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BSS123,215

BSS123,215 Nexperia

815041027645007bss123.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS123,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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1316+0.12 EUR
1329+ 0.11 EUR
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6000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1316
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA BSS123.215.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
481+0.15 EUR
1009+ 0.071 EUR
1114+ 0.064 EUR
1401+ 0.051 EUR
1480+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 481
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA BSS123.215.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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1009+ 0.071 EUR
1114+ 0.064 EUR
1401+ 0.051 EUR
1480+ 0.048 EUR
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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377+0.42 EUR
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548+ 0.27 EUR
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1493+ 0.082 EUR
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia BSS123-2937842.pdf MOSFET BSS123/SOT23/TO-236AB
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10+ 0.32 EUR
100+ 0.13 EUR
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3000+ 0.067 EUR
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24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 7
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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39+0.46 EUR
56+ 0.32 EUR
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500+ 0.13 EUR
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 138442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 138442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA 158309.pdf Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 522000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA 815041027645007bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1899000 Stücke:
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BSS123,215 Hersteller : NXP BSS123.pdf N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215 Hersteller : NXP BSS123.pdf N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123,215 Hersteller : NXP Semiconductors BSS123.pdf N-кан. MOSFET SOT-23
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSS123.215 BSS123.215
Produktcode: 49331 		Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.15
Rds(on), Ohm: 6
JHGF: SMD
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