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BSS123,215

BSS123,215 Nexperia

bss123.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS123,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA BSS123.215.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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1038+0.069 EUR
1397+0.051 EUR
1558+0.046 EUR
3000+0.042 EUR
15000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NXP BSS123.pdf N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NXP info-tbss123%20nxp.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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50+0.35 EUR
82+0.21 EUR
132+0.13 EUR
500+0.098 EUR
1000+0.086 EUR
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 412 Stücke:
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BSS123.215 Hersteller : NXP Semiconductors Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : NEXPERIA 158309.pdf Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia bss123.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123,215 Hersteller : NXP/Nexperia/We-En BSS123_NXP.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150 мА, Ptot, Вт = 0,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 40 @ 25, Rds = 6 Ом @ 120 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. BSS123.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
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BSS123,215 BSS123,215 Hersteller : Nexperia BSS123.pdf MOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB
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