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BSS64LT1G

BSS64LT1G ON Semiconductor

bss64lt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BSS64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSS64LT1G nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI bss64lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
506+0.17 EUR
727+0.12 EUR
849+0.1 EUR
1202+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
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BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
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Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSS64LT1G BSS64LT1G onsemi bss64lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1147 Stücke:
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56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
148+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS64LT1G BSS64LT1G ONSEMI 2355036.pdf Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS64LT1G BSS64LT1G ON Semiconductor bss64lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64LT1G On Semiconductor bss64lt1-d.pdf SOT-23 Транзистори
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BSS64LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
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Bipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
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Description: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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SOT-23 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
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