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BSS123.215

BSS123.215

Produktcode: 49331
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 0,15 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 6 Ohm
Montage: SMD
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BSS123,215 BSS123,215 NXP BSS123.pdf N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
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BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215 BSS123,215 NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215 BSS123,215 NEXPERIA BSS123.215.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 6Ω
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BSS123.215 NXP Semiconductors Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: NXP
N-кан. MOSFET SOT-23 Транзистори
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215
Hersteller: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 0.15A
Kind of channel: enhancement
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Type of transistor: N-MOSFET
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Case: SOT23; TO236AB
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