm: 6
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
JHGF: SMD
auf Bestellung 251 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.034 EUR
10+0.028 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F169onsemionsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3129+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3129+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiMOSFET FET 100V 6.0 MOHM
auf Bestellung 11044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
100+0.52 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3129+0.17 EUR
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3129
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 100V 0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
200+0.095 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.066 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.062 EUR
15000+0.059 EUR
30000+0.055 EUR
75000+0.05 EUR
150000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 100V .17A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.048 EUR
21000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 6406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
15+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.076 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 13015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 24110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
93+0.19 EUR
151+0.12 EUR
500+0.085 EUR
1000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123.215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123.215
Produktcode: 49331
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.15
Rds(on), Ohm: 6
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123AZETEX06+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123ATCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123DWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
Power - Max: 271mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123DWS-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123DWS-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E6327
auf Bestellung 294000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123E6327Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTMA1Infineon TechnologiesDescription: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 88583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11674+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11674
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 25648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
122+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
13+0.22 EUR
100+0.13 EUR
500+0.097 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4285910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11674+0.046 EUR
100000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 11674
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
486+0.15 EUR
799+0.09 EUR
981+0.073 EUR
1454+0.049 EUR
1651+0.043 EUR
1695+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.058 EUR
15000+0.054 EUR
21000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
15000+0.18 EUR
21000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 3425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.03 EUR
10+0.63 EUR
100+0.43 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3611+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3611
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 5374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
91+0.19 EUR
146+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 4811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
15+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.079 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3611+0.04 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3611
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123K-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 29785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123KHE3-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1743+0.082 EUR
1935+0.071 EUR
1957+0.068 EUR
3226+0.04 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1743
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.077 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.058 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
537+0.27 EUR
538+0.26 EUR
540+0.25 EUR
541+0.24 EUR
543+0.23 EUR
544+0.22 EUR
1000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 537
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 7397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
532+0.13 EUR
842+0.085 EUR
1025+0.07 EUR
1292+0.055 EUR
1480+0.048 EUR
1819+0.039 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiMOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23
auf Bestellung 357134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
14+0.21 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5236+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5236
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.17A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 73313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5236+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5236
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.26 EUR
1163+0.12 EUR
1743+0.076 EUR
1935+0.066 EUR
1957+0.063 EUR
3226+0.036 EUR
6000+0.031 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 57526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
76+0.23 EUR
123+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
541+0.26 EUR
543+0.25 EUR
544+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.22 EUR
6000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 541
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 73313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123L7874XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LGonsemiMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LTonsemi NFET SOT23 100V 170MA 6.0
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1ON
auf Bestellung 3260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1onsemiMOSFETs 100V 170mA N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1ONSOT23
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1087+0.13 EUR
1419+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1087
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GMOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
393+0.36 EUR
667+0.21 EUR
674+0.2 EUR
1087+0.12 EUR
1098+0.11 EUR
1419+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 393
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 10130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G
Produktcode: 42430
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 982 St.:
115 St. - stock Köln
867 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.034 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 573000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.074 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.066 EUR
30000+0.063 EUR
75000+0.056 EUR
150000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3155+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3155
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3135+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
661+0.22 EUR
1191+0.12 EUR
1938+0.068 EUR
2476+0.052 EUR
2711+0.045 EUR
3677+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 661
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2547000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 573460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
365+0.2 EUR
665+0.11 EUR
857+0.084 EUR
1025+0.07 EUR
1229+0.058 EUR
3000+0.045 EUR
6000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 264
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2547000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.052 EUR
12000+0.048 EUR
27000+0.046 EUR
51000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1GonsemiMOSFETs 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 157384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT7GonsemiMOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0
auf Bestellung 24496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123M-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 9495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+0.2 EUR
23+0.12 EUR
100+0.079 EUR
500+0.053 EUR
1000+0.048 EUR
2500+0.04 EUR
5000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123M-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123M-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 551655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.23 EUR
656+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.18 EUR
5000+0.17 EUR
10000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 632
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6327Infineon
auf Bestellung 546000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123N H6433Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 6646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327Infineon technologies
auf Bestellung 3003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - MOSFET, N-KANAL, 100V, 0.19A, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 114140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8574 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
835+0.17 EUR
1313+0.1 EUR
1662+0.08 EUR
1698+0.075 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 835
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 39135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
58+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 19093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
642+0.11 EUR
685+0.1 EUR
857+0.084 EUR
1029+0.069 EUR
1161+0.062 EUR
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 133265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.22 EUR
100+0.16 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1755+0.081 EUR
2500+0.076 EUR
5000+0.071 EUR
10000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1755
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 114140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 567000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
6000+0.053 EUR
9000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.089 EUR
15000+0.083 EUR
21000+0.079 EUR
30000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1
Produktcode: 198093
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9803 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
343+0.21 EUR
529+0.14 EUR
641+0.11 EUR
947+0.076 EUR
1090+0.066 EUR
5000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 239
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.076 EUR
20000+0.069 EUR
30000+0.066 EUR
50000+0.062 EUR
70000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 8523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.45 EUR
11+0.28 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.1 EUR
5000+0.088 EUR
10000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.058 EUR
20000+0.053 EUR
30000+0.051 EUR
50000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 98628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
58+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1
Produktcode: 190235
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.058 EUR
20000+0.053 EUR
30000+0.051 EUR
50000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
414+0.17 EUR
742+0.096 EUR
1092+0.065 EUR
1260+0.057 EUR
2000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.21 EUR
511+0.14 EUR
878+0.082 EUR
1136+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip TechnologyMOSFETs 100V 0.19A SOT-23
auf Bestellung 5003 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.49 EUR
100+0.28 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123T-HFComchip Technology100 V, N Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 21779 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
40+0.45 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chnl 100V
auf Bestellung 42619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.73 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
224+0.32 EUR
335+0.21 EUR
403+0.18 EUR
612+0.12 EUR
1000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 152
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123Wonsemi / FairchildMOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WYY100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 6194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1115+0.13 EUR
1670+0.082 EUR
1942+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1115
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.079 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
9000+0.091 EUR
15000+0.085 EUR
21000+0.081 EUR
30000+0.078 EUR
75000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V 200mW
auf Bestellung 9785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+0.34 EUR
100+0.22 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
261+0.27 EUR
397+0.18 EUR
924+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.079 EUR
15000+0.071 EUR
21000+0.065 EUR
30000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 95808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
56+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
auf Bestellung 101842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
12+0.25 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_Qonsemi / FairchildMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanJitBSS123_R1_00001
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1749+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1749
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 17207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
103+0.17 EUR
166+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.29 EUR
17+0.17 EUR
100+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.047 EUR
15000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS124
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS125
Produktcode: 51591
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 600
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 45
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS125
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6327Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6906Infineon Technologies
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327InfineonN-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 8159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.49 EUR
307+0.45 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6906Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 H6906Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 7764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.66 EUR
10+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.43 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 L6906Infineon TechnologiesGaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126 Transistor
Produktcode: 61604
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H
Produktcode: 113030
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 59037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.02 EUR
28+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
294+0.49 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.29 EUR
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 294
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 2446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+0.59 EUR
147+0.49 EUR
166+0.43 EUR
274+0.26 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 122
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - MOSFET, N-KANAL, 600V, 21MA, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.62 EUR
500+0.47 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 232
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 309000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 44082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.57 EUR
19+0.98 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.32 EUR
446+0.31 EUR
479+0.28 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 445
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
auf Bestellung 30224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.82 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 44660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
422+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 422
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.36 EUR
9000+0.34 EUR
15000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
527+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 527
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.086 EUR
24000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
969+0.15 EUR
1092+0.13 EUR
1266+0.1 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 969
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.055 EUR
24000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 3259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.27 EUR
764+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.46 EUR
551+0.25 EUR
969+0.14 EUR
1092+0.12 EUR
1266+0.097 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5965+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5965
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 7508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.31 EUR
100+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS126SK-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127Rectron USADescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127N/ASOT-23 05+
auf Bestellung 208500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127Infineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127
Produktcode: 40606
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 E6327Infineon TechnologiesArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
323+0.44 EUR
500+0.41 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 323
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
470+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 470
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
240+0.3 EUR
360+0.2 EUR
432+0.17 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 56650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6356+0.084 EUR
10000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 6356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 1973 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.5 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6356+0.084 EUR
10000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 6356
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
507+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 507
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
54+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
auf Bestellung 2502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.51 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.058 EUR
9000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
912+0.15 EUR
1429+0.089 EUR
1444+0.085 EUR
1460+0.08 EUR
1478+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 912
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1460+0.098 EUR
1478+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1460
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.37 EUR
291+0.25 EUR
421+0.17 EUR
500+0.14 EUR
725+0.099 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3087
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127S-7-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
40+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
auf Bestellung 10682 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.71 EUR
10+0.44 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS129SIEMENSSMD
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS129PHI
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS13PHI/MOT
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131FUXINSEMITransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131Infineon TechnologiesМОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
57+0.31 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131YFWTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 (SOT-23)
Produktcode: 33823
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 E6327Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 13933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
288+0.5 EUR
300+0.46 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.34 EUR
10000+0.32 EUR
25000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 288
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.58 EUR
256+0.54 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.47 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
10000+0.38 EUR
25000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 245
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131 L6327Infineon TechnologiesGaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327
Produktcode: 122768
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

InfineonTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
JHGF: SMD
auf Bestellung 260 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 14332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
410+0.35 EUR
832+0.17 EUR
872+0.15 EUR
880+0.14 EUR
1301+0.094 EUR
1313+0.089 EUR
1320+0.085 EUR
2223+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 410
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
627+0.23 EUR
785+0.18 EUR
794+0.17 EUR
1200+0.11 EUR
1213+0.1 EUR
1219+0.096 EUR
1244+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 627
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 243000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.086 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
48+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1200+0.12 EUR
1213+0.11 EUR
1244+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 1200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 32699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.16 EUR
1334+0.099 EUR
2000+0.094 EUR
5000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 878
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
auf Bestellung 60604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
15+0.2 EUR
100+0.13 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.098 EUR
15000+0.091 EUR
21000+0.088 EUR
30000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS131IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesMOSFETs Small-Signal Power-Transistor
auf Bestellung 2192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.42 EUR
100+0.24 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.44 EUR
538+0.26 EUR
544+0.24 EUR
877+0.15 EUR
886+0.14 EUR
1208+0.097 EUR
1380+0.081 EUR
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 326
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesDescription: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
58+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
877+0.16 EUR
1208+0.11 EUR
1380+0.092 EUR
3000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 877
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131IXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS131L6327XTINFINEON09+ MSOP8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS134NINFINEONSOT-23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS135
Produktcode: 77919
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS135
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 50V 0.34A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 25 V
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
6000+0.084 EUR
9000+0.076 EUR
15000+0.068 EUR
21000+0.063 EUR
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 1545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.18 EUR
154+0.11 EUR
252+0.07 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 100
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138FUXINSEMITranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP; BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN TBSS138 FUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.03 EUR
6000+0.027 EUR
9000+0.025 EUR
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 711000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8621+0.017 EUR
60000+0.014 EUR
300000+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 8621
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 29502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138On Semiconductor/FairchildSOT-223, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=220mA, -55...+150
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 144172
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

YJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 5215 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138EVVODescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
125+0.14 EUR
204+0.086 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 360
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HT SEMITransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.029 EUR
6000+0.028 EUR
9000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 177882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
619+0.23 EUR
1409+0.098 EUR
1537+0.086 EUR
1693+0.075 EUR
1884+0.065 EUR
2119+0.055 EUR
2428+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 619
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138KINGTRONICSTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS138PW,115; BSS138BW SOT323 KINGTRONICS TBSS138pw KT
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138REALCHIPTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 RealChip TBSS138 REA
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.027 EUR
21000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.025 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON-SemiconductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 605912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.076 EUR
2119+0.065 EUR
2428+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1884
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorMOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Good-ArkGood-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 35490 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138EVVODescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 50V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3485
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
182+0.097 EUR
299+0.059 EUR
500+0.042 EUR
1000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Microdiode ElectronicsBSS138
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.042 EUR
60000+0.037 EUR
90000+0.033 EUR
120000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 29502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.SOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150
auf Bestellung 9550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 197212
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

UMWTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
auf Bestellung 12367 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138YFWTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; BSS138 SOT23 YFW TBSS138 YFW
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138UMWDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.085 EUR
9000+0.077 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.063 EUR
30000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138MDD(Microdiode Electronics)50V 500mA 1.1?@4.5V,0.3A 500mW 1.5V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs BSS138 SOT-23 MDD(MICRODIODE) TBSS138 MDD
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2924+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2924
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
auf Bestellung 1667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
323+0.055 EUR
374+0.047 EUR
447+0.039 EUR
498+0.035 EUR
532+0.033 EUR
1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2436000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 177882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON-SemiconductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
400+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 400
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 597000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.09 EUR
6000+0.081 EUR
9000+0.077 EUR
15000+0.071 EUR
21000+0.068 EUR
30000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2475000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.024 EUR
9000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1488000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.05 EUR
6000+0.032 EUR
9000+0.031 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.025 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138onsemiMOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC
auf Bestellung 1051602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138
Produktcode: 26318
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

CETTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.22
Rds(on), Ohm: 03.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 42/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.04 EUR
10+0.036 EUR
100+0.032 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
JHGF: SMD
auf Bestellung 6089 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (Diodes, SOT-23)
Produktcode: 125280
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

DiodesTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 (ON, SOT-23)
Produktcode: 161156
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ONTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 15376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
60+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.087 EUR
15000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 SOT23LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138 SSSHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138"SS"JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138(G9-49)NS2000
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138(SS)FAIRCHILD00+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs BSS Family
auf Bestellung 519974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
13+0.22 EUR
100+0.15 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.079 EUR
5000+0.069 EUR
10000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
60+0.3 EUR
98+0.18 EUR
158+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 710000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6929 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.046 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 460000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 98994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.16 EUR
209+0.084 EUR
236+0.075 EUR
283+0.062 EUR
313+0.056 EUR
500+0.053 EUR
1000+0.05 EUR
2500+0.047 EUR
5000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 112
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 10K
auf Bestellung 6993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.15 EUR
38+0.076 EUR
100+0.058 EUR
500+0.053 EUR
1000+0.049 EUR
2500+0.048 EUR
5000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13-F-WDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.044 EUR
20000+0.042 EUR
50000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 360mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1998000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4695+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4695
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FMulticompBSS138-7-F
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.017 EUR
150000+0.015 EUR
225000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 442280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1082 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 729000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.031 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.024 EUR
300000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 453000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.047 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 447000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.047 EUR
21000+0.045 EUR
30000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 42237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
491+0.15 EUR
569+0.13 EUR
866+0.083 EUR
1085+0.066 EUR
1859+0.038 EUR
1954+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 385
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2118000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.031 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.024 EUR
300000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1314000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.046 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.034 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.028 EUR
75000+0.025 EUR
150000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 516000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.047 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES/ZETEXTranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 8860 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 453000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.047 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 297000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3125+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
12000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1998000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+0.045 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
75000+0.025 EUR
150000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 300mW 50V DSS
auf Bestellung 1485192 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
9+0.33 EUR
16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - MOSFET, N-KANAL, 50V, 0.2A, SOT23-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 442280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1146000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.041 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.023 EUR
150000+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1314000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3022+0.047 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.034 EUR
15000+0.032 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3022
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 449600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
97+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-FDiodes IncorporatedN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-WDiodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F-WDiodes Incorporated BSS Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-AU-R1-000A1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-AU-R2-000A1PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-E6327
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR
auf Bestellung 5297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F169onsemiDescription: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 958 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
43+0.42 EUR
100+0.22 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GComchip TechnologyN-Channel MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
12000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
353+0.2 EUR
521+0.14 EUR
685+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
27000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GComchip TechnologyMOSFETs 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 26143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 19127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiMOSFETs FET 50V 3.5 OHM
auf Bestellung 1116095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.74 EUR
10+0.46 EUR
100+0.27 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-HFComchip TechnologyMOSFETs MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 50V 0.22A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
333+0.053 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.033 EUR
30000+0.031 EUR
75000+0.028 EUR
150000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 333
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-NL
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-R1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TDTDSEMICTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138-TD TDSEMIC TBSS1
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 657000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.024 EUR
15000+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.024 EUR
15000+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+0.047 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.041 EUR
21000+0.039 EUR
30000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2028000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6945+0.021 EUR
1014000+0.018 EUR
1521000+0.016 EUR
2028000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 6945
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMCC Corp.SOT-23, N-channe MOSFET
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10990+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10990
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1716 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 95300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.14 EUR
715+0.1 EUR
1194+0.06 EUR
1678+0.043 EUR
1931+0.037 EUR
3000+0.03 EUR
6000+0.027 EUR
9000+0.025 EUR
15000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5406+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5406
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3368+0.042 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TP
Produktcode: 189195
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 65208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
109+0.16 EUR
176+0.1 EUR
500+0.073 EUR
1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 438000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3290+0.043 EUR
6000+0.041 EUR
9000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3290
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1173000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.038 EUR
6000+0.033 EUR
9000+0.03 EUR
15000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3774
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138/SS
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A J1HT SEMITranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BSS138PW; BSS138A SOT323 HT SEMI TBSS138pw HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3862+0.037 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.032 EUR
24000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3862
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 4771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
96+0.18 EUR
154+0.11 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 16918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
676+0.11 EUR
782+0.092 EUR
1292+0.055 EUR
1690+0.042 EUR
1909+0.037 EUR
2137+0.033 EUR
3000+0.032 EUR
9000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 556
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3746+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
auf Bestellung 20420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.055 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
24000+0.052 EUR
36000+0.046 EUR
48000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.037 EUR
9000+0.034 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3746+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3746
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3788
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4185+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 4185
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1860000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Mosfets
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
89+0.2 EUR
144+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Computer ControlBSS138AHE3-TP
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3334+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3334
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 50Vds 20Vgs N-Ch FET
auf Bestellung 6138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.32 EUR
15+0.2 EUR
100+0.12 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
140+0.13 EUR
162+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AK-QRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKANexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKA/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.37 EUR
78+0.23 EUR
125+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3624+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3624
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3237+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3237
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.044 EUR
9000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4831+0.11 EUR
10000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 4831
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3247+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3247
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11279+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11279
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.049 EUR
9000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138AKDW-TP - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 320mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
42+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
auf Bestellung 5089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.09 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsBSS138AKDW-TPQ2
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsBSS138AKDW-TPQ2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
82+0.22 EUR
131+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
2000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET
auf Bestellung 7868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.23 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.35 EUR
80+0.22 EUR
129+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3106+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3106
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWS-TPMicro Commercial ComponentsDual N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKDWS-TPMicro Commercial ComponentsDual N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKM-QYLNexperiaMOSFETs BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKM-QYLNexperia USA Inc.Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
163+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.07 EUR
2000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 63
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+0.46 EUR
54+0.33 EUR
100+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKQB-QZNexperiaMOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKQB-QZNexperia USA Inc.Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKRA-QZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
50+0.35 EUR
70+0.25 EUR
100+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKRA-QZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKRA-QZNexperiaMOSFETs BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.53 EUR
10+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 6-Pin TSSOP Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .22A
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
73+0.24 EUR
117+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 46
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKS-QX - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SC-70 Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta), 1.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
105+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 67
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNexperiaMOSFETs SOT323 N-CH 60V .22A
auf Bestellung 6926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138B-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138BK - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFETs N-Channel
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 26590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKJGSEMITransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 125°C; Equivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116; BSS138BK JGSEMI TBSS138bk JGS
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKNexperiaN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 360 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10; Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В; Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В; Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА; Опис N-канальний ПТ; Р, Вт = 0,42 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKTECH PUBLICN-Channel 50V 360mA 0.35W Surface Mount SOT-23 BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC TBSS138bk TEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NexperiaN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215
Produktcode: 131639
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

NexperiaTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 22 St.:
22 St. - erwartet 25.04.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.16 EUR
725+0.099 EUR
1015+0.07 EUR
1202+0.059 EUR
1367+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NXPN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NXPN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NEXPERIA TBSS138bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NexperiaMOSFETs BSS138BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.42 EUR
12+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.095 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.59A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.3 EUR
16+0.18 EUR
100+0.097 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
98+0.18 EUR
156+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BK-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSDescription: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138BK-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 590 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 590mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
883+0.16 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 883
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 578
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
40+0.45 EUR
100+0.28 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
auf Bestellung 11700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.81 EUR
100+0.51 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+1.66 EUR
Mindestbestellmenge: 578
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.7 EUR
42+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPQ2Micro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3879000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKDW-TPQ2MCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSElecSuperTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper TBSS138bks ES
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSElecSuperTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 410mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSS138BKS SOT363(T/R) ElecSuper TBSS138bks ES
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 300
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.077 EUR
9000+0.073 EUR
15000+0.067 EUR
21000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
723+0.31 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 723
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .32A
auf Bestellung 78451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.3 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.085 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.062 EUR
24000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - MOSFET AUTO, 2FACH N-KANAL, 60V, SOT-363
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 320 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
61+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3116+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3116
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS/S500XRochester Electronics, LLCDescription: BSS138BKS/X - Small Signal Field
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKS/S500X,115Nexperia USA Inc.Description: BSS138BKS - 60V, 320MA DUAL N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
60+0.3 EUR
100+0.18 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKSHNexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .32A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
auf Bestellung 1254000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 12000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 9457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
96+0.18 EUR
154+0.11 EUR
500+0.084 EUR
1000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 270mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.054 EUR
9000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT-TPMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1368+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .4A
auf Bestellung 21318 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+0.48 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
897+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 897
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 29176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.55 EUR
53+0.34 EUR
100+0.21 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1368+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
5000+0.091 EUR
10000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 1368
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116ROHMDescription: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.094 EUR
21000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2342+0.061 EUR
5000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 2342
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS138BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH