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Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

auf Bestellung 176 Stücke:

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5+	4.38 EUR
10+	3.73 EUR
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BSS-025-01-F-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

auf Bestellung 46 Stücke:

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10+	12.85 EUR
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BSS-025-01-F-D-A-TR

SAMTEC

Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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BSS-025-01-F-D-A-TR

Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL

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BSS-025-01-L-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

auf Bestellung 93 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-025-01-L-D-A

Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

auf Bestellung 180 Stücke:

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BSS-025-01-L-D-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip

auf Bestellung 343 Stücke:

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1+	4.73 EUR
100+	4.07 EUR
250+	3.85 EUR
475+	3.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-025-01-L-D-A-TR

Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL

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BSS-050-01-F-D-A

Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD

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BSS-050-01-F-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

auf Bestellung 27 Stücke:

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1+	16.51 EUR
10+	15.79 EUR
112+	13.25 EUR
280+	11.21 EUR
504+	10.56 EUR
1008+	9.82 EUR
2520+	9.54 EUR

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BSS-050-01-F-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD

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BSS-050-01-L-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

auf Bestellung 326 Stücke:

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1+	19.08 EUR
10+	15.79 EUR
112+	14.38 EUR
280+	12.71 EUR
504+	11.28 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-050-01-L-D-A

Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

auf Bestellung 110 Stücke:

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3+	6.6 EUR
10+	5.6 EUR
25+	5.25 EUR
50+	5 EUR
100+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 3

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BSS-050-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray

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BSS-050-01-L-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

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BSS-050-01-L-D-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-050-01-L-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD

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BSS-075-01-F-D-A

Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray

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BSS-075-01-F-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-075-01-F-D-A

Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-075-01-F-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 150
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

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BSS-075-01-F-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

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BSS-075-01-F-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

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BSS-075-01-F-D-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-084-01-F-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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BSS-084-01-H-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-084-01-L-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-C-D-A

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-C-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-A

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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BSS-100-01-F-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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BSS-100-01-F-D-A

SAMTEC

Description: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-LC

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Lock
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-F-D-LC

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-H-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

SAMTEC

Description: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	9.34 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	16.21 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A-TR

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-A-TR

Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-DP-EM2

Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-EM2

Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-EM2-TR

Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-LC

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Lock
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-100-01-L-D-LC-TR

Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Features: Board Lock
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-C-D-A

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-F-D

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-F-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-F-D-A

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-F-D-A

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-F-D-A

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-H-D

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-H-D

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-H-D-A

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-H-D-A

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D-A

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D-A

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D-A

Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-125-01-L-D-A-TR

Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-150-01-C-D-A

Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-150-01-F-D-A

Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-150-01-F-D-EM2

Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-150-01-L-D-LC

ABB Installation Products

Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-23

ABB

Scheuerschutzmuffe,NW23,sw

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-36

Cable Mounting & Accessories ABRASION PROTECTSLEEVE PA6 NW36 BLK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-4

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-7

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS-8

Other Tools

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BSS-L100-001

Isabellenhuette USA

Description: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Packaging: Tray
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Type: Current Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 100 µOhms

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	158.72 EUR
10+	104.95 EUR
25+	100.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS010A

Essentra Components

Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper

auf Bestellung 12496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
42+	0.43 EUR
50+	0.35 EUR
53+	0.33 EUR
56+	0.32 EUR
100+	0.28 EUR
250+	0.27 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS010A

Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS015A

Essentra Components

Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
Packaging: Bag
Color: Natural
Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm)
Mounting Type: Push In
Material: Nylon
Shape: Cylindrical, Tapered
Type: Bumper

auf Bestellung 6735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.77 EUR
27+	0.65 EUR
29+	0.61 EUR
32+	0.56 EUR
50+	0.52 EUR
100+	0.49 EUR
250+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 23

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS015A

Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL

auf Bestellung 10058 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.62 EUR
1000+	0.6 EUR
2500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS05-12

VARCO

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS10

auf Bestellung 18900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS100

Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS100

MOSFETs DISC BY MFG 2/02

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS100

HBE

Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

500+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS100

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS101

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS11

auf Bestellung 18900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS110

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS110

Description: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS110

MOSFETs DISC BY MFG 2/02

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119

infineon

sot-23 09+

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119

infineon

03/04+ SOT23

auf Bestellung 7900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E6327

sSh/23

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E6433

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E6433

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E7796

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E7796

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E7978

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 E7978

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 H6327

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L6327

GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L6327

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L6433

GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L6433

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L6433

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 86725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2844+	0.15 EUR
10000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2844

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L7796

MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119 L7978

MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119E6327

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119L6327HTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119L6327XT

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119L6433

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V

auf Bestellung 86725 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3463+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3463

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119L6433HTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119L6433HTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119N H6327

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 36194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.53 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.092 EUR
6000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119N H6327

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119N H6327

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119N H7796

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6918+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 6918

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3080 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1051+	0.14 EUR
1086+	0.13 EUR
2500+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1051

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3607 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

313+	0.23 EUR
379+	0.19 EUR
424+	0.17 EUR
582+	0.12 EUR
658+	0.11 EUR
725+	0.099 EUR
770+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

auf Bestellung 3607 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

313+	0.23 EUR
379+	0.19 EUR
424+	0.17 EUR
582+	0.12 EUR
658+	0.11 EUR
725+	0.099 EUR
770+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.094 EUR
9000+	0.091 EUR
15000+	0.085 EUR
21000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.063 EUR
6000+	0.042 EUR
9000+	0.04 EUR
15000+	0.038 EUR
21000+	0.036 EUR
30000+	0.034 EUR
75000+	0.033 EUR
150000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS119NH6327XTSA1

Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 19010 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 254 Stücke:

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BSS119NH6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 22988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
64+	0.28 EUR
137+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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BSS119NH6327XTSA1

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 52407 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.32 EUR
16+	0.18 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.11 EUR
3000+	0.079 EUR
6000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 504000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.064 EUR
252000+	0.056 EUR
378000+	0.05 EUR
504000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS119NH6327XTSA1

N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

auf Bestellung 2540 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

250+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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BSS119NH6327XTSA1

auf Bestellung 19010 Stücke:

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BSS119NH6327XTSA1
Produktcode: 118883

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 26031 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1169+	0.12 EUR
1174+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR
18000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 1169

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BSS119NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.063 EUR
6000+	0.042 EUR
9000+	0.04 EUR
15000+	0.038 EUR
21000+	0.036 EUR
30000+	0.034 EUR
75000+	0.033 EUR
150000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS119NH6433XTMA1

MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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BSS119NH6433XTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

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BSS119NH7796

BSS119NH7796

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5682+	0.076 EUR
10000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 5682

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BSS119NH7796

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6918+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 6918

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BSS119NH7796

BSS119NH7796

auf Bestellung 8803 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5682+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 5682

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BSS119NH7978XTSA1

BSS119NH7978XTSA1

auf Bestellung 14450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2134+	0.2 EUR
10000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2134

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BSS119NH7978XTSA1

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2597+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2597

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BSS12

auf Bestellung 18900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.079 EUR
6000+	0.073 EUR
12000+	0.068 EUR
27000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS123

YFW

Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V

auf Bestellung 526451 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
60+	0.3 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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BSS123

Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 523320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123

MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2340000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3437+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 3437

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BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2340000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3437+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 3437

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BSS123

SHIKUES

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 147000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

GALAXY

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS123

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.5nC

auf Bestellung 16185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.24 EUR
428+	0.17 EUR
632+	0.11 EUR
749+	0.096 EUR
1069+	0.067 EUR
1217+	0.059 EUR
1500+	0.055 EUR
3000+	0.049 EUR
6000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 295

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC

auf Bestellung 181685 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.53 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3004+	0.048 EUR
3077+	0.045 EUR
3155+	0.043 EUR
3226+	0.04 EUR
3312+	0.037 EUR
6000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 3004

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

auf Bestellung 16185 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

295+	0.24 EUR
428+	0.17 EUR
632+	0.11 EUR
749+	0.096 EUR
1069+	0.067 EUR
1217+	0.059 EUR
1500+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 295

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V

auf Bestellung 526451 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.087 EUR
15000+	0.081 EUR
21000+	0.077 EUR
30000+	0.074 EUR
75000+	0.067 EUR
150000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

auf Bestellung 93000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

ROHM Semiconductor

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

MDD(Microdiode Electronics)

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 20981 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

321+	0.45 EUR
792+	0.18 EUR
1262+	0.11 EUR
1327+	0.097 EUR
1399+	0.089 EUR
3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 321

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Fairchild

N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

250+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 250

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 5.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1875+	0.038 EUR
4225+	0.017 EUR
4675+	0.015 EUR
5275+	0.014 EUR

Mindestbestellmenge: 1875

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

HT Jinyu Semiconductor

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 234000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7693+	0.019 EUR
60000+	0.016 EUR

Mindestbestellmenge: 7693

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10947 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

534+	0.27 EUR
795+	0.18 EUR
1527+	0.088 EUR
3004+	0.043 EUR
3077+	0.04 EUR
3155+	0.038 EUR
3226+	0.035 EUR
3312+	0.034 EUR
6000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 534

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

SLKOR

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123

Fairchild/ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3519 Stücke:

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BSS123

HT SEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 11990 Stücke:

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3000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3

auf Bestellung 3 Stücke:

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BSS123

auf Bestellung 523320 Stücke:

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BSS123

MOSFETs

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BSS123
Produktcode: 207526

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS123 0.323MM

JUXING

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

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1000+	0.038 EUR

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BSS123 E6327

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123 E6433

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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BSS123 E6433

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BSS123 H6327

MOSFETs

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BSS123 L6327

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123 L6327

GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

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BSS123 L6433

GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

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BSS123 L6433

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123 L7874

MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123,215

NXP

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.059 EUR
18000+	0.052 EUR
27000+	0.047 EUR
36000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123,215

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 633000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123,215

Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2457000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3165+	0.046 EUR
6000+	0.036 EUR
9000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3165

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123,215

NXP

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 1380 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 412 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123,215

NXP Semiconductors

N-кан. MOSFET SOT-23

auf Bestellung 609 Stücke:

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BSS123,215

MOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB

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BSS123,215

Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2457000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3175+	0.046 EUR
6000+	0.036 EUR
9000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3175

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 25506 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123,215

NXP

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123,215

Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

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BSS123,215

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BSS123,215

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 288000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13158+	0.041 EUR
100000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 13158

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BSS123-13-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.059 EUR
20000+	0.052 EUR
30000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123-13-F

MOSFETs

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BSS123-13-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123-13-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123-13-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123-13P

Description: MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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BSS123-13P

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123-13P

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BSS123-13P

MOSFETs

auf Bestellung 8969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.35 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.093 EUR
1000+	0.079 EUR
2500+	0.07 EUR
5000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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BSS123-7

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7

MOSFETs 100V 360mW

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BSS123-7-F
Produktcode: 148378

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 384000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

MOSFETs 100V 360mW

auf Bestellung 57432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.33 EUR
14+	0.21 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.095 EUR
1000+	0.084 EUR
3000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1986000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5848+	0.025 EUR
6000+	0.024 EUR
9000+	0.023 EUR
15000+	0.021 EUR
21000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 5848

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BSS123-7-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	0.26 EUR
358+	0.2 EUR
388+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

auf Bestellung 388 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

278+	0.26 EUR
358+	0.2 EUR
388+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 278

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1857000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5103+	0.028 EUR
6000+	0.027 EUR
9000+	0.026 EUR
15000+	0.025 EUR
21000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 5103

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 272653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.028 EUR
15000+	0.027 EUR
21000+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 163873 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.35 EUR
84+	0.21 EUR
135+	0.13 EUR
500+	0.096 EUR
1000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 294000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.028 EUR
15000+	0.027 EUR
21000+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123-7-F

Diodes INC.

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 294000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5103+	0.028 EUR
6000+	0.027 EUR
9000+	0.026 EUR
15000+	0.025 EUR
21000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 5103

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.064 EUR
6000+	0.055 EUR
9000+	0.05 EUR
15000+	0.045 EUR
21000+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1857000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5103+	0.028 EUR
6000+	0.027 EUR
9000+	0.026 EUR
15000+	0.025 EUR
21000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 5103

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BSS123-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 163873 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.068 EUR
6000+	0.061 EUR
9000+	0.057 EUR
15000+	0.053 EUR
21000+	0.05 EUR
30000+	0.048 EUR
75000+	0.043 EUR
150000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1986000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.024 EUR
15000+	0.023 EUR
21000+	0.022 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

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BSS123-7-F

auf Bestellung 272653 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123-7-F .K23

DIODES/ZETEX

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2700 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

400+	0.085 EUR

Mindestbestellmenge: 400

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BSS123-7-F-50

Description: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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BSS123-7-F-50

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123-7-F-W

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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BSS123-7-F-W

BSS Family SOT23 T&R 3K

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BSS123-7-F-W

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

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BSS123-AU-R1-000A1

Array

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BSS123-E6327
Produktcode: 98887

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Siemens

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Rds(on), Ohm: 6
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
JHGF: SMD

auf Bestellung 829 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.034 EUR
10+	0.028 EUR
100+	0.025 EUR

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BSS123-F169

onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O

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BSS123-F169

Description: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V

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BSS123-F2-0000HF

Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L

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BSS123-F2-0000HF

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123-F2-0000HF

Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L

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BSS123-G

Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123-G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 38958 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3129+	0.17 EUR
10000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3129

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BSS123-G

MOSFET FET 100V 6.0 MOHM

auf Bestellung 11044 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
100+	0.52 EUR
1000+	0.2 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS123-G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3129+	0.17 EUR
10000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3129

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BSS123-G

Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123-G

FET 100V 6.0 MOHM SOT23

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BSS123-G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3129+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3129

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BSS123-ML

MOSLEADER

Description: 0.35W 100V 0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

200+	0.095 EUR
1000+	0.086 EUR
3000+	0.066 EUR
6000+	0.064 EUR
9000+	0.062 EUR
15000+	0.059 EUR
30000+	0.055 EUR
75000+	0.05 EUR
150000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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BSS123-R1-00001

MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH

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BSS123-R2-00001

MOSFETs

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BSS123-TP

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.062 EUR
6000+	0.056 EUR
9000+	0.052 EUR
15000+	0.048 EUR
21000+	0.046 EUR
30000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-TP

MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W

auf Bestellung 7175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.3 EUR
15+	0.19 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.086 EUR
1000+	0.076 EUR
3000+	0.053 EUR
6000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-TP

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 33134 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

59+	0.3 EUR
93+	0.19 EUR
150+	0.12 EUR
500+	0.086 EUR
1000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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BSS123-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1851000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.018 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

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BSS123-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123-TP

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123.215
Produktcode: 49331

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.15
Rds(on), Ohm: 6
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123.215

NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123/LF1R

Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123A

ZETEX

06+;

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123ATA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123ATA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123ATA

MOSFETs N-Chnl 100V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123ATC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123DWS-TP

Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
Power - Max: 271mW (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123DWS-TP

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123DWS-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E-TP

Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E-TP

MOSFETs

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E6327

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E6327

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123E6327

auf Bestellung 294000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTMA1

Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3135+	0.046 EUR
6000+	0.039 EUR
9000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3135

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3206+	0.045 EUR
6000+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 3206

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS

auf Bestellung 15320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.35 EUR
15+	0.2 EUR
100+	0.095 EUR
500+	0.086 EUR
3000+	0.049 EUR
6000+	0.046 EUR
9000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

164+	0.43 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.072 EUR
1500+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 164

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 88583 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11674+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 11674

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

164+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 164

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V

auf Bestellung 10715 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.35 EUR
83+	0.21 EUR
133+	0.13 EUR
500+	0.097 EUR
1000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 50

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3206+	0.045 EUR
6000+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 3206

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

863+	0.17 EUR
1764+	0.079 EUR
2000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 863

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 728680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11674+	0.046 EUR
100000+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 11674

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.069 EUR
6000+	0.061 EUR
9000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3125+	0.046 EUR
6000+	0.04 EUR
9000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3125

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123IXTSA1

Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3628 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-13

MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-13

Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-7

MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K

auf Bestellung 1522 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.03 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-7

Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR
15000+	0.18 EUR
21000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 165000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W

auf Bestellung 5706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.32 EUR
15+	0.19 EUR
100+	0.12 EUR
500+	0.09 EUR
1000+	0.079 EUR
3000+	0.055 EUR
6000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 29990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 9494 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

56+	0.32 EUR
91+	0.2 EUR
146+	0.12 EUR
500+	0.088 EUR
1000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 56

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 29990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123K-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 642000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123KHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123KHE3-TP

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

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BSS123KHE3-TP

MOSFETs

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BSS123KHE3-TP

BSS123KHE3-TP

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3145+	0.046 EUR
6000+	0.043 EUR
9000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 3145

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3226+	0.045 EUR
6000+	0.042 EUR
9000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3226

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BSS123L

MOSFETs Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23

auf Bestellung 605795 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.27 EUR
22+	0.13 EUR
100+	0.092 EUR
500+	0.083 EUR
3000+	0.049 EUR
9000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 11

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BSS123L

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3226+	0.045 EUR
6000+	0.042 EUR
9000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3226

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 57000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123L

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V

auf Bestellung 75703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

46+	0.39 EUR
76+	0.23 EUR
122+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 46

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3155+	0.046 EUR
6000+	0.043 EUR
9000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3155

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BSS123L

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 76338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 17967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

897+	0.16 EUR
1877+	0.074 EUR
1894+	0.071 EUR
2771+	0.047 EUR
2778+	0.045 EUR
3087+	0.038 EUR
3116+	0.036 EUR

Mindestbestellmenge: 897

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BSS123L

auf Bestellung 14495 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

358+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
603+	0.12 EUR
933+	0.077 EUR
1099+	0.065 EUR
1498+	0.048 EUR
1539+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 358

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 76338 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.078 EUR
6000+	0.069 EUR
9000+	0.065 EUR
15000+	0.061 EUR
21000+	0.058 EUR
30000+	0.055 EUR
75000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123L

auf Bestellung 14495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

358+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
603+	0.12 EUR
933+	0.077 EUR
1099+	0.065 EUR
1498+	0.048 EUR
1539+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 358

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BSS123L

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 17967 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2771+	0.052 EUR
2778+	0.05 EUR
3087+	0.043 EUR
3116+	0.041 EUR
3135+	0.04 EUR
6000+	0.038 EUR
15000+	0.036 EUR

Mindestbestellmenge: 2771

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L6327HTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L6327XT

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123L6433HTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L6433HTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L6433XT

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123L7874XT

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LG

MOSFETs

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BSS123LT

NFET SOT23 100V 170MA 6.0

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BSS123LT1

SOT23

auf Bestellung 437 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1

auf Bestellung 3260 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1

MOSFETs 100V 170mA N-Channel

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 133354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 939000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

802+	0.18 EUR
1448+	0.096 EUR
1462+	0.092 EUR
2263+	0.057 EUR
2359+	0.053 EUR
2476+	0.048 EUR
2605+	0.044 EUR
3000+	0.041 EUR
6000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 802

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

auf Bestellung 168000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.088 EUR
6000+	0.079 EUR
9000+	0.074 EUR
15000+	0.069 EUR
21000+	0.066 EUR
30000+	0.063 EUR
75000+	0.057 EUR
150000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 7-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 158 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.056 EUR
6000+	0.053 EUR
12000+	0.049 EUR
27000+	0.046 EUR
51000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 588 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

MOSFETs 100V 170mA N-Channel

auf Bestellung 104178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.39 EUR
13+	0.22 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.1 EUR
3000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

auf Bestellung 133354 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6026 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2841+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 2841

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 8497 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2263+	0.064 EUR
2359+	0.059 EUR
2476+	0.054 EUR
2605+	0.05 EUR
3000+	0.045 EUR
6000+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 2263

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123LT1G

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

auf Bestellung 171458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
68+	0.26 EUR
109+	0.16 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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BSS123LT1G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 11869 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	0.26 EUR
397+	0.18 EUR
593+	0.12 EUR
706+	0.1 EUR
878+	0.082 EUR
1019+	0.07 EUR
1166+	0.061 EUR
3000+	0.051 EUR
6000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 278

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BSS123LT1G

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123LT1G

N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3

auf Bestellung 452 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2916000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3437+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 3437

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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 939000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 690000 Stücke:

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BSS123LT1G

auf Bestellung 11869 Stücke:

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278+	0.26 EUR
397+	0.18 EUR
593+	0.12 EUR
706+	0.1 EUR
878+	0.082 EUR
1019+	0.07 EUR
1166+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 278

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BSS123LT1G
Produktcode: 42430

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD

verfügbar 1753 Stück:

115 Stück - stock Köln
1638 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

1+	0.034 EUR
100+	0.025 EUR

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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2916000 Stücke:

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3437+	0.042 EUR

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BSS123LT1G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 23644 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

447+	0.32 EUR
806+	0.17 EUR
1288+	0.1 EUR
1662+	0.078 EUR
1764+	0.07 EUR
3345+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 447

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BSS123LT1G

auf Bestellung 4600 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123LT3

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123LT3G

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123LT3G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123LT7G

MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0

auf Bestellung 24496 Stücke:

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BSS123LT7G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123LT7G

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS123LT7G

Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

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BSS123M-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723

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BSS123M-TP

Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123M-TP

MOSFETs

auf Bestellung 1472 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	0.2 EUR
23+	0.12 EUR
100+	0.079 EUR
500+	0.053 EUR
1000+	0.048 EUR
2500+	0.04 EUR
5000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 15

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BSS123N H6327

auf Bestellung 546000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS123N H6327

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 586186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.41 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123N H6327

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

632+	0.23 EUR
656+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR
2500+	0.18 EUR
5000+	0.17 EUR
10000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 632

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BSS123N H6433

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 10826 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
2500+	0.1 EUR
5000+	0.092 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS123NH6327

Infineon technologies

auf Bestellung 3003 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS123NH6327XT

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.059 EUR
6000+	0.054 EUR
9000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 103047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
63+	0.28 EUR
101+	0.17 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 39

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 19984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

556+	0.13 EUR
715+	0.1 EUR
758+	0.094 EUR
985+	0.073 EUR
1097+	0.065 EUR
1194+	0.06 EUR
1303+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 556

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 360000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123NH6327XTSA1

Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 134525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 19984 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

556+	0.13 EUR
715+	0.1 EUR
758+	0.094 EUR
985+	0.073 EUR
1097+	0.065 EUR
1194+	0.06 EUR
1303+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 556

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BSS123NH6327XTSA1
Produktcode: 198093

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.057 EUR
6000+	0.053 EUR
9000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.057 EUR
6000+	0.053 EUR
9000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 43057 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1961+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 1961

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BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 26475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1755+	0.082 EUR
2500+	0.077 EUR
5000+	0.072 EUR
10000+	0.068 EUR
25000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 1755

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BSS123NH6327XTSA1

auf Bestellung 134525 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 103047 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.092 EUR
6000+	0.083 EUR
9000+	0.078 EUR
15000+	0.073 EUR
21000+	0.07 EUR
30000+	0.067 EUR
75000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123NH6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.059 EUR
6000+	0.054 EUR
9000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6327XTSA1

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 81967 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	0.21 EUR
21+	0.14 EUR
100+	0.11 EUR
3000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 14

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123NH6433XTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 120150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
64+	0.28 EUR
102+	0.17 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR
2000+	0.1 EUR
5000+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 39

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BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23

auf Bestellung 1373999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 330000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123NH6433XTMA1

Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123NH6433XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

157+	0.46 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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BSS123NH6433XTMA1

MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

auf Bestellung 27373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.45 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.1 EUR
5000+	0.088 EUR
10000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123NH6433XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

157+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 157

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BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 330000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123NH6433XTMA1

auf Bestellung 11709 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123NH6433XTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 110000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.076 EUR
20000+	0.07 EUR
30000+	0.066 EUR
50000+	0.062 EUR
70000+	0.06 EUR
100000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123NH6433XTMA1

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS123NH6433XTMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 39825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

730+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR
2000+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 730

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BSS123NH6433XTMA1
Produktcode: 190235

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BSS123Q-13

Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123Q-13

Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10899 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
68+	0.26 EUR
108+	0.16 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR
2000+	0.095 EUR
5000+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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BSS123Q-13

MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K

auf Bestellung 19000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.33 EUR
14+	0.21 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.095 EUR
1000+	0.074 EUR
5000+	0.069 EUR
10000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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BSS123Q-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123Q-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 100V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123Q-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123Q-13

Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123Q-13

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123Q-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS123Q-13

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123Q-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

410+	0.17 EUR
500+	0.14 EUR
3000+	0.036 EUR

Mindestbestellmenge: 410

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 10061 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
68+	0.26 EUR
108+	0.16 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 42

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.086 EUR
6000+	0.078 EUR
9000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K

auf Bestellung 6437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.33 EUR
14+	0.21 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.095 EUR
1000+	0.084 EUR
3000+	0.07 EUR
9000+	0.053 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

410+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 410

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123Q-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123T-HF

MOSFETs 100V 0.19A SOT-23

auf Bestellung 5003 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.14 EUR
6000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123T-HF

100 V, N Channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123T-HF

Description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

auf Bestellung 29668 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.72 EUR
39+	0.45 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

auf Bestellung 29650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.16 EUR
6000+	0.14 EUR
9000+	0.13 EUR
21000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 2891 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

193+	0.37 EUR
228+	0.31 EUR
258+	0.28 EUR
368+	0.19 EUR
428+	0.17 EUR
589+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 193

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

auf Bestellung 2891 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

193+	0.37 EUR
228+	0.31 EUR
258+	0.28 EUR
368+	0.19 EUR
428+	0.17 EUR
589+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 193

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

auf Bestellung 2399 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TA

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123TA

MOSFETs N-Chnl 100V

auf Bestellung 53220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.73 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.16 EUR
6000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123TC

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

385+	0.19 EUR
570+	0.13 EUR
650+	0.11 EUR
715+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 385

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1681+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 1681

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R

auf Bestellung 12819 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

auf Bestellung 1190 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

385+	0.19 EUR
570+	0.13 EUR
650+	0.11 EUR
715+	0.1 EUR
3000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 385

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BSS123W

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123W

MOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS123W

YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Case: SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 5.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R

auf Bestellung 6494 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

872+	0.17 EUR
1304+	0.11 EUR
1931+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 872

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R

auf Bestellung 8400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

638+	0.23 EUR
955+	0.15 EUR
1681+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 638

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W

100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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BSS123W RFG

Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W RFG

Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V

auf Bestellung 3020 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

56+	0.32 EUR
89+	0.2 EUR
143+	0.12 EUR
500+	0.09 EUR
1000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 56

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W RFG

Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W RFG

MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 6133 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.33 EUR
14+	0.2 EUR
100+	0.13 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.081 EUR
3000+	0.065 EUR
6000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W RFG

Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.066 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7

MOSFET 100V 200mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.096 EUR
15000+	0.083 EUR
21000+	0.077 EUR
30000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

DIODES/ZETEX

N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2875 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 246000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.096 EUR
9000+	0.091 EUR
15000+	0.085 EUR
21000+	0.081 EUR
30000+	0.078 EUR
75000+	0.07 EUR
150000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 1570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	0.36 EUR
334+	0.21 EUR
511+	0.14 EUR
604+	0.12 EUR
834+	0.086 EUR
1000+	0.077 EUR
1500+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.086 EUR
6000+	0.082 EUR
9000+	0.058 EUR
15000+	0.047 EUR
21000+	0.044 EUR
30000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

auf Bestellung 1570 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.36 EUR
334+	0.21 EUR
511+	0.14 EUR
604+	0.12 EUR
834+	0.086 EUR
1000+	0.077 EUR
1500+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1690 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR
9000+	0.096 EUR
15000+	0.083 EUR
21000+	0.077 EUR
30000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 246682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
56+	0.32 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-7-F

MOSFETs 100V 200mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS123W-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V

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BSS123W-TP

MOSFETs N-Channel Mosfets

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BSS123W-TP

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R

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BSS123W-TP

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V

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BSS123WQ-7-F

MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA

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BSS123WQ-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

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BSS123WQ-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123WQ-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.059 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123WQ-7-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	0.29 EUR
317+	0.23 EUR
391+	0.18 EUR
434+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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BSS123WQ-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 189336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
69+	0.26 EUR
111+	0.16 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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BSS123WQ-7-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

250+	0.29 EUR
317+	0.23 EUR
391+	0.18 EUR
434+	0.17 EUR
500+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 250

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BSS123WQ-7-F

Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 5600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS123WQ-7-F

Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.059 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123WQ-7-F

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 189000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.084 EUR
6000+	0.075 EUR
9000+	0.071 EUR
15000+	0.066 EUR
21000+	0.063 EUR
30000+	0.06 EUR
75000+	0.054 EUR
150000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123_D87Z

Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V

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BSS123_Q

MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC

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BSS123_R1_00001

PanJit

BSS123_R1_00001

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1737+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1737

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BSS123_R1_00001

PanJit Semiconductor

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 1.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.68A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3107 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.24 EUR
527+	0.14 EUR
855+	0.084 EUR
1191+	0.06 EUR
1378+	0.052 EUR
3000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 295

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BSS123_R1_00001

Panjit International Inc.

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

auf Bestellung 2553 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.3 EUR
16+	0.18 EUR
100+	0.11 EUR
500+	0.081 EUR
1000+	0.07 EUR
3000+	0.042 EUR
6000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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BSS123_R1_00001

PanJit Semiconductor

auf Bestellung 3107 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

295+	0.24 EUR
527+	0.14 EUR
855+	0.084 EUR
1191+	0.06 EUR
1378+	0.052 EUR
3000+	0.042 EUR
6000+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 295

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BSS123_R1_00001

Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V

auf Bestellung 21587 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
100+	0.18 EUR
161+	0.11 EUR
500+	0.08 EUR
1000+	0.07 EUR

Mindestbestellmenge: 63

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BSS123_R1_00001

Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.058 EUR
6000+	0.052 EUR
9000+	0.048 EUR
15000+	0.045 EUR
21000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS123_R2_00001

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected

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BSS124

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS125

CSE

Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS125

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS125
Produktcode: 51591

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Gehäuse: TO-92
Uds,V: 600
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 45
JHGF: THT

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BSS126 E6327

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BSS126 E6327

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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BSS126 E6906

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126 E6906

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BSS126 H6327

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5330 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

295+	0.49 EUR
307+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.39 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 295

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BSS126 H6327

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 8159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.01 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.3 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126 H6327

N-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS126 H6906

Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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BSS126 H6906

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 7764 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.66 EUR
10+	1.03 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.47 EUR
3000+	0.43 EUR
6000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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BSS126 L6327

GaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

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BSS126 L6906

GaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V

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BSS126 Transistor
Produktcode: 61604

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BSS126H6327XT

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS126H6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BSS126H6327XTSA2

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 1158 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.57 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR
3000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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BSS126H6327XTSA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 2446 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

120+	0.6 EUR
150+	0.48 EUR
172+	0.42 EUR
278+	0.26 EUR
500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 120

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126H6327XTSA2

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.19 EUR
9000+	0.18 EUR
15000+	0.17 EUR
21000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 309000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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BSS126H6327XTSA2

Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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232+	0.62 EUR
500+	0.48 EUR
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BSS126H6327XTSA2

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120+	0.6 EUR
150+	0.48 EUR
172+	0.42 EUR
278+	0.26 EUR
500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 120

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BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 309000 Stücke:

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3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR

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BSS126H6327XTSA2

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 40869 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

19+	0.95 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 19

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BSS126H6327XTSA2

auf Bestellung 9464 Stücke:

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BSS126H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6084 Stücke:

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294+	0.49 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.29 EUR
5000+	0.28 EUR

Mindestbestellmenge: 294

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BSS126H6906XTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

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BSS126H6906XTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 44147 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.55 EUR
19+	0.97 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 12

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BSS126H6906XTSA1

Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 34830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS126H6906XTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

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445+	0.33 EUR
446+	0.31 EUR
479+	0.28 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 445

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BSS126H6906XTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 44660 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

422+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 422

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BSS126H6906XTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.38 EUR
6000+	0.35 EUR
9000+	0.34 EUR
15000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126H6906XTSA1

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 30224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.82 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.43 EUR
3000+	0.38 EUR
6000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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BSS126H6906XTSA1

auf Bestellung 34830 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS126H6906XTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

527+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 527

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BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

969+	0.15 EUR
1092+	0.13 EUR
1266+	0.11 EUR
3000+	0.091 EUR
6000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 969

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BSS126IXTSA1

MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS

auf Bestellung 7508 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.51 EUR
10+	0.31 EUR
100+	0.17 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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BSS126IXTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 280Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126IXTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V

auf Bestellung 4598 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
56+	0.32 EUR
103+	0.17 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.076 EUR
6000+	0.071 EUR
9000+	0.055 EUR
24000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS126IXTSA1

Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

530+	0.27 EUR
764+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 530

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

313+	0.46 EUR
551+	0.25 EUR
969+	0.14 EUR
1092+	0.12 EUR
1266+	0.098 EUR
3000+	0.084 EUR
6000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 313

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5965+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 5965

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.087 EUR
24000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.076 EUR
6000+	0.071 EUR
9000+	0.055 EUR
24000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126IXTSA1

Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1404 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126L6327HTSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126L6327XT

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS126L6906HTSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126SK-13

Description: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126SK-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126SK-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS126SK-7

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127

MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127

Rectron USA

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127
Produktcode: 40606

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BSS127

N/A

SOT-23 05+

auf Bestellung 208500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127 E6327

Array

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127 E6327

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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BSS127 H6327

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 44831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.15 EUR
6000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS127 H6327

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 16475 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

323+	0.45 EUR
500+	0.42 EUR
1000+	0.39 EUR
2500+	0.36 EUR
5000+	0.34 EUR
10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 323

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BSS127 L6327

GaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3

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BSS127E6327

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS127H6327XT

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS127H6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127H6327XTSA2

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.095 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS127H6327XTSA2

N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 5935 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

100+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 100

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127H6327XTSA2

Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

467+	0.31 EUR
755+	0.18 EUR
976+	0.14 EUR
1159+	0.11 EUR
3000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 467

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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BSS127H6327XTSA2

MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3

auf Bestellung 9627 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.39 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS127H6327XTSA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 3361 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

167+	0.43 EUR
230+	0.31 EUR
281+	0.25 EUR
332+	0.22 EUR
391+	0.18 EUR
562+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 167

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

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BSS127H6327XTSA2

auf Bestellung 1430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS127H6327XTSA2

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 16406 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
45+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 28

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	0.51 EUR
467+	0.3 EUR
755+	0.18 EUR
976+	0.13 EUR
1159+	0.11 EUR
3000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 284

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.097 EUR
6000+	0.087 EUR
9000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127H6327XTSA2

auf Bestellung 3361 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	0.43 EUR
230+	0.31 EUR
281+	0.25 EUR
332+	0.22 EUR
391+	0.18 EUR
562+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 167

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BSS127H6327XTSA2

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.097 EUR
6000+	0.087 EUR
9000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 56650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6356+	0.085 EUR
10000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 6356

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.089 EUR
9000+	0.072 EUR
24000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Technology: MOSFET

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6356+	0.085 EUR
10000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 6356

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.089 EUR
9000+	0.072 EUR
24000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V

auf Bestellung 4338 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
64+	0.28 EUR
122+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 36

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127IXTSA1

MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS

auf Bestellung 14491 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.5 EUR
11+	0.27 EUR
100+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR
9000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127L6327HTSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127L6327XT

Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
On-state resistance: 160Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 3086 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	0.47 EUR
193+	0.37 EUR
225+	0.32 EUR
350+	0.2 EUR
421+	0.17 EUR
610+	0.12 EUR
1000+	0.1 EUR
1500+	0.097 EUR
3000+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 152

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.087 EUR
15000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.087 EUR
15000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.094 EUR
9000+	0.089 EUR
15000+	0.085 EUR
21000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

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3000+	0.11 EUR
6000+	0.094 EUR
9000+	0.089 EUR
15000+	0.085 EUR
21000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127S-7

Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V

auf Bestellung 2572 Stücke:

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31+	0.58 EUR
50+	0.35 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR

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BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1775 Stücke:

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912+	0.18 EUR
1021+	0.13 EUR
1095+	0.11 EUR
1210+	0.098 EUR
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BSS127S-7

MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA

auf Bestellung 15170 Stücke:

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5+	0.68 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.16 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS127S-7

auf Bestellung 3086 Stücke:

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152+	0.47 EUR
193+	0.37 EUR
225+	0.32 EUR
350+	0.2 EUR
421+	0.17 EUR
610+	0.12 EUR
1000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 152

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BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1775 Stücke:

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1210+	0.12 EUR
1354+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1210

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BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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BSS127S-7

Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2162 Stücke:

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BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

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3000+	0.11 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127S-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS127S-7

Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127S-7-50

Description: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V

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BSS127S-7-50

N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127SSN-7

Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 4545 Stücke:

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BSS127SSN-7

MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K

auf Bestellung 2773 Stücke:

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4+	0.73 EUR
10+	0.45 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 4

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS127SSN-7

Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V

auf Bestellung 2424 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
40+	0.44 EUR
100+	0.28 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

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BSS127SSN-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

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3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS127SSN-7

auf Bestellung 4545 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS127SSN-7

Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V

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BSS127SSN-7

Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R

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BSS129

Vishay

Trans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92

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BSS129

PHI

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS129

SIEMENS

SMD

auf Bestellung 101000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS13

auf Bestellung 18900 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS131

МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS131

YFW

Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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BSS131

Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 835 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
57+	0.31 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 35

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131

HXY MOSFET

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 200

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131

FUXINSEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131

Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)

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BSS131

SLKOR

Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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BSS131 (SOT-23)
Produktcode: 33823

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS131 E6327

MOSFETs

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BSS131 H6327

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 26600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

245+	0.59 EUR
256+	0.55 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.47 EUR
2500+	0.44 EUR
5000+	0.41 EUR
10000+	0.38 EUR
25000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 245

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BSS131 H6327

MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

auf Bestellung 13933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS131 H6327

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 26870 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

288+	0.5 EUR
300+	0.47 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR
10000+	0.33 EUR
25000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 288

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BSS131 L6327

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS131 L6327

GaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3

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BSS131E6327

Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131E6327

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS131H6327

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327
Produktcode: 122768

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
JHGF: SMD

auf Bestellung 288 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XT

MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

auf Bestellung 14332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.48 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 243000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.087 EUR
6000+	0.075 EUR
9000+	0.063 EUR
15000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

627+	0.23 EUR
785+	0.18 EUR
794+	0.17 EUR
1200+	0.11 EUR
1213+	0.1 EUR
1219+	0.097 EUR
1244+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 627

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XTSA1

MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3

auf Bestellung 60604 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.42 EUR
15+	0.2 EUR
100+	0.13 EUR
3000+	0.092 EUR
6000+	0.086 EUR
9000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131H6327XTSA1

N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 2500 Stücke:

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200+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 243000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.087 EUR
6000+	0.076 EUR
9000+	0.064 EUR
15000+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS131H6327XTSA1

Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 9933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS131H6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 21665 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
87+	0.2 EUR
131+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1200+	0.12 EUR
1213+	0.11 EUR
1244+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 1200

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 32699 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

878+	0.16 EUR
1334+	0.1 EUR
2000+	0.095 EUR
5000+	0.09 EUR

Mindestbestellmenge: 878

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BSS131H6327XTSA1

auf Bestellung 3788 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

264+	0.27 EUR
447+	0.16 EUR
577+	0.12 EUR
682+	0.1 EUR
789+	0.091 EUR
921+	0.078 EUR
1009+	0.071 EUR

Mindestbestellmenge: 264

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS131H6327XTSA1

Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.093 EUR
6000+	0.088 EUR
9000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS131H6327XTSA1

N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 669000 Stücke:

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BSS131H6327XTSA1

auf Bestellung 3788 Stücke:

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264+	0.27 EUR
447+	0.16 EUR
577+	0.12 EUR
682+	0.1 EUR
789+	0.091 EUR
921+	0.078 EUR
1009+	0.071 EUR
1040+	0.069 EUR

Mindestbestellmenge: 264

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BSS131H6327XTSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6664 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

410+	0.35 EUR
832+	0.17 EUR
872+	0.15 EUR
1301+	0.095 EUR
1313+	0.09 EUR
1320+	0.086 EUR
2223+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 410

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BSS131H6327XTSA1

auf Bestellung 9933 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS131IXUSA1

Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS131IXUSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

326+	0.44 EUR
538+	0.26 EUR
544+	0.25 EUR
877+	0.15 EUR
886+	0.14 EUR
1208+	0.098 EUR
1380+	0.082 EUR
3000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 326

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BSS131IXUSA1

Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS131IXUSA1

Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V

auf Bestellung 2900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
58+	0.3 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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BSS131IXUSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

877+	0.16 EUR
1208+	0.11 EUR
1380+	0.094 EUR
3000+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 877

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BSS131IXUSA1

MOSFETs Small-Signal Power-Transistor

auf Bestellung 2192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.42 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.16 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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BSS131IXUSA1

Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS131IXUSA1

Description: BSS131IXUSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131L6327HTSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131L6327XT

09+ MSOP8

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS131L6327XT

Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS134N

SOT-23

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS135
Produktcode: 77919

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS135

auf Bestellung 80000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

YANGJIE TECHNOLOGY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 50V; 0.272A
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.272A
Power dissipation: 0.35W
Pulsed drain current: 1.5A
On-state resistance: 3Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 1038 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	0.23 EUR
127+	0.14 EUR
207+	0.085 EUR
500+	0.062 EUR
1000+	0.054 EUR

Mindestbestellmenge: 77

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 9690 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH

Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 14280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.029 EUR
6000+	0.028 EUR
9000+	0.027 EUR
15000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

JSMicro Semiconductor

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

500+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

500+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 500

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

auf Bestellung 420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1832+	0.079 EUR
1950+	0.071 EUR
2080+	0.065 EUR
3000+	0.058 EUR
6000+	0.052 EUR
15000+	0.045 EUR
30000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 1832

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21086 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30872 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

600+	0.24 EUR
1553+	0.09 EUR
1637+	0.082 EUR
1728+	0.075 EUR
1832+	0.068 EUR
1950+	0.061 EUR
2080+	0.055 EUR
3000+	0.051 EUR
6000+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 600

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2625 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.35 EUR
84+	0.21 EUR
135+	0.13 EUR
500+	0.096 EUR
1000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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BSS138

EVVO

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.042 EUR
6000+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

LGE

Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 177062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 1121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.42 EUR
69+	0.26 EUR
110+	0.16 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 42

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BSS138

GALAXY

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 2600 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS138

SOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150

auf Bestellung 9550 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138

MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC

auf Bestellung 97866 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.42 EUR
12+	0.24 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.11 EUR
3000+	0.067 EUR
6000+	0.063 EUR
9000+	0.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7

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BSS138
Produktcode: 197212

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD

auf Bestellung 18581 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138

Microdiode Electronics

BSS138

auf Bestellung 1752000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.043 EUR
876000+	0.038 EUR
1314000+	0.034 EUR
1752000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

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BSS138

Good-Ark Electronics

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Good-Ark

Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V

auf Bestellung 5898 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

455+	0.16 EUR
820+	0.087 EUR
1034+	0.069 EUR
1374+	0.052 EUR
1588+	0.045 EUR
1731+	0.041 EUR
1866+	0.038 EUR
3000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 455

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BSS138

Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 108000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.044 EUR
6000+	0.039 EUR
9000+	0.037 EUR
15000+	0.034 EUR
21000+	0.032 EUR
30000+	0.031 EUR
75000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138

SLKOR

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 1970 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS138

Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm

auf Bestellung 14280 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138

Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

auf Bestellung 2273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
182+	0.097 EUR
298+	0.059 EUR
500+	0.043 EUR
1000+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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BSS138

HXY MOSFET

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.042 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS138

YFW

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 1130 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1437000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.05 EUR
6000+	0.024 EUR
9000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 430mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

auf Bestellung 1714 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

112+	0.16 EUR
323+	0.055 EUR
374+	0.047 EUR
445+	0.04 EUR
496+	0.036 EUR
530+	0.033 EUR
1000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 112

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BSS138

JUXING

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

auf Bestellung 177062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 1121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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BSS138

On Semiconductor/Fairchild

N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

200+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 200

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BSS138

SOT-223, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=220mA, -55...+150

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138
Produktcode: 144172

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138

HT Jinyu Semiconductor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

auf Bestellung 711000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8621+	0.017 EUR
60000+	0.014 EUR
300000+	0.012 EUR

Mindestbestellmenge: 8621

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BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 855622 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1437000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.05 EUR
6000+	0.024 EUR
9000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

EVVO

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

84+	0.21 EUR
134+	0.13 EUR
217+	0.081 EUR
500+	0.059 EUR
1000+	0.051 EUR

Mindestbestellmenge: 84

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BSS138

LGE

Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 670 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 432000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Description: 50V 220MA 3.5@10V,220MA 225MW N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.03 EUR
6000+	0.027 EUR
9000+	0.025 EUR
15000+	0.023 EUR
21000+	0.022 EUR
30000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

HT SEMI

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; similar to: BSS138-TP BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 10800 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

auf Bestellung 5898 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

455+	0.16 EUR
820+	0.087 EUR
1034+	0.069 EUR
1374+	0.052 EUR
1588+	0.045 EUR
1731+	0.041 EUR
1866+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 455

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.074 EUR
6000+	0.067 EUR
12000+	0.061 EUR
27000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138
Produktcode: 26318

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CET

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50
Idd,A: 0.22
Rds(on), Ohm: 03.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 42/-
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

1+	0.04 EUR
10+	0.036 EUR
100+	0.032 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138 (CJ, SOT-23)
Produktcode: 186257

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
JHGF: SMD

auf Bestellung 4968 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138 (Diodes, SOT-23)
Produktcode: 125280

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Diodes

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138 (ON, SOT-23)
Produktcode: 161156

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138 RFG

MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 1783 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.48 EUR
10+	0.3 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.063 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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BSS138 RFG

Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V

auf Bestellung 35452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.49 EUR
60+	0.3 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 36

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BSS138 RFG

Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.087 EUR
15000+	0.081 EUR
21000+	0.078 EUR
30000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138 RFG

Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138 RFG

Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138 SOT23

LGE

Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 1295 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138 SS

SHIKUES

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS138"SS"

JUXING

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

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BSS138(G9-49)

2000

auf Bestellung 2520 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138(SS)

FAIRCHILD

00+ SOT-23

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138-13-F

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 190000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.048 EUR
20000+	0.044 EUR
30000+	0.041 EUR
50000+	0.039 EUR
70000+	0.037 EUR
100000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 280000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.044 EUR
20000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.028 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 130000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.044 EUR
20000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 460000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.043 EUR
20000+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-13-F

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 196951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

59+	0.3 EUR
96+	0.18 EUR
155+	0.11 EUR
500+	0.083 EUR
1000+	0.073 EUR
2000+	0.065 EUR
5000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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BSS138-13-F

auf Bestellung 9289 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 190000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.034 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F

MOSFETs BSS Family

auf Bestellung 634843 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.33 EUR
13+	0.23 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.076 EUR
2500+	0.067 EUR
5000+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.043 EUR
20000+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 710000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 10000

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BSS138-13-F-W

BSS Family SOT23 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13P

BSS138-13P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13P

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13P

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-13P

MOSFETs

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BSS138-7

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7

MOSFET 60V 360mW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 473218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Multicomp

BSS138-7-F

auf Bestellung 306000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9000+	0.017 EUR
156000+	0.015 EUR
234000+	0.014 EUR

Mindestbestellmenge: 9000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-7-F

MOSFETs 300mW 50V DSS

auf Bestellung 352644 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.32 EUR
13+	0.23 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.09 EUR
1000+	0.074 EUR
3000+	0.065 EUR
6000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 9

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1704 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

500+	0.14 EUR
642+	0.11 EUR
747+	0.096 EUR
1270+	0.056 EUR
1704+	0.041 EUR
3000+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3012000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3760+	0.038 EUR
6000+	0.028 EUR
12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3760

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BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 454370 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.059 EUR
6000+	0.052 EUR
9000+	0.049 EUR
15000+	0.045 EUR
21000+	0.043 EUR
30000+	0.041 EUR
75000+	0.037 EUR
150000+	0.034 EUR
300000+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-7-F

auf Bestellung 473218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2379000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.029 EUR
12000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 438000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3832+	0.038 EUR
6000+	0.028 EUR
12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3832

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3012000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3760+	0.038 EUR
6000+	0.028 EUR
12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3760

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 438000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3832+	0.038 EUR
6000+	0.028 EUR
12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3832

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 135000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F

DIODES/ZETEX

Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 12070 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.072 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-7-F

auf Bestellung 1704 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.14 EUR
642+	0.11 EUR
747+	0.096 EUR
1270+	0.056 EUR
1704+	0.041 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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BSS138-7-F

Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
directShipCharge: 25

auf Bestellung 306000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 900000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6000+	0.026 EUR
12000+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 6000

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BSS138-7-F

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2379000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3832+	0.038 EUR
6000+	0.028 EUR
12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 3832

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BSS138-7-F

Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

auf Bestellung 454485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

59+	0.3 EUR
96+	0.18 EUR
155+	0.11 EUR
500+	0.083 EUR
1000+	0.073 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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BSS138-7-F-50

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F-50

BSS Family SOT23 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F-50

Description: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-7-F-52

Description: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F-52

Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F-79

Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-7-F-W

BSS Family SOT23 T&R 3K

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BSS138-7-F.

Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3274 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-AU-R1-000A1

Array

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BSS138-AU-R2-000A1

MOSFETs

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BSS138-D87Z

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS138-E6327

auf Bestellung 828 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSS138-F085

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-F085

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-F085

ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-F085

MOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR

auf Bestellung 5297 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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BSS138-F085

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138-F169

Description: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC

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BSS138-F2-0000HF

Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L

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BSS138-F2-0000HF

Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L

auf Bestellung 958 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.51 EUR
43+	0.42 EUR
100+	0.22 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 35

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BSS138-F2-0000HF

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-G

MOSFETs FET 50V 3.5 OHM

auf Bestellung 1173906 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.59 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 5

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BSS138-G

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
15000+	0.13 EUR
30000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-G

auf Bestellung 1239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

264+	0.27 EUR
397+	0.18 EUR
633+	0.11 EUR
715+	0.1 EUR
770+	0.093 EUR
1000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 264

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.094 EUR
9000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

auf Bestellung 1239 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

264+	0.27 EUR
397+	0.18 EUR
633+	0.11 EUR
715+	0.1 EUR
770+	0.093 EUR
1000+	0.089 EUR
3000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 264

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 39000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.094 EUR
9000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

MOSFETs 50V 0.22A SOT-23

auf Bestellung 38248 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.53 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.1 EUR
3000+	0.092 EUR
6000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

N-Channel MOSFET

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.099 EUR
12000+	0.087 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

auf Bestellung 34513 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
39+	0.46 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.22 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-G

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR
27000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-HF

MOSFETs MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.53 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.1 EUR
3000+	0.084 EUR
6000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-HF

Description: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-HF

N-Channel MOSFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-ML

MOSLEADER

Description: 0.35W 50V 0.22A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

333+	0.053 EUR
1000+	0.048 EUR
3000+	0.037 EUR
6000+	0.036 EUR
9000+	0.035 EUR
15000+	0.033 EUR
30000+	0.031 EUR
75000+	0.028 EUR
150000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 333

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-NL

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-R1-00001

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-R2-00001

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-SB9G001

BSS 138 SOT23 FSC

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-T

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-TP

MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W

auf Bestellung 14230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.27 EUR
18+	0.16 EUR
100+	0.1 EUR
500+	0.074 EUR
1000+	0.065 EUR
3000+	0.051 EUR
6000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3409000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1131000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3774+	0.038 EUR
6000+	0.033 EUR
9000+	0.03 EUR
15000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3774

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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BSS138-TP
Produktcode: 189195

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSS138-TP

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 91496 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
109+	0.16 EUR
175+	0.1 EUR
500+	0.073 EUR
1000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 63

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BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS138-TP

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 87781 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

625+	0.11 EUR
944+	0.076 EUR
1603+	0.045 EUR
2213+	0.032 EUR
2476+	0.029 EUR
3000+	0.025 EUR
6000+	0.023 EUR

Mindestbestellmenge: 625

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BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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12000+	0.032 EUR
15000+	0.021 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

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BSS138-TP

Micro Commercial Components Corp.

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS138-TP

Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 23500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3774+	0.038 EUR
6000+	0.033 EUR
9000+	0.03 EUR
15000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 3774

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BSS138-TP

MCC Corp.

SOT-23, N-channe MOSFET

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BSS138-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 26670 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138-TP

Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V

auf Bestellung 87000 Stücke:

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3000+	0.053 EUR
6000+	0.047 EUR
9000+	0.044 EUR
15000+	0.041 EUR
21000+	0.039 EUR
30000+	0.037 EUR
75000+	0.033 EUR

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BSS138-TP

Micro Commercial Components Corp.

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1131000 Stücke:

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3774+	0.038 EUR
6000+	0.033 EUR
9000+	0.03 EUR
15000+	0.02 EUR

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BSS138-TP

Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS138-TP-ES; BSS138-TP TBSS138-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1731 Stücke:

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BSS138-TP

auf Bestellung 87781 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

625+	0.11 EUR
944+	0.076 EUR
1603+	0.045 EUR
2213+	0.032 EUR
2476+	0.029 EUR
3000+	0.025 EUR
6000+	0.023 EUR
9000+	0.022 EUR
15000+	0.021 EUR

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BSS138/SS

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BSS138A-TP

Micro Commercial Components Corp.

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS138A-TP

Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138A-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138A-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V

auf Bestellung 2437 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

59+	0.3 EUR
96+	0.18 EUR
153+	0.12 EUR
500+	0.084 EUR
1000+	0.074 EUR
2000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 59

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BSS138A-TP

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 2.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 50V

auf Bestellung 10219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

715+	0.1 EUR
926+	0.077 EUR
1042+	0.069 EUR
1695+	0.042 EUR
2193+	0.033 EUR
2393+	0.03 EUR
2565+	0.028 EUR
3000+	0.027 EUR
9000+	0.025 EUR

Mindestbestellmenge: 715

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BSS138A-TP

MOSFETs N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W

auf Bestellung 6208 Stücke:

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10+	0.3 EUR
16+	0.18 EUR
100+	0.11 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.076 EUR
3000+	0.067 EUR
6000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 10

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BSS138A-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 54000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138A-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1860000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

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BSS138A-TP

auf Bestellung 10219 Stücke:

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715+	0.1 EUR
926+	0.077 EUR
1042+	0.069 EUR
1695+	0.042 EUR
2193+	0.033 EUR
2393+	0.03 EUR
2565+	0.028 EUR

Mindestbestellmenge: 715

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138A-TP

Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS138A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 620mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 14110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138A-TP-HF

MOSFET N-Channel Mosfets

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BSS138A-TP-HF

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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BSS138AHE3-TP

Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138AHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AHE3-TP

Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2796 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
98+	0.18 EUR
177+	0.099 EUR
500+	0.089 EUR
1000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AHE3-TP

MOSFETs 50Vds 20Vgs N-Ch FET

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.27 EUR
17+	0.17 EUR
100+	0.1 EUR
500+	0.092 EUR
1000+	0.081 EUR
3000+	0.063 EUR
6000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 11

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

Description: NEXPERIA - BSS138AK-QR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AK-QR

MOSFETs SOT23 N-CH 60V .25A

auf Bestellung 1237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	0.29 EUR
16+	0.18 EUR
50+	0.13 EUR
100+	0.11 EUR
1000+	0.077 EUR
3000+	0.056 EUR
6000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 10

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AK-QR

Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4171 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

63+	0.28 EUR
100+	0.18 EUR
140+	0.13 EUR
162+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 63

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKA/LF1R

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3237+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3237

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3279+	0.044 EUR
9000+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3279

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BSS138AKAR

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.095 EUR
6000+	0.086 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AKAR

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 13Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 75000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4831+	0.11 EUR
10000+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 4831

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3247+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 3247

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11279+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 11279

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.05 EUR
9000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3226+	0.045 EUR

Mindestbestellmenge: 3226

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKAR

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

38+	0.48 EUR
62+	0.29 EUR
87+	0.2 EUR
100+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 38

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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BSS138AKAR

Description: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 36000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AKAR

Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3624+	0.04 EUR

Mindestbestellmenge: 3624

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BSS138AKAR

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 17

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BSS138AKAR

MOSFETs SOT23 N-CH 60V .2A

auf Bestellung 48 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.48 EUR
10+	0.31 EUR
50+	0.21 EUR
100+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR
3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 6

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BSS138AKDW-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 303000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

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BSS138AKDW-TP

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AKDW-TP

MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR

auf Bestellung 320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	0.35 EUR
13+	0.22 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.1 EUR
3000+	0.088 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 9

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BSS138AKDW-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDW-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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BSS138AKDW-TP

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BSS138AKDW-TP

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 6632 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.7 EUR
41+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 25

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BSS138AKDW-TPQ2

MOSFETs Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDW-TPQ2

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

50+	0.35 EUR
81+	0.22 EUR
131+	0.14 EUR
500+	0.099 EUR
1000+	0.087 EUR
2000+	0.078 EUR

Mindestbestellmenge: 50

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BSS138AKDW-TPQ2

BSS138AKDW-TPQ2

auf Bestellung 456000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12000+	0.026 EUR

Mindestbestellmenge: 12000

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1618 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

48+	0.37 EUR
78+	0.23 EUR
126+	0.14 EUR
500+	0.1 EUR
1000+	0.091 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

MOSFETs Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET

auf Bestellung 8295 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.45 EUR
11+	0.27 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.095 EUR
3000+	0.067 EUR
6000+	0.062 EUR

Mindestbestellmenge: 7

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWHE3-TP

Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWS-TP

Dual N Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKDWS-TP

Dual N Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKM-QYL

Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKM-QYL

MOSFETs BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3

auf Bestellung 4839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.36 EUR
13+	0.22 EUR
50+	0.16 EUR
100+	0.14 EUR
1000+	0.097 EUR
2500+	0.074 EUR
5000+	0.067 EUR

Mindestbestellmenge: 8

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKM-QYL

Description: BSS138AKM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

48+	0.37 EUR
79+	0.22 EUR
111+	0.16 EUR
128+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 48

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKQB-QZ

Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKQB-QZ

MOSFETs BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-

auf Bestellung 5830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.74 EUR
10+	0.51 EUR
50+	0.33 EUR
100+	0.29 EUR
2500+	0.23 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKQB-QZ

Description: BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 pC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.74 EUR
39+	0.46 EUR
54+	0.33 EUR
100+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 24

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKRA-QZ

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1060 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.58 EUR
50+	0.35 EUR
70+	0.25 EUR
100+	0.22 EUR

Mindestbestellmenge: 31

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKRA-QZ

MOSFETs BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.58 EUR
10+	0.35 EUR
50+	0.25 EUR
100+	0.22 EUR
1000+	0.16 EUR
2500+	0.12 EUR
5000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 5

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSS138AKRA-QZ

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 420mW (Ta), 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BSS138AKS-QX

MOSFETs SOT363 2NCH 60V .22A

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