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BSS670S2LH6433XTMA1

BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Technische Details BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm.

Weitere Produktangebote BSS670S2LH6433XTMA1 nach Preis ab 0.099 EUR bis 0.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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20000+0.099 EUR
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BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.25 EUR
1299+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 35634 Stücke:
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34+0.63 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.69 EUR
654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LH6433XTMA1 INFINEON BSS670S2L_Rev2.6.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 540mA
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
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962+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9900 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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1000+0.15 EUR
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5000+0.13 EUR
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BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.346ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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654+0.36 EUR
962+0.23 EUR
1397+0.15 EUR
1770+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 362 Stücke
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BSS670S2LH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
auf Bestellung 15540 Stücke:
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962+0.23 EUR
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