Produkte > BSS
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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BSS 131 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS 79C | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS 98 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-C-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-025-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tray Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-025-01-F-D-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-025-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-050-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-050-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-050-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 100 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 150 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-084-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-084-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-084-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-C-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-LC | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS-100-01-L-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-EM2-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-LC-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Lock Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-150-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-150-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-150-01-F-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-150-01-L-D-LC | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-23 | ABB | Scheuerschutzmuffe,NW23,sw | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-4 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-5 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-7 | Essentra | Essentra | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-8 | Essentra | Other Tools | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS-L100-001 | Isabellenhuette USA | Description: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT Packaging: Tray Power (Watts): 20W Tolerance: ±5% Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch Type: Current Sensor Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: Automotive AEC-Q200 Resistance: 100 µOhms | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS010A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | auf Bestellung 12496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS010A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS015A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | auf Bestellung 6735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS015A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | auf Bestellung 10392 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS05-12 | VARCO | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS10 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS100 | INFINEON | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS100 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS100 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS101 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS11 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS110 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS110 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS110 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 | infineon | 03/04+ SOT23 | auf Bestellung 7900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 | infineon | sot-23 09+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 E6327 | INFINEON | sSh/23 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS119 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 86725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119 L7796 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119 L7978 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | auf Bestellung 86725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119N H6327 | Infineon | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS119N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 36194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119N H7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors | auf Bestellung 6344 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 54976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 225000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 Produktcode: 118883
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 19010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 504000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS119NH7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH7796 | Infineon Technologies | BSS119NH7796 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH7796 | Infineon Technologies | BSS119NH7796 | auf Bestellung 8803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | BSS119NH7978XTSA1 | auf Bestellung 14450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS12 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 540976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | auf Bestellung 258970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2646000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 19377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 5.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | auf Bestellung 616200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2646000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | Fairchild | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 99000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 147000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 11990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 5.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 19377 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123 | MDD(Microdiode Electronics) | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | YFW | Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 10000m?; BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | auf Bestellung 616331 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123 Produktcode: 207526
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123 0.323MM | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123 L7874 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2508000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | auf Bestellung 68700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 67423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 25506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NXP Semiconductors | N-кан. MOSFET SOT-23 | auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 67423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2538000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 633000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | MOSFETs SOT23 100V .15A N-CH TRENCH | auf Bestellung 72739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | auf Bestellung 69099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 456000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 28488 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 28488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 274774 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 333000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | auf Bestellung 84442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 12091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2109000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 228000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2109000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 384000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 12091 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 278374 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2553000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 218084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F Produktcode: 148378
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2631000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-7-F-W | Diodes Incorporated | BSS Family SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-E6327 Produktcode: 98887
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Lieblingsprodukt
| Siemens | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.17 Rds(on), Ohm: 6 Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78 JHGF: SMD | auf Bestellung 840 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSS123-F169 | onsemi | onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8926 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-G | ON Semiconductor | FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-G | onsemi | MOSFET FET 100V 6.0 MOHM | auf Bestellung 11044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 38958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123-ML | MOSLEADER | Description: 0.35W 100V 0.17A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-R1-00001 | Panjit | MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-R2-00001 | Panjit | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 7584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 37865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | auf Bestellung 14895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123.215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123.215 Produktcode: 49331
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.15 Rds(on), Ohm: 6 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123A | ZETEX | 06+; | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123ATC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123DWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 271mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 6-Pin SOT-363S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123E-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123E-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123E-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-523 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123E6327 | auf Bestellung 294000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 161680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 8487 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.63nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | auf Bestellung 17420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.63nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 112583 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 2522 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123K-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | auf Bestellung 7717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 29990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 20547 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 126000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | auf Bestellung 29990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 350mW; SOT23; SMT Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Electrical mounting: SMT Gate charge: 2nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.35W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 100V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | BSS123KHE3-TP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123KHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123L | onsemi / Fairchild | MOSFETs Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23 | auf Bestellung 669297 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 8682 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18563 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 8682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 65548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | auf Bestellung 97972 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 65548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L6433XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123L7874XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LG | onsemi | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT | onsemi | NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1 | ON | SOT23 | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1 | ON | auf Bestellung 3260 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123LT1 | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | auf Bestellung 452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 17897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1929000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 4600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 690000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 152300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | auf Bestellung 196785 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G Produktcode: 42430
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| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 100 Idd,A: 0.17 Ciss, pF/Qg, nC: 20/ JHGF: SMD | verfügbar 1753 Stück: 115 Stück - stock Köln1638 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen |
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BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 17897 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4737000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 260021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1674000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4737000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123LT1G | MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123LT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT7G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | auf Bestellung 24496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123LT7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123M-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin SOT-723 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123M-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123M-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 588668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123N H6327 | Infineon | auf Bestellung 546000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 12466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 3003 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1104000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 27185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 545220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 Produktcode: 198093
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 27078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 140557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 96298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1113000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 43057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 21323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 140557 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 21323 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 330000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 151592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | auf Bestellung 33793 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123NH6433XTMA1 Produktcode: 190235
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BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 11864 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 1373999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | auf Bestellung 38394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2016000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2017119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | auf Bestellung 9467 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123Q-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123T-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123T-HF | Comchip Technology | 100 V, N Channel MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123T-HF | Comchip Technology | MOSFETs 100V 0.19A SOT-23 | auf Bestellung 5003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | auf Bestellung 53830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 116125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2891 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | auf Bestellung 116000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 12494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 5.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 8700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 12819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Kind of channel: enhancement Technology: TRENCH POWER MV Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2.5nC Drain current: 0.16A Power dissipation: 0.35W Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 5.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | auf Bestellung 1471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 200mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 200mW | auf Bestellung 23597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 309000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | auf Bestellung 311346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel Mosfets | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA | auf Bestellung 16249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | auf Bestellung 15693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123_R1_00001 | PanJit | BSS123_R1_00001 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123_R1_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | auf Bestellung 14320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 1.8nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 1.8nC Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.68A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3107 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS123_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS124 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BSS125 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BSS125 Produktcode: 51591
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| Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 600 Idd,A: 01.01.2000 Rds(on), Ohm: 45 JHGF: THT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS125 | CSE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126 H6327 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126 Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS126 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 9207 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126 H6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 7764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126 L6906 | Infineon Technologies | GaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126 Transistor Produktcode: 61604
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| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS126H Produktcode: 113030
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS126H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 12639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 8898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion | auf Bestellung 2451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2451 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 49209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 45108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | International Rectifier HiRel Products | BSS126H6906XTSA1 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 44780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | International Rectifier HiRel Products | BSS126H6906XTSA1 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 30224 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 105960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 35765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 2045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 8148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS126L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 Produktcode: 40606
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS127 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 | Rectron USA | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 | N/A | SOT-23 05+ | auf Bestellung 208500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 45851 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | auf Bestellung 9987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 38581 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon | N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 5935 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | auf Bestellung 14999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23; SMT Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 310Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.65nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Technology: MOSFET | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 56650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W On-state resistance: 160Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1036 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 153279 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA | auf Bestellung 15301 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 160 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 160ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127S-7-50 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127S-7-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K | auf Bestellung 3813 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 29954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.08nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.08nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS129 | SIEMENS | SMD | auf Bestellung 101000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS129 | PHI | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS129 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS13 | PHI/MOT | auf Bestellung 18900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS131 | Infineon Technologies | МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131 | FUXINSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SOT23 FUXINSEMI TBSS131 FUX | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131 (SOT-23) Produktcode: 33823
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS131 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 16723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 26600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327 Produktcode: 122768
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 240 V Idd,A: 0,11 A Rds(on), Ohm: 14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1 JHGF: SMD | auf Bestellung 303 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 14352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 444000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | auf Bestellung 74424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 32954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 669000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 13855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 444000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 5174 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 5174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 32729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Small-Signal Power-Transistor | auf Bestellung 2192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | Infineon Technologies | Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS134N | INFINEON | SOT-23 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS135 | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BSS135 Produktcode: 77919
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | auf Bestellung 711000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1746000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 492000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | auf Bestellung 1752000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 58520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 Produktcode: 197212
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Lieblingsprodukt
| UMW | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ JHGF: SMD | auf Bestellung 22730 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 819000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3435000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | SOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150 | auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | auf Bestellung 14641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1599000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 642469 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 855622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1599000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | auf Bestellung 1125000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Good-Ark | Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 42340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 282000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | auf Bestellung 281954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 300629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON-Semicoductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 444000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 Produktcode: 144172
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Lieblingsprodukt
| YJ | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 48853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 84000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | On Semiconductor/Fairchild | SOT-223, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=220mA, -55...+150 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 108000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm | auf Bestellung 14641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1281000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | auf Bestellung 639000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 21086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; 360mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 50V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 1802 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | auf Bestellung 711000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 441000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 31431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 876 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 294000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 31431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 300629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | Good-Ark Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 83080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 | Yangjie Electronic Technology | Trans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-23 | auf Bestellung 933000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138 Produktcode: 26318
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| CET | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 Idd,A: 0.22 Rds(on), Ohm: 03.05.2015 Ciss, pF/Qg, nC: 42/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138 (CJ, SOT-23) Produktcode: 186257
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| CJ | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ JHGF: SMD | auf Bestellung 5358 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 (Diodes, SOT-23) Produktcode: 125280
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Lieblingsprodukt
| Diodes | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 (ON, SOT-23) Produktcode: 161156
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| ON | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 2021 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 36400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138 SOT23 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138 SS | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138"SS" | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138(G9-49) | NS | 2000 | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138(SS) | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6610000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1530000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2170000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 640000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 750000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7450000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3820000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 540000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 530000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4440000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 800000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8040000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1300000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8620000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1740000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6990000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1870000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3760000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 680000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 520000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 750000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7630000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4820000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1070000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8620000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5250000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1670000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7620000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6460000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1560000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6810000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1650000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 550000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2890000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 650000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 840000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3900000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 560000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7550000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4440000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 800000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8060000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4890000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1450000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8820000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6040000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1590000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1530000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 280000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2050000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7490000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3760000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 520000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 530000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4360000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7940000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1340000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8620000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 5940000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1670000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6460000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1310000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 260000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6970000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1730000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 640000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7290000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2890000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 650000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family | auf Bestellung 635496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 10410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 420000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4060000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 620000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 7630000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4640000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 840000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8060000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4850000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6060000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1560000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Components | BSS138-13P | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 360mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 937300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 82178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2697000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 414759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Multicomp | BSS138-7-F | auf Bestellung 312000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 14380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 705000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 918000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3801000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 50V | auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2697000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | auf Bestellung 937861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 300mW 50V DSS | auf Bestellung 478177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 414759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 705000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Mounting: SMD Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 50V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |