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BSS806NH6327XTSA1

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Produktcode: 154371
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.098 EUR
30000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon info-tbss806n.pdf N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon info-tbss806n.pdf N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
235+0.3 EUR
337+0.21 EUR
395+0.18 EUR
563+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131185f0553451c Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 354412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
49+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806N_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.28 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 354000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
200+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 20V 2.3A 57mΩ 500mW BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327 Infineon TBSS806n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
157+0.46 EUR
235+0.3 EUR
337+0.21 EUR
395+0.18 EUR
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BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 354412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
30+0.6 EUR
49+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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BSS806NH6327XTSA1 Infineon_BSS806N_DS_v02_03_en.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 16 Stücke:
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5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.28 EUR
500+0.2 EUR
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3000+0.095 EUR
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